英睿达内存

英睿达内存防伪

本次公开所有目前我已知的英睿达内存防伪，公开后本人不再去管任何英睿达内存假货。

本防伪包括官方方法和民间方法，准确率在90%+，另外民间方法是我个人经验总结，非官方。

一：【官方】通过物料号反查询

这是英睿达官方的内存标签定义

（来源：https://www.crucial.com/usa/en/support-identify-parts）

而左边的“MATERIAL NUMBER（物料号）”是英睿达RMA的方法之一：

（来源：https://www.crucial.com/usa/en/returns）

通过这个方法，我们能查询到物料号所对应的内存型号和零件号

举例：

1.正品

物料号：359816

反查询结果：

2．假货

物料号：351876

反查询结果：

标签写的是DDR3L的UDIMM，结果物料号查询出来是DDR4的SODIMM，这差的也太远了

物料号：331058

反查询结果：

条子零件号后面写的是C8FE，但物料号反查询出来后面是C8FDD1。假条

【局限性】：

因为物料号和零件号都在标签上，所以只要商家“复制”一个正品的标签就没有任何问题了~华强北的同志们赶紧记笔记啊。

二：【民间】通过标签上的二维码

这个方法是我去年就发了，估计现在没啥用了，不过还是拿出来说下。

英睿达官网并没有解释防伪的东西不过镁光英睿达一家人东西差不多，英睿达的标签上面有两个二维码

第一个（左边的）扫描出来

上面的数字和二维码下面的一致

第二个二维码（右边的）扫描出来

前面的S802C无意义，14代表产地 1735生产日期（和标签上面的一样）后面8位数和二维码下面的一致

例子懒得复制了，因为我都放弃这个方法了。

【局限性】：

二维码有些难扫描，有时半天都扫不出。另外这东西是我一年前发布的东西，造假商估计已经更进了。

三：【民间】通过零件号与内存颗粒

    实际上英睿达内存可以通过内存标签上面的“PART NUMBER（零件号）”判断颗粒，一般是零件号小数点后面四位，

    实际上台风软件判断英睿达内存颗粒也是基于这个，但是由于英睿达这个只能判断颗粒版本，而C9BJZ和D9VPP都是E-DIE，所以C9BJZ的条子被台风识别成D9VPP是“正常操作”。不过某些L-DIE的C9BJZ商家刷的是D-DIE的SPD所以识别是D9TZV，造假不用心。

举例：

1.正品

零件号后面：C8FF 颗粒第一行编号：8MF77都是F-DIE颗粒

2，假货

零件号后面：C16FB 应该是B-DIE

颗粒第一行编号：B0D78 应该是D-DIE

两个对不上是假条，顺带一提这条物料号正常，不过颗粒假标过分了

零件号后面：C8FD 应该是D-DIE

颗粒第一行编号：9DL85 应该是L-DIE（美光：我出了L-DIE？？？）

对不上，假条。其实这就是那个L-DIE的C9BJZ~

【局限性】：

英睿达官方没有说。且因为有些位会省略，会出现一些奇葩的编号，比如C8ET

四：【民间】通过内存颗粒的打标样式（也适用于判断假标颗粒）

真正的美光颗粒下面的码：

虚假的美光颗粒的码：

当然还可以通过字体判断了，这里就不说了。

【局限性】：

需要看大量的美光颗粒才能学会这种方法，对一般人来说非常难。同样是没有官方认证的。

五：【官方】通过内存颗粒的编号（也适用于判断假标颗粒）

有些人打假标颗粒实在是过非，不符合美光命名了。

比如楼上的这个

D9TZV确实是D-DIE。但第一行的B0D75 B0是什么鬼？

美光打标定义是这样的：

（来源：美光官方文件CSN11，中文翻译来自谷歌翻译）

人家美光定义是第一个是数字、第二个是字母，你这B0明显不符合，打假标打反了吧？

【局限性】：

如果造假商按照真正的编号来打标，很多人就难直接判断了。

好看的文章记得多支持一下

英睿达ddr4 2666内存评测

作为内存颗粒的三大供应商之一的镁光，在ddr4早期一直默默无闻，各大高端内存极少采用镁光颗粒，DIY玩家对于镁光ddr4颗粒也是避之不及。造成这一现象的根本原因在于镁光ddr4颗粒超频能力差。那么9012年了，ddr5即将问世，镁光在ddr4上是否迎头赶上呢？本文对于其自家DIY品牌英睿达（Crucial）内存在AMD平台进行了简单测试，供大家参考！

开箱

由于本文的主角为英睿达ddr4 8g 2666普条，且购于某鱼，所以开箱这一环节就免了，主角简单露个脸吧：

基本信息：内存2019年11周生产，颗粒为D9VPP，2019年第9周生产，台风软件显示为E die，16nm工艺，工艺台风软件显示应该有问题，我在网上查到的信息镁光E die为19nm工艺。由于镁光对于颗粒命名比较特殊，我们很难直观了解，大家可以在这个网页查询颗粒具体属于什么 die。

测试平台

 处理器：锐龙2400g

主板：华擎B350 ITX

硬盘：pm961 256G

机箱电源迎广肖邦

内存超频性能

网传镁光E die在牙膏厂可以4000+，并且对于cpu的IMC压力较小，那么在于按摩店平台上表现如何呢？小白级业余玩家和大家简单分享一下：

默认参数 19-19-19-43 1.2V 2666频率（实际20-19-19-43）

英睿达给的默认时序很高，感觉没有多少压榨空间。首先用aida64测了一下读写性能和延迟，确实很差。双通道读 37 G/s，写 39 G/s，复制 33 G/s，这数据基本没法看，延迟接近100 ns（AMD这锅我背o(╥﹏╥)o）。

超频 16-19-19-36 1.2V 3200

首先默认参数下直接3200走起，1.2V内存电压居然一次就开机了，镁光有长进。之前玩过全何的ddr4 2133的内存，颗粒是镁光B die，无论怎么改时序加电压，最高只能2666。开机进行简单测试后，看到惨不忍睹的时序，马上重启尝试压缩时序。首先最常见的16-18-18走起，无法开机，加电压1.4V还是无法开机。后来听说镁光第二第三时序较高，尝试16-19-19-36 1.2V，电脑成功启动，读写性能和延迟有了一些提高。但是和其他内存3200相同时序比差距很小，并且电压只有1.2v。用科赋普条afr颗粒模拟了一下同时序下内存性能，内存电压为1.35v，科赋在1.2v无法开机。上图是英睿达数据，下图为同参数科赋。

由于内存稳定性测试时间太长，仅简单测试了一下，用aida64单拷内存，差不多烤了半个小时，内存正常，拷完忘记截图了，在6分钟多截图了。

天花板 18-19-19-43 1.25V 3466（限于本次测试平台）

在我使用的平台上，这套内存最高只能3466开机，并完成简单测试，但是无法通过稳定性测试，aida64单拷内存基本5分钟左右就红了，memtest测试也很快就报错。放宽时序加电压应该能通过测试，考虑到我的小机箱以及普条没马甲，散热压力太大，就没进一步进行稳定性测试了，主要是怕内存烧掉了，咸鱼入的没保障。

小结

240左右的价格在一个月之前应该还是很香的，毕竟超频和海力士的afr差不多，虽然时序较高造成读写性能差（我手上科赋内存在测试平台上最高只能3266 16-15-15-32 1.35v，读 46 写48 复制42+  延迟70ns；华擎一波sao操作，最新bios手上afr只能3266了，之前可以3466的），但是电压低，散热压力小。如果200左右的价格，我还是很推荐大家购买的，但是现在略贵，并且选购存在困难，目前已知的e die有D9VPP D9VPS C9BJZ C9BHS D9WFL ，欢迎大家补充。

 除作者给出的商品链接外，此篇文章中还提到的商品是：

京东 英睿达(Crucial) 8GB DDR4 2666 台式机内存条 269元

去购买