英伟达Vera Rubin连带拉涨NAND，闪存价格暴力反弹

英伟达 Vera Rubin 平台的出货效应，正在从 HBM 扩散到 NAND 闪存。

TrendForce 的数据显示，TLC NAND 现货价格从 6 月低点开始持续反弹，本周报价比上周涨了 4.97%，三周累计涨幅 11.6%。虽然英伟达大部分 NAND 供应走的是长期协议，但平台放量带来的实际需求已经在往现货市场传导。

三星已经跟英伟达在 NAND 上建立了合作，大批量供应第 9 代 V-NAND，同时加紧推进第 10 代量产，目标是匹配英伟达 CMX 架构的存储需求。铠侠也推出了 CM10 系列 PCIe 6.0 SSD，第一次用上第十代 BiCS FLASH TLC，专为 CMX 架构设计，顺序读取比前代快 92%。

这轮 AI 算力扩张对存储的拉动，之前集中在 HBM 上，三星和 SK 海力士赚得盆满钵满。现在 HBM 的需求溢出到了 NAND，说明 AI 平台对存储的吞噬是全方位的，从高带宽内存到普通闪存，一样都不放过。

对普通消费者，NAND 涨价意味着 SSD 价格可能又要往上走。之前内存已经涨了一波，现在闪存也跟上了，想升级存储的人趁早动手。

作者提示含AI生成内容。