第六代V-NAND颗粒问世：SAMSUNG 三星 推出单芯 256Gb 3bit NAND颗粒固态硬盘

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作为全球领先SSD颗粒供货商，SAMSUNG（三星）一直在提升颗粒容量密度同时，降低成本这个难题上努力。从2013年至今，技术不断提升已有5次更迭，而今天，三星官方再次实现突破，推出了采用第六代3bit V-NAND SSD颗粒的SSD，从研发到量产只用了13个月就成功实现，可见SSD整个行业都在加速蜕变中。据悉，采用第六代的SSD首发将针对OEM供应，而消费级产品将稍后推出，预计时间在今年年底前。

据了解，三星第六代V-NAND颗粒采用100+层堆叠设计，比第五代密度增加约40%，实际上可由136层导电模堆叠，采用通道孔蚀刻技术，从而实现俊园的3D 电荷CTF单元。性能方面，读写延迟分别为45μs微秒和450μs微秒，性能相比现有第五代提升10%，能耗降低15%，单芯容量高达256Gb。不过，三星表示将很快推出单芯512Gb容量颗粒的3bit V-NAND SSD和eUFS，同时将对韩国Pyeongtaek园区进行扩大产能计划，满足全球用户需求。