4080K 40V N沟道MOSFET场效应管

4080采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于UPS、电源开关及通用应用。

特点

·极低的RDS(on):

典型RDS(on)=5.2 mΩ@VGS=10V,Id=40A

·良好的稳定性和均匀性

·100%雪崩测试。

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