铠侠闪迪332层NAND今夏量产，瞄准AI存储需求
07-03 20:09
精选参考来源
小Lin说 2026-05-30
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i冰宇宙 2026-05-23
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1. 内存暴涨，谁在哭？谁在笑？ #真财实学计划#零距离看懂财经 #内存 #芯片#黑白调X7
抖音 2026-05-30 00:00:00
2. 日本铠侠开始动了。ZDNet Korea 报道称，铠侠计划在明年量产第10代 BiCS NAND，也就是 332 层 NAND。相比上一代 218 层，单位面积存储容量提升 59%，传输速度提升 33%。有意思的是，三星和 SK 海力士反而都放慢了第10代 NAND 的量产节奏。三星原本计划今年量产 430 层级第10代 NAND，但现在至少推迟到明年，SK 海力士也还没有明确大规模投资动作。这就给了铠侠一个窗口期。三星的技术指标更激进，层数更高，但如果量产节奏慢下来，铠侠反而可能先把产品推向市场，先验证客户，先抢订单。当然，铠侠现在也只是表达了明确意愿，真正有没有大规模设备订单，还要看今年下半年。存储行业就是这样，技术领先很重要，量产节奏更重要。谁先把下一代 NAND 稳定做出来，谁就能在下一轮 SSD 和 AI 存储需求里多抢一口肉。
新浪微博 2026-05-23 00:00:00
3. 铠侠投资者日：因为AI将首次分红，第十代闪存样品今夏交付，年均资本开支4700亿日元
知乎 2026-06-02 00:00:00
4. #SK海力士市值突破1万亿美元#几家都赚疯了！！！三星电子：营收环比增104.7%，稳居龙头SK海力士：营收环比增44.6%，HBM与AI驱动铠侠（Kioxia）：营收环比增80%，NAND价格大涨受益美光（Micron）：营收环比增96.7%，ASP增长拉动SanDisk：数据中心业务营收环比增200%收益最大的还是铠侠，以前很多用三星 镁光海力士的都用它了
新浪微博 2026-05-27 00:00:00
5. 业内相关消息透露，铠侠敲定了第十代BiCS 3D NAND闪存的量产规划，这款新品预计将于2027年正式投产，具体的投资相关细节，将在今年下半年逐步对外明晰。对比早前传出的2026年量产计划，本次量产时间有所延后。 在核心技术参数上，第十代BiCS闪存采用332层堆叠结构，相较于当下主流的第八代218层产品，堆叠层数提升五成以上，存储密度增幅达到59%。产品搭载Toggle DDR 6.0传输接口，数据读写速率从前代3.6Gbps提升至4.8Gbps，性能提升33%。 同时新品功耗控制表现亮眼，输入功耗下降10%，输出功耗降幅达34%。在标准TLC存储模式下，单颗芯片最高可实现2Tb的大容量存储规格。
新浪微博 2026-05-25 00:00:00
6. Counterpoint数据，26Q1全球NAND闪存市场在2026年第一季度营收达460亿美元，为25Q1的3.5倍。eSSD在26Q1占NAND闪存市场总额的43%，预计到年底将超过60%。AI成为最强劲的推动力量。26Q1全球Top6 NAND厂商为：三星，海力士，铠侠，美光，闪迪和长存。
新浪微博 2026-06-03 00:00:00
7. 铠侠：332层3D NAND来了！
微信公众号 2026-03-13 00:00:00
8. 铠侠下一代闪存，为何是332层？
网易 2026-06-05 00:00:00
9. 铠侠投资者日核心要点：首次分红承诺、第十代BiCS FLASH闪存的进度，未来三年资本开支规划
微信公众号 2026-06-02 00:00:00
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