三菱电机发布四款车规级沟槽SiC MOSFET，通过结构优化将功率损耗降低约50%，同时启动8英寸晶圆厂建设，计划在数年内将产能提升五倍。此举标志着其在新能源功率半导体领域的布局加速，对电动汽车和光伏产业的发展具有重要影响。
智能速览
发布4款沟槽型SiC MOSFET裸芯片，专为EV和光伏系统设计。
采用优化结构，较传统产品功率损耗降低约50%。
投资1000亿日元建设8英寸晶圆厂，预计2025年试产。
计划到2026财年将SiC产能提升至2022财年的5倍。
目标到2030财年，SiC销售额占比超功率半导体业务30%。
精华内容
深入来看，三菱电机此轮布局不仅是产品迭代，更是一场围绕技术、产能与市场预期的全面出击，旨在巩固其在高增长SiC市场的领先地位。
技术革新
此次发布的4款新品核心在于沟槽栅型SiC MOSFET结构的深度优化。与传统的平面栅型结构相比，这种新设计能够显著降低芯片的导通电阻和开关损耗，从而使整体功率损耗降低约50%。此外，三菱电机采用了专属的栅极氧化膜制造工艺，有效抑制了器件参数的波动，确保了长期运行的稳定性与可靠性。
产能扩张
为支撑市场需求，三菱电机正大力投资SiC产能。在已建立6英寸SiC生产线的基础上，公司投资约1000亿日元（约48亿元人民币）建设全新的8英寸晶圆厂。该工厂已于2024年4月开工建设，计划于2025年11月采用8英寸衬底开始试生产。这一举措是其提升产能、降低成本的关键一步。
市场定位
这批高性能SiC MOSFET裸芯片的市场定位非常明确，主要面向电动汽车的主驱逆变器、车载充电器（OBC）以及光伏逆变器等高增长新能源应用领域。这些应用场景对功率器件的效率和可靠性要求极高，三菱电机的新品正好契合了这些核心需求，旨在为其在新能源汽车和可再生能源市场提供核心动力支持。
未来目标
三菱电机为其功率半导体业务设定了清晰的长期目标。在销售方面，公司计划到2030财年，将SiC产品在功率半导体业务中的销售占比提高至30%以上。在产能方面，目标是到2026财年将SiC的整体产能提升至2022财年的5倍。这些目标显示了其对SiC技术未来发展的坚定信心和投入决心。
三菱电机通过技术创新与产能扩张，正积极抢占SiC市场先机。随着8英寸晶圆技术的成熟，整个新能源产业链的成本与效率边界或将被重新定义，未来的竞争格局值得持续关注。
