实测:技嘉独家DDR5 EXPO高带宽和低延迟技术

2022-12-09 16:04:04 3点赞 4收藏 2评论

技嘉在AMD AM5 X670E / X670 / B650E / B650和LGA1700 Z790的主板上使用全新的DDR5内存超频技术,提供 XMP / EXPO高带宽模式( HIGH BANDWIDTH )和 低延迟模式(LOW LATENCY 0,前者主要改善 DDR5带宽效能,后者主要降低 DDR5的延迟。

我们以一套 HYNIX M DIE 16G*2 6000C40 XMP DDR5内存,搭配技嘉主板 B650 AORUS ELITE AX (BIOS F3B) 和R9 7900X CPU,看看这两个技嘉的DDR5模式到底在做什么!

如何使用?

实测:技嘉独家DDR5 EXPO高带宽和低延迟技术

使用方法很简单,先在 BIOS 内选取ADVANCED MODE进阶模式 (F2),然后在 TWEAKER 页面内找出 EXTREME MEMORY PROFILE 并选择 XMP 1,再打开 LOW LATENCY SUPPORT 和 XMP / EXPO HIGH BANDWIDTH SUPPORT,最后按下 F10 存储并离开就可以。

实测技嘉独家的 DDR5 EXPO HIGH BANDWIDTH & LOW LATENCY 技术:

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为获得完整的效能,使用者应确保 INFINITY FABRIC FREQUENCY AND DIVIDERS (FCLK) 是在 2000MHz 的状态,以及确保 UCLK DIV1 MODE 处于 UCLK = MEMCLK 的状态,以确保 FCLK : UCLK : MCLK = 1 : 1.5 : 1.5 (以 DDR5 6000MHz 为例)。在技嘉 F3B BIOS 中,在使用者开启 XMP / EXPO 后,FCLK 预设为 2000MHz,技嘉将 UCLK 自动设定为 UCLK = MEMCLK (1:1)。

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技嘉的 XMP + HIGH BRANDWIDTH + LOW LATENCY 设定,顺利通过TM5测试,效能和稳定性兼备。

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与只开启 XMP / EXPO 相比,额外开启 HIGH BANDWIDTH 和 LOW LATENCY 模式使 AIDA64 的内存效能测试的成绩得到提升。

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手上的R9 7900X刚好能够稳住 6200MHz,所以也测试了开启这两个模式后的 6200MHz 的状态。

再比对 6200 XMP与6200 XMP +两个加强模式:

实测:技嘉独家DDR5 EXPO高带宽和低延迟技术

将DDR5频率从XMP 6000手动提高至6200后,技嘉这两个模式仍然能够进一步提升DDR5 的效能。TREFI一向大幅影响内存的效能,技嘉这两个模式明显有动到 TREFI,而 TREFI 可能因为 AMD的缘故不只技嘉一家没有把它开出来。

TRRDS、TRRDL、TFAW、TWTRS、TWTRL、TWR、TRFC、TREFI 等等,都有明显被动过。

实测:技嘉独家DDR5 EXPO高带宽和低延迟技术

由此可见,技嘉这两个新的 DDR5 模式,基本上可被视为一键超频的功能,能有效提升 DDR5 的效能。笔者不建议使用者在开启这两个模式后再手动调整各项时序,因为稳定性很可能会变差。如果手太痒,可先尝试调整 CAS LATENCY / TRCD / TRP / TRAS。

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6200C32 & HIGH BANDWIDTH & LOW LATENCY 的电压设定如下 (除了 DRAM 的 VDD 和 VDDQ,其余电压尽量不要超过 1.420V):

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据说技嘉原本只打算让高阶的AM5主板型号 (AORUS MASTER / AORUS XTREME / AORUS TACHYON) 突破 DRAM VDD 与 DRAM VDDQ 被锁在最高1.435V的限制,但是技嘉在 2022 年11月决定开放至其他型号,使用者记得先更新BIOS再更新这个FIRMWARE以解锁 1.435V 的 DRAM 电压限制。

关于电压的设定,技嘉在 BIOS 内的呈现有点奇怪,加上 HWINFO64 亦未能认出各路电压,而RYZEN MASTER同样未能完整地显示各项电压,所以技嘉仍然有很大的进步空间。在调试的过程中,笔者发现SOC电压好像被预设 +0.05V,例如输入 1.40V,最终会变成 1.45V。还有,TWEAKER 页面的 MISC (S5) 电压,其实并不是一般超频相关的那一个 MISC 电压。超频上真正要动的MISC电压,却被放在/没有从 AMD OVERCLOCKING 页面中抽出来。AMD OVERCLOCKING 的页面据说是 AMD 的公版设计,希望技嘉能够在跟随之余提供更清晰的 VDD MISC S5与VDD MISC,还有TREFI…。

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一般来说在AM5平台上体验 DDR5 超频,除了DDR5的VDD、VDDQ与VPP外,还有与 CPU 相关的 VDDIO_MEM (ASUS 直指这是 MC)、VDDP和SOC。对于FCLK,VDDG和VDD_MISC 亦相关。另一方面,据说现时各家的新BIOS (技嘉F3B=AMD AGESA 1.0.0.3 A),好像都有一个 BUG,就是FCLK当被超到2100MHz或2133MHz的时候,UCLK有一定机率会自动被增加。就算使用者已经锁定 UCLK=MCLK,实际上最终会变为 UCLK>MCLK (技嘉好像没有在 BIOS 内增设独立的 UCLK频率的选项) ,效能最后反而降低。所以笔者建议使用 HWINFO64 软件查看 UCLK 和 MCLK,然后把 FCLK设定为 2000MHz 好了。

总结,技嘉独家新技术的确很强。以笔者所知,华擎亦有DRAM PERFORMANCE MODE这样类似的技术,华硕有XMP TWEAKED。独不独家不重要,重要的是能够为使用者提供一个简单又好用的设计,还有最重要的考量–绝对稳定性。技嘉做到了,而且做得很好,但是在电压的分布设计以及缺乏UCLK设定和FCLK动到UCLK的问题还有TREFI的控制,技嘉仍需努力。


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  • 强,可能是屏蔽的原因,在chh也没看到过如此详细的解读。感谢分享。

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  • 请教个问题,同样是海力士m die,我设置内存频率无论是6000还是6200,hwinfo上都显示非整数,是3003.1或是3103.1,这3.1让我摸不清头脑。已经照抄作业了。cpu是7950x

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