随着AI应用爆发式增长，传统存储方案已难以满足海量数据处理需求。铠侠在ODCC 2025大会上展示了一系列针对数据中心和AI应用的创新存储解决方案，通过提升性能、密度和能效，为企业AI基础设施建设提供强有力的技术支撑。
智能速览
铠侠将在ODCC 2025首次展出多款企业级SSD新品
CM9系列相比上一代随机写入性能提升65%
CD9P系列顺序读取速度达14,800 MB/s
LC9系列采用2Tb QLC技术，容量达245.76TB
第八代BiCS Flash采用CBA技术，接口速度提升至3.6Gbps
精华内容
在AI算力需求激增的背景下，存储性能已成为制约AI应用发展的关键瓶颈。铠侠通过技术创新，为数据中心提供全方位的存储升级方案。
旗舰性能升级
铠侠CM9系列作为旗舰企业级SSD产品，实现了显著的性能突破。与上一代CM7系列相比，CM9系列的随机写入性能提升高达65%，随机读取性能提升55%，顺序写入性能提升更是达到95%。在能效方面也有明显改善，顺序读取效率提升约55%，顺序写入效率提升约75%。这些性能提升主要得益于PCIe 5.0接口的应用和闪存控制器的优化。
对于需要处理大量随机读写操作的企业级应用，CM9系列能够显著降低响应时间，提升整体系统吞吐量。特别是在AI训练场景下，更高的随机性能意味着更快的数据访问速度，能够有效缩短训练周期。
AI专用优化
针对AI、机器学习和HPC工作负载，铠侠推出了CD9P系列SSD。该产品具备14,800 MB/s的顺序读取速度和7,000 MB/s的顺序写入速度，采用2.5英寸和E3.S两种规格。CD9P系列专门设计用于确保GPU能够持续获得数据，保持最高效的运行状态。
在AI推理过程中，存储设备的响应速度直接影响到GPU的利用率。CD9P系列通过优化数据传输路径和减少延迟，实现了与GPU计算能力的更好匹配。实测数据显示，在典型AI推理负载下，CD9P系列能够将GPU利用率提升15-20%，显著降低总体拥有成本。
大容量突破
铠侠LC9系列首次采用了2Tb BiCS FLASH 3D QLC技术，将单盘容量提升至245.76TB。该产品支持双端口和PCIe 5.0接口，在单位空间内实现了更高的存储密度。LC9系列特别适合部署在混合云和多云环境中，为AI训练和应用提供海量数据支持。
QLC技术 traditionally面临写入寿命和性能挑战，但铠侠通过优化算法和错误纠正机制，有效提升了QLC闪存的可靠性。在实际测试中，LC9系列在保证245.76TB大容量的同时，仍能提供企业级应用所需的性能和耐久性。
技术创新驱动
第八代BiCS Flash 3D QLC技术的突破性在于采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术。该技术将存储单元和逻辑单元分别在两个晶圆上制造，通过控制不同制造温度，让两个单元都能获得最佳效能。这种设计使QLC闪存的传输效率大幅提升，接口速度达到3.6Gbps的行业领先水平。
相比传统的单片设计，CBA技术能够在不增加芯片面积的情况下提升性能。第八代BiCS Flash的能效比提升约40%，同时制造成本降低约25%。这些改进使得大容量QLC解决方案在经济性上更具吸引力。
铠侠在ODCC 2025展示的存储解决方案体现了对AI时代存储需求的深刻理解。从性能提升到容量突破，从技术创新到能效优化，这些产品正在为数据中心存储架构的革新提供可能。未来，随着AI应用的进一步普及，存储技术还将面临哪些新的挑战？
