国产EUV光刻机突围之路：从光源到系统集成的五年攻坚_无人机

1. 华为韬定律炸穿美国封锁，绕开光刻机，重新定义芯片规则！#ai #芯片 #华为 #半导体 #燃起来了大国重器

2. 华为韬定律刷屏全网，放出中国芯片一个重大信号！ #华为韬定律 #华为 #芯片 #摩尔定律 #大有学问

3. 韩国媒体：中国半导体设备自给率超过35%！韩国商业邮报报道：尽管美国实施了严格的出口管制，中国半导体设备的国产化率已超过35% ，标志着中国迈向技术自主化的一个转折点。这一成就提前实现了中国政府最初设定的30%的目标，体现了“制裁悖论” ：美国的制裁实际上促进了中国半导体生态系统的自主发展。从2020年开始的7%，五年提升五倍到35%。按媒体曝光，去年底已经达到50%。也就是说2026年应该在50%以上，这绝对是好消息。比预期要快。如果2027我们解决光刻机的话，大概国产率会达到90%以上，卡脖子成为历史了。

4. #微博声浪计划##听见微博# 华为半导体领域新突破！提出韬定律以时间缩微替代几何缩微，构建四层协同体系。麒麟2026芯片首商用逻辑折叠技术，晶体管密度提升53.5%。该路径绕开EUV工艺瓶颈，重塑产业竞争格局，推动国产芯片换道超车。乖乖Show的微博音频

5. 光刻胶在半导体制造里那可是相当重要，说是“命门”材料也不为过。芯片制造的光刻环节，光刻胶能把设计好的电路图案精确转移到硅片上，直接影响芯片的性能和质量。之前我国光刻胶市场大多依赖进口，一旦供应出问题，半导体产业就会面临危机。不过近年来国产光刻胶厂商不断发力，像某些企业已经在部分光刻胶产品上取得技术突破，实现量产。实现光刻胶国产化，能让我们的半导体供应链更稳定，减少外部制约，也能降低成本。未来，国产光刻胶有望撑起半导体产业发展的一片天！

6. 如何看待达摩院、北大最新Nature成果，AI绘制中国首张高精度风光分布图，这对新能源行业有何价值？

7. 5月21日科技主线深度解析：半导体为何成唯一主线？三大核心逻辑今日A股半导体硬科技成为唯一主线，科创50创历史新高，背后是三大不可替代的核心逻辑，决定其长期主导地位。1. 业绩确定性最强：半导体行业处于高景气周期，国产替代加速，AI、算力、服务器需求爆发，龙头企业订单排满、业绩持续高增，基本面硬核，无业绩暴雷风险。2. 政策扶持力度最大：国家战略级赛道，科创再贷款、半导体专项基金、国产替代政策持续落地，政策红利不断，成长确定性远超其他板块。3. 资金抱团最极致：机构、北向、融资资金、ETF资金集体涌入，科创50ETF、半导体ETF持续净流入，核心标的筹码高度集中，形成“资金涨—股价涨—资金再涨”的正循环。对比其他板块：资源有周期波动、医药有政策不确定性、题材无业绩支撑，唯有科技硬科技兼具高成长、高确定、高资金关注度，成为市场唯一主线。后续展望：科技主线将贯穿全年，短期震荡不改长期趋势，回调就是低吸龙头的良机。重点关注半导体设备、先进封装、AI芯片、存储芯片四大细分。

8. #华为半导体领域新突破#华为稻定律，让芯片性能突破了一大截。目前，我们在没有EUV光刻机的情况下，通过先进封装技术、韬定律新架构、新材料、以及N+3技术，把芯片性能已经提高到3NM。国际主流就是3NM，不过明年他们会上2NM，我们的只能说够用，差距比过去要小多了。根据媒体报道，华为到2031年左右，能把芯片性能干到1.4纳米，跟国际主流基本持平。无论到时候能走到哪一步，现在的性能跟国际最尖端差距这么小，已经为国产EUV光刻机的研发面世赢得了时间。只要我们能跟住，就有超车的可能。综合现在的信息，EUV光刻机最早也要在2028年面世，很可能要到2029年作为建国大庆的成果面世，到那时候，我们有这些年在封锁下突破的先进技术，还有EUV光刻机，不超越都难。2029，将是极其疯狂的一年，很多好东西都要献礼，想想都很爽。

9. 国产高端光刻机什么时候才能造出来？！?

10. 南大光电，登顶全国第一！2026年，半导体继续狂奔！2026年2月6日，机构宣布全球半导体行业今年将迎来1万亿美元的营收规模、打破历史记录。这种高速增长态势早就有迹可循。2025年全球头部科技公司下场AI“正面硬刚”，谷歌、微软等巨头合计斥资数千亿美元建设AI数据中心，一举带动全年芯片销售额逼近8000亿美元大关。先进计算芯片也成为其中增长最快、规模最大的芯片种类，销售额同比增长39.9%，占比近40%。种种迹象表明，半导体领域未来竞争存在以下特点：AI算力推动、先进芯片占比提升、高端化进程加速。光刻机、光刻胶等高端产品是半导体“皇冠上的明珠”，技术严苛复杂、我国长期被国外厂商“卡脖子”，这些领域也就成了我国半导体公司的“兵家必争之地”。南大光电是光刻胶的佼佼者。光刻胶曝光光源波长越短、技术难度越高。ArF光刻胶波长只有193nm，可支撑14nm、7nm等关键节点，是除了EUV光刻胶以外技术难度最高的光刻胶。据统计，目前我国ArF光刻胶整体国产化率还不足1%。而南大光电，则是我国唯一能量产ArF光刻胶的企业，含金量十足。截止2024年年底，公司三款ArF光刻胶产品已通过下游客户认证并成功销售出货。不仅如此，公司目前还拥有年产50吨的ArF光刻胶产能。南大光电有强悍的硬实力，也一直把独立自研光刻胶作为公司重要路线。不过，前不久，公司做了个看似“无关”的事情。2026年1月5日，南大光电宣布增资7760万元，将子公司“乌兰察布南大”的持股比例提升至91.05%。乌兰察布南大不是做光刻胶的，是做电子特气的。南大光电拥有三大电子特气生产基地，分别位于安徽滁州、山东淄博和内蒙古乌兰察布，此次增资的子公司就是最后者。说到底，增加子公司持股比例目的无非有二：一是收归控制权；二是方便后续指挥子公司展开业务动作。增资之前南大光电占据乌兰察布南大的绝对控制权，原因大概率就是第二条。事实也确实如此。2025年10月28日，南大光电公告称，拟将原募投的“7200吨电子级三氟化氮项目”的未使用资金全部投入“年产2000吨高纯电子级三氟化氮扩产项目”，合计金额9217.5万元。从“电子级”升级为“高纯电子级”，两字之差足以反映公司要往“高端产品”上走，此次增资子公司也是为了项目顺利进行。那么，对于南大光电，我们最关心两个问题。第一，电子特气对公司业绩有什么重要影响？来看一下公司营收结构，实际上，电子特气产品一直是公司最大营收来源，2025年上半年占比60.95%。因此提升高端电子特气产能有望较大程度增厚公司业绩。芯片制造过程有蚀刻与清洗气体环节，电子特气是必不可少的“关键材料”。未来社会对AI算力的需求最终会转化为对电子特气的海量需求。电子特气的制造难度没有光刻胶高，但目前市场竞争依旧激烈。21世纪以来，行业内海外公司通过大量兼并收购形成垄断，美国空气集团、法国液化空气、德国林德和日本大阳日酸长期占据市场，我国电子特气国产进程也刻不容缓。南大光电看准了这一关键赛道，近几年一直加速发展：电子特气业务规模从2020年的4.29亿元提升到2024年的15.06亿元，几乎与中船特气“打了平手”，产品毛利率也在35%以上，位于行业较高区间。第二，南大光电电子特气业务具备何种竞争力？高端电子材料对电子特气的纯度、稳定性要求极高，一丝杂质就可能导致芯片报废。而南大光电的产品主要集中于磷烷、砷烷系列，开发难度和技术含金量最高。子公司乌兰察布南大所专研的三氟化氮的下游应用极广，占总市场规模约20%。电子特气分为氟类特气、氢类特气。近期市场上氟类特气竞争激烈、价格有所下降，导致公司该业务毛利率有所下滑。不过南大光电把氢类特气的竞争优势放大，弥补差距：2025年上半年，公司氢类特气中的ARC、三氟化硼等新产品抓住IC端需求机遇，收入同比增长超60%。从产能供应端也能看出公司产品竞争力强、不愁销路。2025年上半年，特气类产品产能利用率高达102.37%。此次公司将视线投向“高纯电子级电子特气”，力图打造品质更高的5.5N级产线，进一步提升市场竞争力。那南大光电投资电子特气，能否与光刻胶形成互补呢？实际上，公司的三大业务都位于晶圆制造环节，而且高度同源。在高端半导体领域，华特气体、彤程新材、上海新阳等公司在各自细分赛道做的不错，而南大光电是国内唯一能三大赛道全覆盖的企业。AI算力建设需求猛增，AI芯片对制程和制造材料的要求更加严格，南大光电扩产的5.5N级高纯三氟化氮和已经量产的ArF光刻胶，均是算力建设的必备耗材。目前公司光刻胶产品还未带来大规模业绩增量，营收占比很小，且光刻胶新品验证周期一般在6-24个月，时间较长。市场竞争不等人，在AI算力攻关之际，南大光电集中力量发展已有规模的电子特气业务，不失为稳妥的选择。业绩稳步提升，也给公司破局高端半导体领域带来稳稳的底气。2025年前三季度，南大光电营收和净利润均同比提升，而且净利润同比增速13.24%，显著高于6.83%的营收增速。总的来说，南大光电步步为营，核心业务具备先发优势。未来公司若能继续扩大电子特气业务优势，也有望慢慢沉淀实力，为进一步攻克光刻胶添砖加瓦。

11. 国产光刻机大消息？海外“极限施压”！

12. 韬定律+两长上市，利好谁？ #看懂中国 #零距离看懂财经 #燃起来了大国重器 #芯片 #半导体

13. #华为韬定律# 西方想卡住华为的脖子，结果却帮它打通了任督二脉。当年多少人都觉得华为完了，结果华为反手就拿出一套让EUV显得过时的全新路径。简单说，当西方还在EUV光刻机上拼命缩小晶体管时，华为另辟蹊径，通过三维垂直集成优化信号延迟（tau），在同样面积下实现性能跃升。制裁切断了先进光刻机，却逼出了真正的架构创新。这就是杀不死你的，终会让你更加强大！

14. 日本光刻机巨头，崩了！

15. 根据探到消息，咱家今后量产的机器并未使用清华大学研发SSMB技术，而是死磕阿斯麦采用嗯的LPP技术。 SSMB采用粒子加速器产生近光速电子束技术，通过周期性磁场使其“转向减速”辐射出高功率、窄带宽的极紫外光。 LPP则是利用高功率的二氧化碳激光脉冲，连续、精确地轰击（每秒数万次）微小的液态锡滴，将其激发成高温等离子体，从而发出波长为13.5纳米的极紫外光。为什么选择LPP，而不是SSMB？因为SSMB光源系统非常庞大，长达百米。无法解决小型化问题，就无法将设备产业化，自家用还行。但咱家的战略就是要将设备产业化、白菜价，进而提升对咱的依赖程度和话语权！

16. #微博声浪计划##听见微博# 华为发表半导体演进新路径，提出“韬定律”，从几何缩微转向时间缩微，通过逻辑折叠技术缩短信号路径。已量产381款芯片，麒麟2026将商用该技术，2031年高端芯片等效密度达1.4纳米水平，不依赖EUV光刻机，为产业破局提供方向。科技怪咖的微博音频

17. 关键核心技术攻关为何要采取超常规措施

18. #微博声浪计划##听见微博# 华为副董事长徐直军公开表示“感谢美国制裁”，这是对中国半导体产业在封锁下实现全链条自主的清醒复盘。外部极限施压击碎“造不如买”幻想，推动产业链协同成长。华为通过“韬定律”和“逻辑折叠”架构，在不依赖EUV光刻机的情况下实现性能飞跃，已量产381款芯片，所有产品能在中国大陆完成设计、制造并规模供应。乖乖Show的微博音频

19. #华为押注新工艺追赶台积电#华为这波玩得狠：不用EUV光刻机，靠“逻辑折叠”技术硬扛，今年秋季新麒麟就上，目标2031年性能等效1.4nm。如果真跑通，ASML的护城河就没那么稳了。等于换条赛道跟台积电赛跑，还给国产EUV争取了时间。不服不行。

20. 中国对EUV光刻机布局早于西方预期，光刻机的进展可能超乎预期

21. 真相大白！中芯国际二季度业绩，到底受不受光刻胶断供影响？最近全网都在传"中芯国际光刻胶断供，二季度要暴雷"，很多人吓得连夜清仓。今天我就用最真实的数据，给大家说清楚这件事的来龙去脉。首先明确结论：日本高端光刻胶确实已实质断供，但对中芯国际二季度业绩影响微乎其微。为什么这么说？第一，断供的只是14-28nm的ArF光刻胶，而这部分只占中芯国际总营收的15%左右。公司85%的营收来自90nm以上的成熟制程，G/I线光刻胶早已实现国产替代，供应完全稳定。第二，中芯国际早有准备。截至一季度末，公司ArF光刻胶库存仍能维持到6月底，足够支撑二季度全部生产计划。更关键的是，国产替代正在加速：鼎龙股份300吨ArF产线3月已投产，中芯国际28nm产线使用国产胶的良率已从78%提升至83%，成本还降低了18%。第三，二季度业绩最大的压力其实不是光刻胶，而是折旧高峰。2026年公司总折旧同比增加三成，这才是压制毛利率的核心因素。目前公司产能利用率仍维持在95%以上，在手订单排到2027年，二季度营收环比增长1%-3%是大概率事件。说到底，光刻胶断供是长期挑战，但不是短期危机。它只会倒逼国产替代加速，让中芯国际的护城河越来越深。你觉得国产光刻胶今年能实现28nm全面替代吗？评论区聊聊！

22. 芯片、半导体ETF霸屏涨幅榜，有人拿筹码有人结账

23. 彭博社：华为押注新工艺追赶台积电，ASML的光刻机护城河会松动吗？这绝对是毫无疑问的，今年秋季，华为将发布新的麒麟手机芯片，完整采用逻辑折叠技术，大幅提升相关性能。2031 目标：高端芯片晶体管密度等效 1.4 nm 制程（不依赖先进光刻）。也就是说，华为可以到2031年都不需要EUV光刻机，而这个时间足够中国产业链突破EUV技术商业应用了。前HR本人的微博视频

24. #华为押注新工艺追赶台积电# 光刻机的护城河会松动这是毫无疑问的，华为在芯片制造领域的追赶策略正在进入关键阶段，2031 目标是高端芯片晶体管密度等效 1.4 nm 制程（不依赖先进光刻），也就是说，华为可以到2031年都不需要EUV光刻机了，而这个时间足够中国产业链突破EUV技术商业应用了#华为新技术逻辑折叠非3D堆叠#

25. 华为+DeepSeek，掀了国际AI的桌子。中国AI的换道超车底气：算力神话破灭——“内存墙”吃掉芯片63%成本DeepSeek不是烧钱——技术代差降本，别人学不来华为重构棋盘——“韬定律”换道超车，不靠EUV国产AI的逆袭，这次够不够解气？#AI创造营##一分钟视频扶持计划##AI芯片# 种斌Marco的微博视频

26. 国产光刻机什么时候能够达到荷兰asml的水平？

27. #中国EUV光刻自主研发获重大进展# 深圳团队已于年初搞出原型机。之前的消息是2025Q4试生产、2026量产，但没有想象的简单，测试时才发现很多地方还需努力，最新量产时间预计在2028—2030年！这与我获得的高端光刻胶等一系列原料的量产时间基本一致！

28. #一条音频告别2025##微博声浪计划# 北京大学孙仲教授团队研发的新型芯片，采用阻变存储器技术，在28纳米工艺实现24位高精度计算，绕开EUV光刻机限制。该芯片适配6G、AI大模型等场景，虽处实验室阶段，但为国内芯片产业突破卡脖子问题提供新路径，未来两年将重点提升阵列规模。数码小哥哥的微博音频

29. 000636，5天3板！半导体，突然拉升!

30. 传统摩尔定律依赖不断缩小晶体管几何尺寸，而7nm以下制程必须使用ASML的EUV光刻机，这一设备目前被全面禁运"时间缩微"从信号时序、时钟同步、传输效率等时间维度提升芯片性能和等效密度，无需单纯依赖晶体管物理尺寸的缩小。国产算力#华为半导体领域新突破#

31. 光刻机主导的时代，或将迎来落幕华为今日官宣全新韬定律演进体系，这项颠覆性突破，直接打破沿用多年的摩尔定律固有框架。过往评判芯片性能高低，核心都绑定光刻机工艺，制程纳米数值成为硬性门槛，没有高端EUV光刻机，就难以造出顶尖芯片。如今格局彻底改写，依托全新技术逻辑，无需依赖EUV光刻机，仅凭成熟制程工艺，就能打造出性能跻身全球顶尖水准的芯片。这一突破一举冲破光刻机技术封锁的困局，彻底拓宽国内半导体产业的发展边界，不再被外部技术枷锁束缚。这也是今日半导体板块行情强势走高的核心原因，国产芯片行业，正式迈入全新发展阶段。

32. #一条音频告别2025##微博声浪计划# 北大孙仲教授团队研制的新型芯片采用阻变存储器技术，在28纳米工艺实现高精度模拟计算，无需EUV光刻机。该芯片可应用于6G通信、AI大模型训练等场景，为中国新型芯片绕开光刻机限制提供新路径。科技小泷的微博音频

33. 北美技术论坛上，台积电又发布了A13、A12两代工艺，都是在2029年问世，属于A14节点的增强版。更重要的是，台积电这次还正式对下一代EUV光刻机的愿景做了回应，CEO魏哲家表示不会购买High NA EUV光刻机。这一句话让唯一能生产EUV光刻机的ASML公司股价暴跌5.5个点，该公司市值超过4600亿美元，一年来股价翻倍，今年以来也涨了30%多。台积电不买的直接原因是太贵，High NA EUV光刻机的售价达到了3.5亿欧元，差不多就是4亿美元，比当前的EUV光刻机价格贵了一倍左右。CEO张忠谋的评价是High NA EUV光刻机非常非常贵（very, very expensive）。

34. 中国别高兴太早 ASML从制出EUV原型到真正商用化，足足熬了18年。他们太想当然了，总是低估中国。EUV光刻机一开始是要摸索，可是现在属于路子已经通了，只是把我们相关关键技术突破就成了，没有啥秘密。现在我们已经突破很多东西，这个也一定可以突破。前HR本人的微博视频

35. SemiAnalysis的观点还是很客观的。我认为1.5um pitch的Hybrid Banding只是第一代，未来几年会到百nm级别。EUV的封锁已经不能影响未来5年的国产演进了。引用SemiAnalysis的话：需求是创新之母。

36. 午后异动！603324，5分钟垂直涨停！光刻机概念，放量上攻！

37. #半导体韬定律#没什么可质疑的，肯定是成了，华为这么大张旗鼓搞发布会，官媒都在背书传播扩散。从图上看2026年相对于2025年，晶体管密度是50%以上的增长，说明技术上有大迭代了…当然这种路线无论有没有缺点都得进行下去，euv肯定也在同步搞，如果后面euv突破，加上立体堆叠工艺，那就更牛了。

38. #微博声浪计划##听见微博# 中国芯片走出不同于西方的路：华为“韬定律”用逻辑折叠技术绕开EUV限制，成熟制程实现高端性能；产业链协同下，存储、AI芯片自给率提升，RISC-V打破架构垄断；虽存散热、材料等瓶颈，但自主创新已获国际认可，正构建完整产业生态。#华为韬定律是什么##专家谈华为韬定律影响# 牛丸科技的微博音频

39. #中国科技进步路透社本不必焦虑# 路透社一篇关于中国成功研制极紫外（EUV）光刻机原型机的报道，被外媒冠以“曼哈顿计划”的标签。要知道这可是当年美国卡我们脖子的一个重要技术设备，目前全球也只有荷兰的阿斯麦能够制造，还是联合多国的顶尖技术和人才共同研发。中国一旦突破这个光刻机的壁垒，老美的技术封锁将彻底无效，中国科技也会迎来新一轮腾飞。虽然路路透社的报道没有官方依据，可个人还是相信我们国家的实力，西方国家的技术围堵正是倒逼我们技术进步的动力。

40. 日本光刻胶垄断该怎么破?

41. 华为这波直接改写半导体游戏规则了！ISCAS 2026公开LogicFolding逻辑折叠黑科技，不靠EUV、不硬卷极致制程，靠垂直立体堆叠，2027年NPU性能暴涨213%、能效直接翻倍。原来追赶台积电根本不是只有一条路，平面走不通，就直接把芯片折起来往上卷，国产芯片这次真的杀疯了

42. 有没有法绕过光刻机，弯道超车？

43. 【台积电亮出新一代芯片技术拟绕开ASML天价设备】据媒体报道，台积电周三公布了其最新一代芯片制造技术，并透露，即便不使用阿斯麦昂贵的新一代光刻设备，也能制造出更小、更快的芯片。此次公布了两项技术改进：一项名为“A13”，计划于2029年投入量产，有望应用于人工智能芯片。另一项名为“N2U”，是一种更具成本效益的方案，适用于手机、笔记本电脑及AI芯片等产品。台积电计划继续挖掘荷兰供应商阿斯麦现有极紫外光刻机（EUV）的潜力，而非转向更新一代的高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）。后者每台售价高达4亿美元，约为此前机型成本的两倍。台积电首席运营官兼高级副总经理Kevin Zhang表示：“我认为，我们的研发部门在利用现有EUV技术方面表现非常出色，同时设定了积极的技术微缩路线图。这绝对是我们的一大优势。”

44. 这种技术路线是不是在给中国的EUV争取时间，如果中国在EUV设备能力上取得突破之后，会不会产生1+1>2的弯道赶超，而受制于现有EDA生态，TSMC反而不能这么激进？是的，**τ定律/LogicFolding 这类路线，最现实的战略意义就是“给中国 EUV 和先进制造争取时间”**。但后半句要更谨慎：**如果中国 EUV 真突破，确实可能出现“工艺缩微 × τ缩微”的乘法效应；但这更可能带来局部赶超或缩短代差，而不是自动形成全面弯道超车。**至于“TSMC 会不会因现有 EDA 生态反而不能这么激进”，我的判断是：**台积电不是不能激进，而是商业模式决定它不能像华为那样把整条产品线押在一个高度耦合、强封闭、强垂直整合的路线里。**## 1. τ路线确实是在给 EUV 争取时间华为官方对 τ定律的定义非常清楚：用 time scaling 替代单纯 geometric scaling，核心目标是压缩信号传播延迟，并在器件、电路、芯片、系统层面做协同优化；LogicFolding 的作用是缩短关键路径布线、降低 RC 负载、提升密度和性能。华为还称过去六年已基于 τ路线设计并量产 381 款芯片，2026 年秋季麒麟将首次采用 LogicFolding，2031 年目标达到等效 1.4nm 晶体管密度。([华为])这套话翻译成产业语言就是：> 在 EUV、先进制程、良率、材料、设备还没追上之前，先用系统工程把 7nm/5nm 级制造能力的上限抬高。它不是替代 EUV，而是**在 EUV 缺位时减少代差带来的损失**。这点和过去中国半导体常见的“DUV 多重曝光硬冲先进节点”不同。DUV 多重曝光更多是制造侧硬扛；τ路线更像是设计、互联、封装、系统软件一起补偿制造短板。Reuters 也把它描述为华为在美国限制先进设备背景下，通过提升系统效率、改善数据移动、降低延迟来弥补制造差距的路线。([Reuters])## 2. 如果中国 EUV 突破，确实会有“1+1>2”的可能原因是 τ路线和 EUV 不是互斥关系。一个解决“晶体管和互连能做多细”，一个解决“信号和数据能不能少走弯路、少等待”。如果未来中国具备可靠 EUV，组合会是：**EUV 提供更小节点、更高原始晶体管密度、更低基础功耗；τ/LogicFolding 提供更短关键路径、更低片上通信延迟、更高系统级吞吐；先进封装/Chiplet/高带宽互联提供更大的系统规模；编译器和算子库提供负载级优化。**这时确实可能出现乘法效应：**原来 τ路线是在“落后制程上补课”；有了 EUV 后，它就可能变成“先进制程上的额外杠杆”。**这也是这件事最值得重视的地方。不是说华为今天就靠 τ定律追上台积电，而是说它可能在被卡脖子的几年里，被迫训练出一套“极端系统优化能力”。一旦制造短板松动，这套能力就会从防守工具变成进攻工具。## 3. 但中国 EUV 的“突破”不能只看有没有样机这里要泼一盆冷水。EUV 不是一台机器做出来就算突破，它至少有五层：第一，光源功率和稳定性；第二，反射镜、掩膜、光刻胶、污染控制；第三，overlay、CD uniformity、缺陷率；第四，产能，也就是 wafers per hour；第五，和整条 fab 的量产良率整合。现在关于中国 EUV/LDP 路线有不少报道，但公开可靠信息仍然不足。Digitimes 曾报道中国方面推进 LDP EUV，并提到 2025 年试产、2026 年推出的说法；但这类信息距离“可与 ASML 高 NA/EUV 生态竞争的高良率量产工具”还有很长链条。([DIGITIMES Asia]) SCMP 也把 SMEE 的 EUV 相关专利称为进展，同时明确指出国内光刻机仍是中国半导体短板，SMEE 在 28nm 及以下可靠量产设备上仍落后于 ASML。([南华早报])所以更准确的判断是：**EUV 如果只是“实验室可曝光”，不会立刻带来 1+1>2；EUV 如果做到“稳定、可维护、可量产、良率可控、成本可接受”，才会和 τ路线形成真正乘法效应。**## 4. TSMC 不是不能做 τ，而是不需要用“τ定律”包装台积电其实一直在做类似事情，只是它的表达方式不同。台积电 A16 就把 nanosheet 晶体管和 Super Power Rail 背面供电结合，目标是提升逻辑密度和性能；台积电官网还显示 N2 已在 2025 年第四季度按计划量产，A14、A16、N2 都在同一条先进逻辑路线里。([台积电])这说明台积电的打法是：> 几何缩微 + 新器件结构 + 背面供电 + DTCO + 先进封装 + EDA/IP 生态。华为的打法是：> 在制造受限条件下，把“时间缩微/系统协同”放大成主叙事。两边不是谁懂谁不懂，而是**约束条件不同**。台积电客户包括 Apple、Nvidia、AMD、Qualcomm、Broadcom 等，必须提供通用、稳定、可验证、跨客户复用的工艺平台。它不能为某一家客户做过度垂直耦合的激进体系，否则会破坏 foundry 模式的可服务性。## 5. 现有 EDA 生态会约束 TSMC，但也保护 TSMC你说的“受制于现有 EDA 生态”是有道理的，但要分两面看。**约束的一面：**台积电必须让 Synopsys、Cadence、Siemens EDA、ARM IP、第三方 SerDes、HBM 控制器、封装基板、验证工具链一起工作。它的每一代工艺都要考虑客户设计迁移、IP 复用、良率学习、design rule 稳定性。因此，它不适合推出一种极端架构，让客户的 RTL、物理设计、时序收敛、验证方法、软件栈全部大改。**保护的一面：**正因为有这个生态，台积电可以把先进节点迅速变成可销售的产能。A16、N2、CoWoS、SoIC 不是单点技术，而是一套客户可以下单、EDA 可以支持、IP 可以复用、量产可以爬坡的商业系统。台积电官网也把 EDA Alliance、IP Alliance、Design Center Alliance、Cloud Alliance、3DFabric Alliance 放在 Open Innovation Platform 体系下，这本质就是它的护城河。([台积电])所以 TSMC 不是“被 EDA 拖住”，而是**被全球客户的可制造性、可验证性、可迁移性要求约束**。这会降低激进程度，但也降低失败概率。## 6. 华为反而更适合激进，因为它是垂直整合闭环华为可以激进，是因为它有几个特殊条件：它自己定义芯片；自己有手机、基站、服务器、AI 集群等应用场景；自己能控制编译器、框架、通信协议、系统软件；自己有强烈国产替代需求；客户对“全球最优生态”的要求低于对“可用、自主、不断供”的要求。因此，华为可以做台积电不方便做的事情：**把芯片架构、封装、互联协议、软件栈和应用负载一起重构。**这就是为什么 τ路线对华为有战略意义。它不是单纯芯片设计技巧，而是“垂直整合公司在极端外部约束下形成的系统工程路线”。## 7. 但“1+1>2”也有反噬风险越激进的协同，越可能带来三个副作用。第一，**通用性下降。**如果 LogicFolding 或 τ优化高度依赖华为自家负载、编译器和系统协议，那么它在华为生态内很强，但外部客户迁移成本高。第二，**热密度上升。**缩短信号路径、提高密度，可能让局部热点更难处理。WSJ 对华为这一路线的报道也提到，堆叠电路层、降低传输时间的方案可能面对过热和更复杂编码/软件要求。([华尔街日报])第三，**验证复杂度爆炸。**传统 EDA 的巨大价值不是“画电路”，而是保证时序、功耗、噪声、可靠性、可测试性、良率模型都能闭合。τ路线越跨层，验证空间越大。华为可以在自家产品内承担这个复杂度，但要形成开放产业标准就难得多。## 8. 我的最终判断**第一，τ路线确实是在给中国 EUV 争取时间。**它让中国在先进制造落后时，仍能通过设计、封装、互联、系统软件把产品做得“够用甚至局部优秀”。**第二，如果中国 EUV 量产突破，τ路线会产生乘法效应。**这不是幻想。因为制程缩微和时间缩微本来就可以叠加。真正的问题是 EUV 的突破是否达到高良率、低成本、可维护、大产能，而不只是样机或试产。**第三，台积电不会因为 EDA 生态而“不能激进”，但它确实不能像华为这样垂直押注。**台积电的使命是服务全球客户，所以它的创新必须平台化、标准化、可迁移。华为的使命是在封锁下活下来并建立自主闭环，所以它可以更激进、更封闭、更负载定制化。**第四，真正可能出现的不是“华为全面弯道超越台积电”，而是“中国半导体在某些场景形成非对称优势”。**比如 AI 推理集群、运营商设备、政企云、国产手机 SoC、特定安全可控市场。但在 Apple/Nvidia/AMD 这种全球最高端、最高良率、最高生态复杂度的市场，台积电短中期仍然占优。一句话概括：**τ定律像是在没有 EUV 时练出来的“轻功”；如果中国后来补上 EUV 这条“内功”，确实可能变成组合拳。但台积电不是不会轻功，它只是不能为了轻功把整个武林生态改成华为式闭门体系。**

45. 竟然连瓶子都卡脖子，日本连光刻胶瓶子都不卖，中国迅速自研成功

46. 按照一些喷华为韬定律的人的话术，对照台积电路线图，也是可以找角度的，调侃一下：台积电随便买EUV，但一样会嫌high-NA EUV太贵，太贵，不愿意引入新设备。也就是说，路线图出现的埃米级的芯片，都用的0.33NA EUV按他们的质疑的话术我学一下：“人家都用新机器了，你还在用老机器；人家都用high-NA EUV了，你还在用0.33 NA EUV，你能确保0.33做出来1.6~1.2nm，它不漏电吗？啊？！”

47. 手机行业的国产化率还在往上走，不仅国产旗舰的屏幕已经全面国产化，摆脱了三星十几年的统治在相机 CMOS 传感器上，也正在大踏步的“国产高端化”，从豪威到思特威......正在摆脱索尼 CMOS 的统治旗舰手机用旗舰国产零件等国产 EUV 大规模商用，手机 soc 处理器也会全面国产化

48. 今天下午的大新闻是：国产光刻机中标，上海微电子（SMEE）的SSC800/10型步进扫描式光刻机斩获订单，单价1.1亿元。🔻这次中标的光刻机核心参数没有披露。不过有研究分析说，SSC800型光刻机可以通过多重曝光生产28纳米芯片。🔻ASML的同类型光刻机虽然说已经非常成熟了，但是售价很高。国产光刻机单价1亿人民币，ASML的同类型单价1亿美元。🔻SSC800是干式DUV，还不是浸没式的。如果SMEE能生产浸没式的，那么就能用国产光刻机做到7nm的芯片了。期待这一天快点到来。

49. #中国新型芯片绕开光刻机限制# 终于不用被光刻机卡脖子了！北大团队另辟蹊径，研发的新型芯片用阻变存储器技术，直接通过物理定律运算，绕开光刻环节。28纳米工艺就能量产，精度还达到24位，能适配各种前沿场景，半导体产业这下有新出路了～#芯片##AI芯片#

50. 鼎龙股份的两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，今后可年产KrF/ArF高端光刻胶330吨！公司潜江一期30吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力；二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线建设收尾、设备调试顺利。据报道，该公司ArF高端光刻胶可用于7颗米制程晶圆，EUV光刻胶已获得上面重大专项立项！同样突破ArF光刻胶技术的南大光电，也承接了国家“02-专项”，年产量达50吨左右，也是突破了7颗米节点认证。根据去年SEMI (国际半导体产业协会) 官方报告数据显示，国内ArF光刻胶需求约为80吨左右，全世界需求约300吨左右。鼎龙股份股份二期投产后，可满足全球14颗米以上制程晶圆制造对光刻胶的需求！然而，我们现在缺的是5颗米以下的高端光刻胶，加上近期日本“卡脖子”，这就是为啥近期国产旗舰手机SOC中7颗米的能敞开卖，而5颗米的非常缺的一个原因之一！

51. 被忽视的“卡脖子”战场：这10家材料龙头，才是国产芯片的真正底气在芯片制造的千亿级竞赛中，光刻机的光芒太过耀眼，以至于很多人忽略了一个残酷事实：材料，才是决定芯片能否落地的最后一道防线。一台光刻机可反复使用，而光刻胶、硅片、靶材等耗材，却是芯片制造的“血液”，每一片晶圆生产都离不开它们。当海外限制利刃从设备转向材料，这10家手握行业稀缺唯一性的国产龙头，正成为破局关键。半导体材料国产化率：冰冷的差距数据揭示严峻现状：半导体材料整体国产化率仅15%左右，高端领域普遍低于20%；12英寸大硅片国产化率约10%，ArF高端光刻胶不足10%。正是在此背景下，一批企业啃下“硬骨头”，构筑独家供应壁垒：• 沪硅产业（688126）：国内唯一规模化量产12英寸大硅片龙头，2025年300mm硅片销量同比增27.01%，打破海外垄断，稳定供货中芯国际等头部晶圆厂。• 南大光电（300346）：国内唯一量产ArF高端光刻胶企业，通过大厂认证后产能持续落地，让国产芯片用上自主“底片”，同时布局电子特气，双赛道突破“卡脖子”。全产业链“填空式补位”：10大龙头构筑安全底线国产半导体材料的突破，早已不是单点突围，而是全链条闭环布局，每一家都手握“不可替代”的核心优势：1. 云南锗业（002428）：拿下磷化铟国内唯一量产资质，绑定华为等头部客户，订单排至2027年，补齐光通信、AI光芯片关键材料短板。2. 有研新材（600206）：钴靶材独家量产，撑起国产靶材半壁江山，覆盖铜、铝、钛等全品类高纯靶材，深度供货国内晶圆厂。3. 神工股份（688233）：刻蚀用大尺寸单晶硅独家核心供应商，为先进制程刻蚀环节提供关键支撑，打破海外寡头垄断。4. 石英股份（603688）：高纯石英砂绝对龙头，垄断半导体级高纯石英材料供应，解决芯片制造“基础材料焦虑”，产品覆盖全球头部晶圆厂。5. 菲利华（300395）：高端石英玻璃材料龙头，半导体用石英坩埚、石英环核心供应商，与石英股份形成互补，筑牢高纯石英材料国产化壁垒。6. 中钨高新（000657）：半导体切割刀具独家垄断，提供“手术刀级”晶圆加工保障，覆盖碳化硅、氮化镓等先进半导体切割需求。7. 江丰电子（300666）：唯一切入台积电供应链的国产靶材，超高纯溅射靶材打破海外垄断，覆盖3/5/7nm先进制程，全球竞争力突出。8. 上海新阳（300236）：铜制程电镀清洗材料全流程唯一覆盖，解决芯片后端制程关键材料痛点，产品批量供货中芯国际、长电科技等。9. 安集科技（688019）：CMP抛光液绝对龙头，国内市占率超70%，覆盖28nm-7nm先进制程，打破海外垄断，深度绑定头部晶圆厂。10. 鼎龙股份（300054）：平台型材料龙头，CMP抛光垫国内唯一量产，同时布局光刻胶、封装材料，全产业链覆盖，国产化替代核心中军。政策东风+技术壁垒：龙头成长加速这些企业的价值，绝非简单“替代进口”，而是用唯一性撑起国产半导体安全底线。随着工信部《半导体材料产业高质量发展行动方案》推进，2026年电子特气国产化率目标超40%，政策东风为龙头发展按下加速键。但需清醒认识：部分领域突破仍停留在“能用”阶段，距离“好用、耐用”有差距。半导体材料研发周期长达数年、认证门槛极高，从实验室到产线步步维艰。投资启示：聚焦“量产+认证”核心龙头对投资者而言，与其追逐短期热度，不如聚焦已实现量产、通过大厂认证的龙头。在这场关乎产业安全的竞赛中，唯有真正掌握核心技术、构筑唯一性壁垒的企业，才能穿越周期，成为国产半导体的“压舱石”。

52. 华为发表的「韬(τ)定律」是什么？没有先进光刻机也能造出高端芯片？

53. “从2018年至2024年，ASML的EUV光刻机拥有100%的市场占有率。在100%市场占有率的情况下，ASML每年卖出的EUV数量有限。2018年至2019年，总共卖出了44台、2020年卖了32台、2021年卖了42台、2022年卖了50多台、2023年卖了53台、2024年卖了44台，全球市场每年加在一起的EUV数量也没有超过60台。”大王点评：他这个观点跟我一直以来的观点一致，中国其实本来是没有意愿进入光刻机产业的，（否则西安理工大学早就是985而不是双非了），光刻机的市场太小了，当初阿斯麦也是靠intel与台积电三星这些大客户救济才挺过来的。北约这是逼着中国去搞光刻机，说句实话就是，中国的先进光刻机成功之日，就是阿斯麦倒闭的计数开始之时，市场太小了，容不下那么多企业，中国企业的人才与规模优势太显著，作为光刻机产业链上的关键企业，卡尔蔡司也要提前考虑自己的命运了。。其实中国的产业政策，长期以来是按照林毅夫教授提倡的“比较优势战略”来演进的，确实靠这个战略实现了很高效的发展，如今被逼着按照赶超战略与竞争优势战略去搞一些零和博弈或者单赢博弈，总使我想起来二战史上一句名言，这个送给特朗普等人，“玩弄慕尼黑阴谋的张伯伦，最终还是搬起石头砸了自己的脚”……

54. 美国先突破稀土全自主供应，还是中国先突破EUV光刻机全自主制造？

55. 都2026年了，为什么ASML还在研究“上一代”DUV？【硅谷101】

56. #华为押注新工艺追赶台积电# 从麒麟芯片回归到昇腾AI算力突破，华为正在通过技术创新填补供应链的缺口。新技术的核心在于绕开EUV光刻机的限制，这条路虽然成本更高、挑战更大，但在制裁背景下却是我们不得不走的路。虽然台积电的技术护城河很深，华为想追赶上不是一朝一夕的事，但国产半导体产业链正在飞速发展，从材料、设备到封装测试的协同突破，给中国芯片制造创造了无限可能，华为未来可期！#华为新技术逻辑折叠非3D堆叠#

57. 【上海攻克芯片核心材料高端光刻胶制备难题无惧日企断供了！】，国产高端芯片制造产业链的自主化进程又往前迈进了关键一步，上海AI实验室牵头的联合攻关团队，成功攻克了芯片核心材料光刻胶的稳定制备难题。上海人工智能实验室通过官方公众号发布相关进展，光刻胶作为芯片制造环节不可或缺的核心材料之一，其成品的纯度、均匀度指标直接决定了芯片的最终性能和量产良率，过去很长一段时间都是国内半导体产业链遭遇卡脖子的核心难点领域。这次突破依托2030新一代人工智能国家科技重大专项的总体部署落地。上海人工智能实验室联合厦门大学、苏州国家实验室等多家合作单位，基于书生科学大模型与书生科学发现平台，构建起AI决策加自动化合成的全闭环研发体系，最终实现了高纯度、高一致性、高效率的KrF光刻胶树脂完全自主创制。这项核心技术突破，彻底摆脱了此前高端光刻胶树脂的稳定制备长期依赖极少数海外供应商黑箱技术的被动局面，为全球芯片材料领域探索出了一条可标准化落地、支持技术快速迭代的全新研发路径。目前这套自主搭建的研发平台，已经支撑完成了多批次的自动化合成与性能验证，不同批次产出的光刻胶树脂产品一致性得到了前所未有的显著提升。厦门恒坤新材料科技股份有限公司依托自身多年积累的光刻胶配方开发经验，顺利完成了自研树脂和终端应用配方的适配工作，所有产业端关键指标均达到预设预期，后续相关产品将正式进入下游芯片制造客户端的实际验证阶段。

58. 上海微电子中标1.09亿元步进扫描式光刻机政府采购项目！这次中标的是SSC800/10，是基于ArF浸没式技术（与SSA800/10i为同一系列型号），单次曝光可支持28纳米制程节点，结合多重曝光技术可延伸至7纳米及以上制程。其核心精度达到国际主流水平，如投影物镜镜头组畸变率控制在2纳米以内，工件台定位精度达0.3纳米分辨率，国产化率超过70%，关键部件如光源系统、光学镜头和双工件台已实现自主可控。

59. #中国新型芯片绕开光刻机限制#这是个标题党，看看就行。其一，依然需要28纳米成熟光刻机，并不是完全绕开；其二，能在28纳米光刻机上量产，目前依然是理论阶段，这项成果10月发表在《自然》杂志上，连实验验证都还没有，距离量产还有很大差距！

60. 相信会有更多的资金来支持半导体设备行业了，半导体设备应该努力突破了，关键是自己要用啊，只有应用才能突破，自己都不用怎么可能发展呢？芯片设计出来不是问题，关键是解决制造问题，提高良率。半导体公司应该快发展、大发展，多卖设备，技术突破！

61. 【上海微电子中标1.1亿元光刻机项目】据中国政府采购网公示，上海微电子装备（集团）股份有限公司中标zycgr22011903采购步进扫描式光刻机项目，设备数量为一台，成交金额1.1亿元。公告显示，中标供应商名称为上海微电子装备（集团）股份有限公司，供应商地址为上海市张江高科技园区张东路1525号。中标货物名称为步进扫描式光刻机，货物型号为SSC800/10。张江高科直线拉升，截至发稿，涨超7.8%，最新股价报43.7元/股。

62. 华为半导体韬（τ）定律深度解读：逻辑折叠与时间缩微。其核心在于不依赖EUV光刻机，通过三维堆叠与垂直互连实现芯片集成度翻倍。这标志着国产半导体从追赶先进制程转向另辟蹊径，目标直指2031年实现等效1.4nm性能。这不是简单的物理堆叠，而是系统级工程的全面跨越。 #华为芯片 #半导体# #韬定律 ##国产替代#

63. 为何小米3纳米还不如华为5纳米引人关注？

64. 路透社称中国造出 EUV 原型机，对全球半导体供应链将产生哪些影响？

65. #中国EUV光刻自主研发获重大进展# 这事儿要是跟#本田中国工厂将停产##本田因半导体短缺在华工厂将停产# 这两个话题结合起来看，是不是就可以解读出更多有意思的结论来？话说，现在华为和小米的芯片可以用做车用吗？他们两家科技巨头的芯片这块的进展到底如何了？驭电客看车#大v聊车#

66. 国产EUV光刻机何时能进行商用？

67. 西方封锁，中国光刻机技术突围，没有EUV也能造7nm，揭秘中国芯片

68. ASML垄断神话破灭？中国EUV原型机2028量产，全球芯片版图巨变！

69. 一天三炸

70. 外媒重磅爆料！称中国自研EUV光刻机已于年初完工

71. EUV光刻机的13.5nm光源是如何实现的，中国光刻机的追赶现状

72. 中国未来能不能造出EUV？

73. 如果没有EUV，中国拿什么去追台积电？

74. 中科院研究员

75. 中国EUV光刻机技术突破与战略意义解析

76. 荷兰半导体专家指出，中国完全具备复制ASML光刻机的技术能力，但其战略选择是走自主开发路径，而非亦步亦趋地模仿现有方案

77. 中国极紫外光刻机（EUV）突围之路

78. 美国死守EUV封锁中国跳出传统物理路径，8nm架构重构全球芯片规则

79. 荷兰打了一手烂牌！光刻机出口管制升级，外媒

80. 中国如何突破EUV光刻机技术封锁

81. 如何看待光刻机技术的未来发展趋势

82. 我们距离高端EUV光刻机，到底还有多远？

83. 一天吃透产业链

84. 半导体③

85. 央视首次曝光

86. 我哈威武，哈工大官宣搞定13.5nm极紫外光源，EUV光刻机迎来曙光

87. 浙江大学发布三大光学神器为光刻机装上慧眼和巧手

88. 中国国产EUV光刻机原型机在深圳测试，举国体制驱动产业链全面突围

89. 一文读懂EUV光源

90. 从90nm到2nm

91. PRAB | 上海高研院团队

92. EUV攻坚

93. 中国EUV光刻机破晓之前（下）13.5nm光源科技长征

94. 比拦截导弹还难？中国EUV光源每秒5万次精准猎杀工程全解（至臻版）

95. 决战EUV

96. 国产EUV反射镜

97. 【点赞】《光学精密工程》|深光协会员企业博顿光电联合研究成果

98. 光学精密工程·封面 | 斜角工艺

99. 法国材料协会

100. 国产EUV光刻机核心技术突破与量产时间表

101. DUV+准EUV融合架构下2nm光刻国产工程可行性与国产化迭代路径研究

102. 从DUV到EUV，中国光刻机离顶尖水平还有多远？

103. 封锁再升级造EUV难度陡增光刻工厂重构全球格局

104. 中国EUV首度亮相，2028年真能撼动ASML霸主地位吗？

105. 中国EUV光刻机原型测试

106. 半导体光刻技术演进

107. 我们多长时间能追上荷兰EUV水平？五年！我们现在已有原型实验用EUV

108. 伯恩斯坦确认中国EUV原型机落地，半导体产业迎来历史性转折点

109. 外媒

110. 万笔同书破局

111. 不用EUV也能造7nm

112. 日媒:中国光刻机产业将迎来实质性突破!这是慌了吗?

113. 不黑不吹，研发出EUV光刻机，我们也无法顺利制造7nm芯片

114. 回望2025

115. 浙大团队攻克桌面式极紫外光源 “三大利器” 助力高端芯片模具全链条自主可控

116. 荷兰半导体专家：10年之后，中国可能会造出国产EUV光刻机，但和ASML相差甚远

117. 深度丨AI芯片驱动高数值孔径EUV光刻机时代来临

118. 下一代光刻技术High-NA EUV进展大揭秘

119. 光刻机（上篇）：比原子弹更难的 "工业皇冠"—— 为何被卡脖子的技术解析

120. 中国国产EUV光刻机造出来了吗？

121. 210805 ASML EUV 反射式光学系统设计和架构

122. 如何避开卡脖子技术制作光刻机

123. 极紫外光刻技术（中）

124. 突发！路透社爆料，中国的芯片“曼哈顿计划”取得重大突破，已制造出EUV光刻机

125. 这台光刻机，空前重要

126. 荷兰半导体专家：如果中国要复制ASML的光刻机并不难，但是他们并不会去复制，而是选择自主开发

127. EUV天价难买，28纳米成新战场，中国悄悄改写规则

128. 国产光刻机跻身前20 ASML预警营收下滑垄断将松动？

129. 路透社披露中国首台EUV光刻机重大进展，阿斯麦垄断城墙崩塌中

130. EUV 光刻机反射镜的核心壁垒钼 / 硅多层膜交替镀膜（100 + 层、层厚误差＜0.1nm）核心技术全解析

131. 极紫外光刻机（EUV）中，光源的不同技术方案详解

132. 中国EUV光刻机-差蔡司反射镜

133. 什么是EUV光刻？为什么如此重要？

134. EUV 波长下的光刻技术（2010年nature美国加州研究）

135. 极紫外光刻光源研发新进展—— 破局高转换效率 - 哔哩哔哩

136. AI行业动态20251220:我国在深圳秘密打造极紫外（EUV）光刻机原型，目标是到2028年实现用此设备产出芯片

137. 美媒：中国正在建设EUV光刻原型机，但距离真正量产芯片还需至少

138. 中国光刻机技术突破与未来前景 ▲ 当前发展水平 ■ 技术节点与产业化进展咱国内半导体制造水平正稳稳往上蹿，7纳米工艺早迈入量产阶段啦！靠多重曝光技术，28纳米光刻机愣是整出了等效7纳米的精度，部分AI芯片上已经试过水，稳得很???? 28纳米浸没式DUV光刻机正跑产线验证，套刻精度能到8nm。特色工艺这块，350nm步进光刻机已交付，功率器件、新型显示器件制造都能用上。预计2025年下半年，首条全用国产设备的示范产线就要建好，光刻、刻蚀这些关键环节全覆盖。 ▲ 关键突破 ■ 光源系统突破 EUV光源：极紫外光生成技术有大突破！能耗直接砍掉40%，设备成本缩水一半。深紫外激光器技术也突破了，给下一代光刻机备好了核心光源???? DUV光源：全固态193nm DUV激光光源搞出来了，用创新谐波转换技术，不用再靠进口稀有气体。现在功率输出70mW，虽比国际顶尖差点，但给后续升级铺好了路。 ■ 精密控制技术工作台系统：磁悬浮直线电机工作台精度到纳米级，电子束光刻设备能搞亚纳米级加工，量子器件研发够用了???? 光学系统：反射镜系统波前畸变控制达国际先进，多层膜反射镜技术打破国外垄断，牛！工艺优化：靠多重曝光跨节点，光刻胶性能蹭蹭涨，12英寸晶圆缺陷率降了99%以上，稳！ ▲ 未来前景 ■ 政策与资金支持国家持续加码，设专项基金撑光刻机研发。长三角搞产业基金，企业融资越滚越大，技术攻关不缺钱???? ■ 技术路线规划短期目标：28nm DUV光刻机量产，套刻精度压到8nm内，多重曝光工艺再完善。中期目标：HighNA EUV光学系统原型搞出来，光源功率提到200W以上。长期目标：EUV整机验证通过，套刻精度破1nm；同时推纳米压印、多电子束直写这些替代技术，多条腿走路???? ■ 产业影响光刻机技术突破，产业链自主可控更强，关键设备不再卡脖子，给新一代信息技术打底，全球半导体格局要变天啦！

139. 1.1亿光刻机订单背后，上海微电子如何突破技术封锁？

140. 210905 ASML EUV 多层镀膜技术原理

141. 独家爆料：中国EUV原型机亮相，ASML万亿帝国要塌了？

142. 关于EUV光刻机

143. 浙大桌面式极紫外光显微镜：把 “国家级大装置” 搬进普通实验室

144. ASML EUV 光学元件材料和制造工艺

145. EUV光刻机技术解析：突破挑战的科学路径

146. EUV光刻到底难在哪？先从“光源”说起

147. 光刻机封锁后续：北大新芯片绕过EUV，西方封锁失效？

148. 中国EUV光刻机破晓之前（中）13.5nm光源科技长征：路线之争 - 哔哩哔哩

149. 高亮度高次谐波极紫外光源研究进展

150. 太牛了！哈工大官宣搞定13.5nm极紫外光源，EUV光刻机迎来曙光

151. 中国EUV光刻机破晓之前（上）13.5nm光源科技长征：EUV光学的基础突破 - 哔哩哔哩

152. 韩国顶尖半导体学者:中国10年左右获得EUV先进设备

153. 光刻机光学系统详解：如何用光“雕刻”纳米芯片？

154. 高亮度高次谐波极紫外光源研究进展 | 进展

155. EUV 极紫外光刻物镜波像差检测：超精密光学检测的巅峰技术

156. 国产光刻机新进展：上海微电子SEMICON首秀全自主设备

157. 国产光刻机现在到底是什么水平？与欧美之间有二十年的差距吗？

158. 中国半导体突围战：从光源到镜片，揭秘国产光刻机如何打破ASML垄断？

159. 光刻机的种类和对应的工艺能力

160. 13.5nm极紫外光源(EUV)新品速递

161. 从材料演进看光刻工艺：MOR光刻胶的定位与可能性

162. 科技部1.1亿元采购上海微电子光刻机

163. High-NA EUV：下一阶段缩放的唯一路径

164. 先进光刻胶：从化学放大到金属氧化物，EUV时代的材料困局与突围

165. 荷兰管制升级，中国高端芯片遇阻

166. 荷兰芯片专家：大概10年以后中国可以造出EUV光刻机，达到ASML目前的先进水平

167. Polymer ：极紫外光刻光刻胶的最新进展（一）

168. 破局之路：从 ASML 垄断看中国芯突围，莱库真空与时代同行

169. SSMB-EUV光源技术面临的主要技术瓶颈是什么？预计何时能突破？

170. 国产光刻机突破？28nm背后是五年技术代差

171. SSMB-EUV光源项目在雄安新区的建设

国产EUV光刻机突围之路：从光源到系统集成的五年攻坚

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