三星西安工厂将升级生产线至286层NAND闪存，以应对中国市场需求

三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地。三星前后花了十年的时间建设，分为两期工程，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂，占据了三星约40%的NAND闪存产量。此前有报道称，三星已经决定削减西安工厂的NAND闪存产量，减少10%以上。传闻原因除了应对价格下降、保持利润率，同时还打算升级到新的工艺。

据TrendForce报道，三星计划升级西安工厂的生产线，过渡到286层第9代V-NAND闪存。这一努力旨在抵消持续市场需求下滑的影响，另外也是为了提升产品竞争力，应对来自中国厂商的竞争及市场的需求。最近有消息称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层，无论密度还是总层数，都已提高到目前业界的最高水平。

其实三星的西安工厂在2023年就进行过一次升级，从128层第6代V-NAND闪存升级到236层第8代V-NAND闪存。据了解，三星计划在2025年上半年引入所需要的设备，下半年开始建造生产线，预计初期月产能在2000至5000片晶圆之间。

此外，三星从2024年下半年开始就在其平泽P1工厂搭建新的生产线，为第10代V-NAND闪存量产做准备，预计2025年下半年投入使用。

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