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芯片面积更小、16 TB SSD 有望:SK Hynix 海力士 开始提供 4D QLC NAND 样品

2019-05-10 11:33:44 31点赞 34收藏 53评论

本文经超能网授权转载,原标题《海力士开始提供4D QLC NAND样品,芯片面积缩小超过10%》,作者:王智勇,未经允许请勿转载。

海力士今天宣布已经开始提供容量为1Tb的QLC产品样品。海力士表示目前已经将自家的QLC技术应用到了旗下首款基于4D NAND的96层电荷陷阱闪存(CTE),希望可以更快的将其NAND产品组合扩展至96层的1Tb QLC产品,从而快速打开QLC市场,并加强自身对下一代高密度存储器市场的影响力。

根据TechPowerUp的消息,海力士表示他们最近已经向开发和销售固态硬盘控制器和NAND存储设备的公司发送样品,以确保相关产品的顺利生产和产品性能。汇融科技总经理苟嘉章表示:“我们从海力士那里获得了QLC工程样品,并对其整体性能印象深刻,样品符合客户的SSD产品要求。”海力士同时也在开发自己的QLC软件算法和控制器,并计划近期内将其推出相关解决方案产品以满足客户需求。

芯片面积更小、16 TB SSD 有望:SK Hynix 海力士 开始提供 4D QLC NAND 样品

QLC在一个NAND单元中存储四位数据,与每单元存储三位的TLC相比可以提供更高的数据密度。使用QLC可以开发具有成本竞争力的高密度产品。

海力士此次寄出的产品已将面积减少至现有基于3D的QLC产品的不到90%。通过使用体积更小的芯片,海力士可以允许厂家将单个平面当中的芯片数量从2个增加到4个,同时也将数据带宽从32KB增加到了64KB。海力士希望可以凭借这款可以同时处理多达64KB数据的高性能产品来确保了成本和性能竞争力。

“我们计划从明年开始推出我们自己基于款QLC的固态硬盘产品,这对其他企业对于QLC NAND的需求很有意义”海力士NAND发展战略办公室负责人表示,“我们打算在高密度eSSD市场中建立稳固的地位,该解决方案正在取代机械硬盘,我们的NAND闪存解决方案可以实现16TB或者更大的容量。”

根据IDC此前的预测,NAND闪存市场中QLC的比例将会从2019年的3%增加到2023年的22%,同时eSSD会在今年内迅速取代机械硬盘。

芯片面积更小、16 TB SSD 有望:SK Hynix 海力士 开始提供 4D QLC NAND 样品


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53评论

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  • 53楼
    06-18 15:43
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    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    2

    制程和MLC/TLC/QLC都有关系。
    后者是因为状态越少,越不容易出问题。SLC只有两个状态,就算电半导体性能下降很多也不容易,而QLC有16个状态,稍微下降一点可能就出现错误了。
    另外你搞错了性能的优劣顺序,速度也是SLC>MLC>TLC>QLC,只是以前性能瓶颈在主控而已。

    3

    我的意思是,没有7nm的qlc和7nm的slc同时存在,所以比较都没有真正控制变量。可比的类似三星同期的mlc线和tlc线,这种情况你可以说mlc信号简单些所以速度快些,但也不确定是不是性能其实接近只是厂家为了拉开产品线在主控里对中低端限了速,比如sn750的缓外速度也吊打不少产品的mlc款

    另外Intel的一些颗粒都是可以开成MLC或者TLC的,开成MLC性能明显强于TLC,映像中凄惨红的SL500 Boost就是Intel颗粒开成MLC,比同样颗粒开成TLC的SL500还是强很多的。另外,从理论上来说,其它变量都一样的话,MLC肯定是强于TLC的,因为MLC读写单个单元要2次,TLC要3次,(可以认为因为控制没那么精确,每次只能写或者读一个Bit),TLC读写完全就是再MLC基础上增加了额外的步骤,而且写过程额外增加的步骤耗时比起MLC,增长超过了10倍,而读过程增长还是同一个数量级的,所以TLC写入性能一般比MLC弱很多,但是读取和MLC差得不多。

  • 52楼
    06-18 15:29
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    2

    制程和MLC/TLC/QLC都有关系。
    后者是因为状态越少,越不容易出问题。SLC只有两个状态,就算电半导体性能下降很多也不容易,而QLC有16个状态,稍微下降一点可能就出现错误了。
    另外你搞错了性能的优劣顺序,速度也是SLC>MLC>TLC>QLC,只是以前性能瓶颈在主控而已。

    3

    我的意思是,没有7nm的qlc和7nm的slc同时存在,所以比较都没有真正控制变量。可比的类似三星同期的mlc线和tlc线,这种情况你可以说mlc信号简单些所以速度快些,但也不确定是不是性能其实接近只是厂家为了拉开产品线在主控里对中低端限了速,比如sn750的缓外速度也吊打不少产品的mlc款

    可以对比一下SLC的变种983ZET,和现在主流TLC企业盘的差距

  • 51楼
    05-14 23:51
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    2

    Endurance主要是一段时间的programming和erase之后,floating gate中有电子trap,导致0/1判断问题从而失效。mlc,tlc以及qlc之间简单可以理解成相同容量的里面划出了很多刻度,刻度越密集,每一份刻度之间的判断就需要很精准(从简单的0/1--》00/01/10/11),所以对算法以及主控电路要求比较高。

    5

    谢谢老哥,哪个学校的,有机会路过的话请你喝咖啡

    客气了,毕业十多年了。。

  • 50楼
    05-14 20:16
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

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    2

    Endurance主要是一段时间的programming和erase之后,floating gate中有电子trap,导致0/1判断问题从而失效。mlc,tlc以及qlc之间简单可以理解成相同容量的里面划出了很多刻度,刻度越密集,每一份刻度之间的判断就需要很精准(从简单的0/1--》00/01/10/11),所以对算法以及主控电路要求比较高。

    4

    有兴趣可以去看看《Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash》

    谢谢老哥,哪个学校的,有机会路过的话请你喝咖啡

  • 49楼
    05-14 17:19
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

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    2

    Endurance主要是一段时间的programming和erase之后,floating gate中有电子trap,导致0/1判断问题从而失效。mlc,tlc以及qlc之间简单可以理解成相同容量的里面划出了很多刻度,刻度越密集,每一份刻度之间的判断就需要很精准(从简单的0/1--》00/01/10/11),所以对算法以及主控电路要求比较高。

    3

    老哥有无搜索关键词建议一下,能让我看懂入门原理带图解的就好

    有兴趣可以去看看《Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash》

  • 48楼
    05-14 16:44
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    2

    Endurance主要是一段时间的programming和erase之后,floating gate中有电子trap,导致0/1判断问题从而失效。mlc,tlc以及qlc之间简单可以理解成相同容量的里面划出了很多刻度,刻度越密集,每一份刻度之间的判断就需要很精准(从简单的0/1--》00/01/10/11),所以对算法以及主控电路要求比较高。

    老哥有无搜索关键词建议一下,能让我看懂入门原理带图解的就好

  • 47楼
    05-14 14:19
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    Endurance主要是一段时间的programming和erase之后,floating gate中有电子trap,导致0/1判断问题从而失效。mlc,tlc以及qlc之间简单可以理解成相同容量的里面划出了很多刻度,刻度越密集,每一份刻度之间的判断就需要很精准(从简单的0/1--》00/01/10/11),所以对算法以及主控电路要求比较高。

  • 46楼
    05-12 12:48
    芝麻信用
    1

    如果速度和机械差不多,寿命100次PE,价格又是机械便宜,选哪个

    机械啊,数据安全些

  • 45楼
    05-12 09:47
    1

    4D难道出现时间轴了?不同时间存的东西不同?

    2

    其实时间并不是我们说的第4维。只是为了勉强让我们理解4维的概念,而提出的一个低配方法。真正的4d,不是我们能够看得到的。

    没错,纯数学上的4d不包括时间,那是垂直于长宽高的第4条坐标轴,三维生物很难直观理解4维空间,最简单4维物体是超立方体,它由8个三维立方体相互垂直组成。

  • 44楼
    05-12 08:35
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    2

    制程和MLC/TLC/QLC都有关系。
    后者是因为状态越少,越不容易出问题。SLC只有两个状态,就算电半导体性能下降很多也不容易,而QLC有16个状态,稍微下降一点可能就出现错误了。
    另外你搞错了性能的优劣顺序,速度也是SLC>MLC>TLC>QLC,只是以前性能瓶颈在主控而已。

    3

    我的意思是,没有7nm的qlc和7nm的slc同时存在,所以比较都没有真正控制变量。可比的类似三星同期的mlc线和tlc线,这种情况你可以说mlc信号简单些所以速度快些,但也不确定是不是性能其实接近只是厂家为了拉开产品线在主控里对中低端限了速,比如sn750的缓外速度也吊打不少产品的mlc款

    但是之前同时存在过3D MLC,制程和同期的3D TLC是差不多的。
    另外同主控下的速度差异是很明显的,参见SLC缓存,以及部分型号的模拟SLC功能和模拟MLC功能。

  • 43楼
    05-12 08:22
    1

    然而长江存储的3D nand还在ppt里面,17年说18年投产,18年说19年投产,马上19年就过去一半了。接近200亿美金的项目啊!

    2

    如果在不出 最后流产,那么我国就不要在相信了。

    3

    本来就不信,现在就更不信,但是有一点相信,就是为了金钱可以做一切不择手段的事,特别适合我们国家很多事。

  • 42楼
    05-12 07:56
    Visa淘金计划
    1

    然而长江存储的3D nand还在ppt里面,17年说18年投产,18年说19年投产,马上19年就过去一半了。接近200亿美金的项目啊!

    2

    如果在不出 最后流产,那么我国就不要在相信了。

    你曾经相信过?

  • 41楼
    05-12 02:01
    芝麻信用
    1

    个人觉得闪存芯片寿命和mlc,tlc还是qlc的实现方式并无直接联系,只是伴随着这个时间线,制作工艺一直在提升,比如从以前的35nm发展到现在的7nm,这个过程不仅减小芯片内部线宽提高了集成度,同时也在减小氧化栅极(大致理解就是一个不能导电但又要做得很薄让电场能穿透的薄膜)厚度,比如以前是几十层二氧化硅分子叠在一起,现在只有两三层了。闪存的原理就是在这个位置卡住电荷来实现功能,以前层数多,所以电场弱,基本可以等同于读写慢;现在层数少,电场好透过去,读写快些,但次数多了,之前的原子被推开,电子能挤过去,形成漏电,这个记忆单元就废掉不能用了。

    不知道理解得对不对,希望有ic专业的指导一下

    2

    制程和MLC/TLC/QLC都有关系。
    后者是因为状态越少,越不容易出问题。SLC只有两个状态,就算电半导体性能下降很多也不容易,而QLC有16个状态,稍微下降一点可能就出现错误了。
    另外你搞错了性能的优劣顺序,速度也是SLC>MLC>TLC>QLC,只是以前性能瓶颈在主控而已。

    我的意思是,没有7nm的qlc和7nm的slc同时存在,所以比较都没有真正控制变量。可比的类似三星同期的mlc线和tlc线,这种情况你可以说mlc信号简单些所以速度快些,但也不确定是不是性能其实接近只是厂家为了拉开产品线在主控里对中低端限了速,比如sn750的缓外速度也吊打不少产品的mlc款

  • 40楼
    05-11 21:30
    1

    本来TLC寿命就比MLC短,现在又整出了QLC。这根本就是一种厂家为了省钱的缩水行为,别鬼扯什么新技术。可以去看看企业级固态是不是SLC的?

    自己不会造还嫌弃人家技术差,国内厉害国小粉红就会吹牛皮一个顶十个。

  • 39楼
    05-11 10:07
    1

    三星的3D QLC寿命已经只有一百次擦写了,照这样发展下去,这4D QLC估计也就四五十的擦写寿命了。[皱眉]

    50次就是800t的擦写量了,这个对普通消费者从来不是问题,关键是掉盘掉速的问题啊

  • 38楼
    05-11 09:38

    本来TLC寿命就比MLC短,现在又整出了QLC。这根本就是一种厂家为了省钱的缩水行为,别鬼扯什么新技术。可以去看看企业级固态是不是SLC的?

  • 37楼
    05-10 22:01
    Visa淘金计划芝麻信用
    1

    三星的3D QLC寿命已经只有一百次擦写了,照这样发展下去,这4D QLC估计也就四五十的擦写寿命了。[皱眉]

    不是100TBW????

  • 36楼
    05-10 21:08
    1

    期待36D什么时候能够出现![期待]

    2

    36E大街上也不少见。

    多么幸福的城市 [脸红]

  • 35楼
    05-10 18:59

    太厉害啦,就是期待价格快点下降啊

  • 34楼
    05-10 18:42

    但是机械寿命好啊

  • 33楼
    05-10 18:29
    芝麻信用

    过两年TLC会不会跟现在MLC一样成为珍品了 [晕倒]

  • 32楼
    05-10 17:19
    1

    然而长江存储的3D nand还在ppt里面,17年说18年投产,18年说19年投产,马上19年就过去一半了。接近200亿美金的项目啊!

    如果在不出 最后流产,那么我国就不要在相信了。

  • 31楼
    05-10 16:29

    然而长江存储的3D nand还在ppt里面,17年说18年投产,18年说19年投产,马上19年就过去一半了。接近200亿美金的项目啊!

  • 30楼
    05-10 16:18
    1

    三星的3D QLC寿命已经只有一百次擦写了,照这样发展下去,这4D QLC估计也就四五十的擦写寿命了。[皱眉]

    其实一般用途,也足够了,普通用户没有那么多擦写需求的,主要还是读取多。价格都再降一半才是真的好

  • 29楼
    05-10 15:36
    芝麻信用
    1

    可以作为冷存储,备份。

  • 28楼
    05-10 15:29
    芝麻信用
    1
    2

    华为出闪存芯片了?

    没出 但华为有32tb ssd

  • 27楼
    05-10 14:24

    数据可以可靠保存多久不丢失呢

  • 26楼
    05-10 14:21

    qlc如果那做到1gb1角可以考虑

  • 25楼
    05-10 13:59

    华为出闪存芯片了?

  • 24楼
    05-10 13:59
    话题写手(初阶)Visa淘金计划芝麻信用

    QLC的盘也就适合存放电影资源,照片什么的都不敢

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