拆解报告：黑鲨120W星流GaN快充（中国航天版）

前言

2022年3月30日，黑鲨发布了新一代游戏电竞旗舰手机黑鲨5系列，全系手机均支持120W超级闪充技术，并且还和中国航天神舟传媒联手推出了黑鲨5系列中国航天深度定制版，配备了一系列航天主题IP定制配件。

与120W充电器同时发布的还有黑鲨星流GaN 30W充电器，黑鲨凤鸣真无线蓝牙耳机降噪版，黑鲨冰封散热背夹2 Pro和铠甲磁吸导热保护壳。充电头网已经拿到了黑鲨星流GaN 120W快充套装，下面就对这款120W充电器进行拆解，看看内部是如何设计的。

黑鲨120W星流GaN快充套装开箱

包装盒正面印有黑鲨logo、充电器套装图、名称以及显眼的中国空间站字样。

背面贴有产品铭牌贴纸以及神舟传媒贴纸。

侧面有中国航天和BLACK SHARK的联名设计。

包装内含充电器、数据线和使用说明书。

附带线缆是A to C编织线，使用两个扎带捆扎整理。

不仅是编织线，还采用锌合金端子外壳，整根数据线设计诚意满满。

USB-A 公头特写，和小米系的数据线一样，都有用于识别快充协议的额外pin，这也是这款充电器能支持PD协议的秘诀。

数据线长度约为152cm。

充电器外观结合了高达元素进行设计，而配色方面则与蓝天白云的天空相契合，整体看上去相当的炫酷。

机身四端倒角设计，整体有棱有角给人十分硬核的科技感。机身正背面印有中国空间站、120W、GaN标识。

蓝色外壳亮面、磨砂结合设计，机甲风满满，此外磨砂区域外壳上设计有DESIGNED BY BLACK SHARK字样。

白色外壳上则设计有橙色、灰色条纹，高达模型爱好者应该对这类设计不陌生。

“中国空间站”五个字也是结合了科技元素进行设计。

充电器配备固定国标插脚，所在区域外壳也采用机甲风设计，可以说这款充电器就外观来说，设计得相当用心。

输入端外壳上印有充电器铭牌

型号：BG04

输入：100-120V~50/60HZ 1.7A

输出：5V3A、9V3A、11V6A、20V4.8A

输入：220-240V~50/60HZ 1.7A

输出：5V3A、9V3A、11V6A、20V6A

南昌黑鲨科技有限公司

充电器已经通过了CCC认证和QC3.0认证

另一端配有单USB-A接口。

接口舌片为红色，前端有特殊触点。

测得充电器机身高度为59.08mm。

宽度为59.77mm。

厚度为29.8mm，通过三维算得充电器体积约为105.23cm³，以充电器功率120W计算，功率密度约为1.14W/cm³。

和苹果96W充电器对比，体积优势明显。

拿在手上的大小直观感受。

充电器净重约为176g。

带线总重量约为244g。

直接使用ChargerLAB POWER-Z KT002测试，可以测得充电器仅支持QC2.0/3.0快充协议。

充电器搭配附带数据线输出，使用KT002测得充电器还支持PD3.0快充协议，这也是这类魔改充电器的特色。

此外还具备5V3A、9V3A、15V3A、20V3.25A四组固定电压档位。

黑鲨120W星流GaN快充充电器拆解

对黑鲨这款120W充电器进行了详细的外观、性能了解后，下面继续对其进行拆解，看看内部用料做工如何。

首先撬开充电器插脚侧盖子，可见充电器内部灌胶填充，想要进一步拆解，只能动用切割机切开外壳。

使用切割机切开外壳，露出充电器内部PCBA模块，手机厂商推出的120W充电器多数使用灌胶工艺。

灌胶工艺将充电器内部器件填充固定成为一个整体，可以大大提升充电器的散热性能和耐候性，潮气不会进入充电器内部，使用更加可靠。灌胶工艺另外一方面提升了机械强度，遇到跌落时不易损坏。并且灌胶还可以提升充电器的热容量，吸收高速快充的发热，并通过外壳均匀散发。灌胶吸收热量+大面积散热，降低短时间快充的温升。

交流输入端完全被灌胶填充。

输出端露出一块小PCB，滤波固态电容和USB-A母座。

清理掉PCB上面的硅胶，高压电解电容顶部套有绝缘罩，初次级之间还设有隔离板，绝缘措施相当到位。

输入端插脚通过导线直接焊接到PCB上。

焊下连接导线，开始观察PCB，输入端有延时保险丝，NTC浪涌抑制电阻，两级共模电感和一颗Y电容。右侧PFC升压电路使用铁片屏蔽。

铁片焊接到PCB上固定，包裹PFC升压电路，屏蔽干扰。

拆除屏蔽铁片，内部是PFC滤波电感，滤波电容和PFC升压电感。

输出侧是同步整流小板，滤波固态电容，USB-A母座和Y电容。

侧面是两级共模电感和X电容组成的输入EMI电路。

平面变压器靠近PCB放置，两端焊接小板连接，初级小板上焊接高压滤波电容。多块PCB组合焊接的方式提高了空间利用率，并且增强散热性能，提升充电器的功率密度。

电路板正面一览，充电器内部布局分明，左上角为输入EMI滤波电路，左下角为PFC功率因数校正，下方为开关电源，右侧为输出接口。

电路板背面可以看到一颗整流桥，两颗串联的贴片Y电容，以及三颗反馈光耦和一颗控制器。

通过观察分析发现，黑鲨星流120W GaN快充充电器内置PFC功率因数校正电路为开关电源供电，反激开关电源由协议芯片控制进行宽电压输出的设计架构，输出采用同步整流。下面我们就从输入端开始了解各个元器件的详细信息。

首先将充电器正面的元件全部拆下，便于观察电路板上面的元件。正面可以看到整流桥，PFC升压开关管和整流管。

输入端延时保险丝来自华德，规格为3.15A 250V。

绿色NTC浪涌抑制电阻特写，用于抑制上电浪涌电流，消除插入插座时的火花，与输入端延时保险丝串联。

第一级共模电感，使用热缩管绝缘。

X电容，来自松田电子，0.56μF。

第二级共模电感，使用扁铜带绕制。

充电器内部共使用两颗整流桥，半桥接法，分摊发热。电路板正面整流桥来自平伟，型号TMBF310，3A 1000V。

电路板背面整流桥与正面整流桥同型号，使用两颗组成全桥。

两颗薄膜滤波电容来自凯励，1μF 450V。

滤波电感特写，磁环电感，底部有绝缘支架。

PFC升压控制器来自矽力杰，型号SY5072B，运行在临界模式，采用恒定导通时间运行，内置的升压转换器采用准谐振开关以获得高效率及优化EMI性能。

PFC升压采用纳微NV6136A，这是纳微最新推出的GaNFast系列氮化镓功率芯片，内置GaNSense无损电流采样技术，支持无损电流检测输出，无需外置取样电阻，节省面积的同时还能提升转换效率。

纳微NV6136A内置170mΩ氮化镓开关管，采用QFN6*8封装，内置的驱动器支持10-30V供电，支持2MHz开关频率。同时芯片内部还集成了更高效的保护与驱动电路，具备全面的保护功能。

纳微 NV6136A 详细资料。

充电头网通过拆解了解到，纳微GaNFast功率芯片此前已被摩托罗拉68W氮化镓充电器、戴尔60W氮化镓快充、OPPO 50Ｗ饼干氮化镓快充、小米65W 1A1C氮化镓快充充电器、努比亚65W氘锋三口氮化镓快充、联想YOGA 130W双USB-C口快充、安克65W氮化镓充电器（英雄联盟版）等知名品牌的数十款产品采用。

PFC升压电感特写，顶部贴有信息标签。

PFC升压整流管来自平伟，型号PBMUR5JE，是一颗超快恢复二极管，5A 600V，具有低正向压降，高浪涌电流能力，采用PS-277B封装。

用于PFC旁路的二极管，在电源启动的时候通过这颗二极管为滤波电容充电。二极管丝印RS3MBF，3A 1000V。

与高压电解电容并联的MLCC滤波电容。

初级控制器为ON安森美 NCP1342，这是一颗高频初级PWM控制器，内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能。支持高频开关，集成度高。芯片左下是一颗热敏电阻，用于检测充电器内部温度。

高压滤波电解电容焊接在平面变压器侧面的小板上，继续拆解将变压器这部分彻底拆分。

从背面可以看出，平面变压器两端均焊接了一块PCB板，通过PCB板连接到主板上。初级小板焊接开关管和滤波电容，次级小板焊接了同步整流电路。

焊下侧面小板与变压器和电容的连接，小板右侧是一块屏蔽罩也一并拆下，内部填充导热胶。

两颗高压滤波电容来自万裕，33μF 420V，两颗并联。

清除掉导热硅胶，屏蔽罩下面是初级开关管和电流检测电阻。

反激开关管来自SemiHow半导体，型号HCFL70R360，耐压750V，导阻345mΩ，采用DFN8*8封装。SemiHow半导体超结MOS选用多层外延工艺，特别是在快充及PD应用上EMI表现优秀；内置ESD 二极管，防静电能力好。同时拥有全球优秀的晶圆生产品质管控体系支持，同苹果、高通的高端IC在同一个晶圆厂制造。

平面变压器特写，初级侧和磁芯缠绕高温胶带绝缘，PCB上印有航嘉Huntkey LOGO。

砸碎磁芯，平面变压器PCB线圈一览。

环形线圈特写。

平面变压器次级焊接的同步整流小板特写，小板上焊接同步整流控制器和同步整流管。

小板背面没有元件。

同步整流管来自威兆半导体，VSP003N08HS-G，NMOS，耐压80V，导阻2.4mΩ，采用PDFN5060X封装。

威兆半导体 VSP003N08HS-G 详细资料。

充电头网了解到，威兆的MOS产品已经进入小米、vivo、OPPO、华为、荣耀、三星、努比亚、MOTO、飞利浦、公牛等知名品牌快充供应链，并以过硬的产品品质，获得了市场的高度认可。

丝印IBHJM次级同步整流控制器，实际型号为MP6908A，来自MPS芯源半导体，最高工作频率600KHz。支持DCM、CCM、QR、ACF多种工作模式，支持高侧和低侧应用，具备振铃检测防止误开通。

多颗MLCC滤波电容，配合固态电容进行输出滤波。

输出滤波电容来自柏瑞凯，RF系列105℃5000小时长寿命固态电容，820μF 25V。

PCB正面焊接一颗华信安Y电容，采用串联双重绝缘设计，提升耐压等级。

两颗贴片Y电容来自iSND华信安，串联连接，加强耐压，提高安全等级，满足安规要求。

三颗光耦，最上面一颗用于PFC控制，其余两颗用于反馈和保护功能。在光耦两侧有两颗热敏电阻，分别用于初级和次级的过热保护。

协议芯片来自Weltrend伟诠，型号WT6633P。这是一款USB PD控制芯片，同时是少数几个获得高通QC4和QC4+测试认证的PD控制器，内建USB-PD物理层，Type-C线缆检测，内置稳压器，电压电流监控功能，负载开关控制。

输出VBUS开关管来自威兆，VS3698AE，NMOS，耐压30V，导阻3mΩ，PDFN3333封装。

威兆半导体 VS3698AE 详细资料。

USB-A母座外套白色塑料壳绝缘，正负极加宽用于大电流快充，前端带有CC触点，用于支持PD快充。

全部拆解完毕，来张全家福。

充电头网拆解总结

黑鲨120W星流GaN快充充电器采用PC材质阻燃外壳，搭配透明蓝色，加上线条勾勒，颠覆了传统的充电器外观设计，非常有特色。其搭配的蓝色数据线也是非常醒目的蓝色，辨识度高，也为平淡无奇的充电器带来了新的活力。

充电头网通过拆解发现，这款充电器内置PFC升压电路，使用矽力杰SY5072B配合纳微半导体NV6136A氮化镓功率芯片，消除大功率充电器对电网的污染。开关电源部分由安森美NCP1342和芯源MP6908A分别搭配SemiHow和威兆的MOS管组成，输出宽范围电压。输出端采用伟诠WT6633P控制输出电压，充电器支持65W PD快充全靠它。

充电器采用固定式插脚，和USB-A口一样都是靠侧面布置，很有小米的风格。充电器内部灌胶处理，整体的散热性能和机械强度大大加强。平面变压器两端焊接PCB，具备更好的散热性能和更高的空间利用率。充电器内置万裕与柏瑞凯电容，整体用料很不错。