第六代V-NAND颗粒问世:SAMSUNG 三星 推出单芯 256Gb 3bit NAND颗粒固态硬盘
作为全球领先SSD颗粒供货商,SAMSUNG(三星)一直在提升颗粒容量密度同时,降低成本这个难题上努力。从2013年至今,技术不断提升已有5次更迭,而今天,三星官方再次实现突破,推出了采用第六代3bit V-NAND SSD颗粒的SSD,从研发到量产只用了13个月就成功实现,可见SSD整个行业都在加速蜕变中。据悉,采用第六代的SSD首发将针对OEM供应,而消费级产品将稍后推出,预计时间在今年年底前。
据了解,三星第六代V-NAND颗粒采用100+层堆叠设计,比第五代密度增加约40%,实际上可由136层导电模堆叠,采用通道孔蚀刻技术,从而实现俊园的3D 电荷CTF单元。性能方面,读写延迟分别为45μs微秒和450μs微秒,性能相比现有第五代提升10%,能耗降低15%,单芯容量高达256Gb。不过,三星表示将很快推出单芯512Gb容量颗粒的3bit V-NAND SSD和eUFS,同时将对韩国Pyeongtaek园区进行扩大产能计划,满足全球用户需求。