三星激进台积电稳健：tsmc 3nm工艺将继续用FinFET晶体管技术

尽管三星追的很紧，但台积电今年上半年就要开始量产5nm工艺了，本年度内苹果、华为的A14及麒麟1020芯片订单已经在手了。

再下一个节点就是3nm工艺了，这个节点非常重要，因为摩尔定律一直在放缓，FinFET晶体管一度被认为只能延续到5nm节点，3nm要换全新技术方向。

在这方面，三星将转向GAA环绕栅极晶体管，根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

具体来说，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

由于之前在先进工艺上进度落后了，三星在3nm进行了一场豪赌，是第一个大规模上马GAA技术的，目的就是希望通过激进的手段迅速扭转晶圆代工市场上的地位，GAA成败很关键。

相比之下，台积电也在投资200亿美元建设3nm晶圆厂，但一直没有公布3nm的技术细节，其技术路线选择将对未来先进芯片的代工产生重大影响。

根据最新的消息，台积电可能没有三星这么激进，在3nm节点也会跟之前的7nm工艺一样采取两步走的方式，第一代3nm工艺还会继续改进FinFET晶体管工艺，在第二代3nm或者2nm节点才会升级到GAA晶体管技术。

这样做一方面是出于技术研发的考虑，台积电在GAA技术上落后三星12到18个月，另一方面则是要在进度上赶超，2021年3月份就准备试产，所以不能急着上GAA工艺，先用FinFET工艺顶上。

台积电在4月份会有一次专门的发布会，届时会正式公布3nm工艺的技术细节。

本文经快科技授权发布，原标题：《先不上GAA晶体管 台积电第一代3nm工艺将继续用FinFET技术》，作者：宪瑞，未经允许请勿转载。