SK 海力士宣布量产 321 层 NAND 闪存，2025年 上半年出货

刚刚，SK海力士宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。

该闪存产品相比上一代在数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，同时数据读取能效也提高 10% 以上。官方表示，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。

在产品开发过程中，SK海力士采用了与238层产品相同的开发平台，从而最大限度地减少工艺切换的任何影响，将生产效率提高59%。并采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。

SK海力士NAND开发负责人Jungdal Choi表示：“最新的发展，使公司离以AI数据中心和设备端AI的SSD为代表的AI存储市场的领导地位又近了一步。”