HBM下放手机：AI终端的“破壁者”还是营销幻觉？_手机

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3. counterpoint的2025Q3 内存市场追踪与预测报告显示，三星电子的 HBM 端营收在上一季度反超了美光，不过整体 DRAM 营收仍略逊于 SK 海力士。三星电子在今年三季度的 HBM 营收市场份额来到 22%，延续了 2025Q1 触底后的回升态势；美光 HBM 营收市场占比与二季度基本一致；SK 海力士的份额虽有下滑仍好于去年同期。国内占比：不算高，所以这份榜单还没有，长鑫占据5%-10%左右份额。

4. 单边上涨，韩国股市再度一枝独秀，涨幅2%，突破5800点，一年以来指数累计也已经翻倍了，恒生走低，日经225指数下跌韩国股市的单边上涨核心原因还是AI半导体超级周期，HBM近乎垄断，业绩暴涨，三星+SK海力士营业利润双双爆棚，HBM4谈判，单价超预期，三星的HBM4单价700美元/颗，较上一代HBM3（550美元）涨幅20-30%，SK海力士同步涨价，AI算力刚需和供需彻底失衡，三星和SK海力士2026年HBM产能售罄，交货周期已经拉长至52周了，现货溢价已经是300+%，韩国股市单边上涨更多是HBM4的“涨价”变成“抢价”，700美元/颗坐实了AI超级周期，三星和SK海力士涨幅分别125%和274%，两者之间供献了韩国KOSPI指数2025年50%的涨幅。

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9. 二季度手机LPDDR5x的价格有机会超过HBM3E。因为HBM基本签的都是2026年全年的锁价。服务器DDR5和手机LPDDR5x的价格是每季度谈价，所以毛利率都远超HBM3E了。二季度海力士、三星、美光的净利润将会高的吓人了。

10. 【#内存缺货或常态化##DRAM短缺或将持续至2030年#】3月18日，在NVIDIA GTC 2026大会期间，SK集团会长崔泰源接受采访时发出预警：由于DRAM供应很难跟上需求增长的速度，全球DRAM芯片紧缺态势或将延续至2030年。崔泰源指出，AI算力扩张对HBM的饥渴需求正层层传导至上游，每生产一颗HBM需消耗大量DRAM晶圆，而晶圆产能从投资到投产至少需要四至五年周期。"无论韩国本土还是海外建厂，时间窗口都不会缩短"，他坦言，基础DRAM晶圆短缺幅度预计将超过20%。崔泰源透露，公司正准备推出稳定DRAM价格的专项措施，具体方案将由CEO后续公布，他同时强调，SK海力士不会为追逐HBM高利润而放任通用DRAM供应萎缩，"若过度倾斜HBM，智能手机、笔记本电脑等既有产业将遭受冲击"。谈到中国本土存储产业的发展时，其表示，“我了解中国市场也遭遇存储供应短缺问题，在此情况下，他们还能向中国以外市场销售产品，令人印象深刻，新的竞争或许已崛起。”与此同时，另一家韩国存储巨头三星对未来的预判则显得更为审慎，三星内部认为，当前的行业繁荣可能仅能维持一到两年，市场或将在2028年前后出现转折。（快科技）#存储芯片概念持续上涨#

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19. 【#三星电子股价创新高#】#三星电子股价一度飙升3.2%#，创下历史新高。此前该公司首席执行官宣扬其HBM4正在赢得客户称赞“三星回来了”。股价连续第四个交易日上涨，首席执行官Jun Young Hyun在向员工发表的新年致辞中表示，三星的HBM4展示了差异化的竞争力。

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37. 随着全球DRAM价格持续飙升，三星电子内部两大核心部门，半导体部门（DS）与移动体验部门（MX）之间的矛盾开始浮现。最新消息指出，三星DS部门已拒绝向自家MX部门提供一年以上的DRAM长期供应合同。为了将资源集中投入到高利润的HBM等领域，DS部门要求MX部门每三个月按季度重新协商DRAM供应条款和价格。这一罕见举动意味着，三星DS部门正全力利用内存市场的“超级周期”，以此优先追求利润最大化。

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42. 得半导体技术者得天下在三星这里体现得淋漓尽致。三星推出业界首款商用HBM4，为人工智能计算提供极致性能HBM4 正式量产，传输速度稳定在 11.7Gbps，最高可达 13Gbps。采用 4nm 制程工艺的先进 DRAM，最大限度地提升了下一代数据中心的性能、可靠性和能效。可靠的制程技术和供应能力，进一步巩固了三星在 HBM4 之后的 HBM 产品路线图。全球领先的先进存储技术公司三星电子今日宣布，其业界领先的HBM4内存已开始量产，并已向客户交付商用产品。这一成就开创了行业先河，巩固了三星在HBM4市场的早期领先地位。通过积极利用其最先进的第六代 10 纳米 (nm) 级 DRAM 工艺 (1c)，该公司从量产之初就实现了稳定的良率和业界领先的性能——所有这些都是无缝完成的，无需任何额外的重新设计。三星电子执行副总裁兼存储器开发负责人黄相俊表示：“三星没有沿用传统的成熟设计，而是大胆创新，采用了最先进的制程节点，例如用于HBM4的1c DRAM和4nm逻辑工艺。凭借我们在制程方面的优势和设计优化，我们能够确保巨大的性能提升空间，从而满足客户日益增长的高性能需求。”树立性能和效率的最高标准三星的HBM4显存可提供高达11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。这比其前代产品HBM3E的最高引脚速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能还可以进一步提升至13Gbps，有效缓解随着AI模型规模不断扩大而日益严重的数据瓶颈问题。此外，与 HBM3E 相比，每个堆栈的总内存带宽提高了 2.7 倍，最高可达每秒 3.3 太字节 (TB/s)。三星采用12层堆叠技术，提供容量从24GB到36GB的HBM4固态硬盘。该公司还将通过采用16层堆叠技术，将容量选择扩展至最高48GB，以满足客户未来的需求。为了应对数据I/O引脚数量从1024个增加到2048个所带来的功耗和散热挑战，三星在核心芯片中集成了先进的低功耗设计方案。与HBM3E相比，HBM4通过采用低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，实现了40%的能效提升，同时热阻降低了10%，散热能力提高了30%。三星 HBM4 为未来的数据中心环境带来卓越的性能、能源效率和高可靠性，使客户能够最大限度地提高 GPU 吞吐量并有效管理其总体拥有成本 (TCO)。全面而敏捷的生产能力三星致力于通过其全面的制造资源（包括业内最大的DRAM产能之一和专用基础设施）推进其HBM路线图，以确保具有弹性的供应链，以满足预计的HBM4需求激增。公司晶圆代工和存储器业务之间紧密整合的设计技术协同优化（DTCO）机制，确保了最高的质量和良率标准。此外，公司在先进封装领域拥有丰富的内部专业知识，从而简化了生产流程，缩短了交货周期。三星还计划扩大与主要合作伙伴的技术合作范围，这是基于与全球 GPU 制造商和专注于下一代 ASIC 开发的超大规模数据中心运营商的密切讨论而做出的。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。

43. SK 海力士在 2025 Q3 以 **34.1%** 的份额继续压过三星 **33.7%**，靠的不是传统 DRAM，而是 **HBM 的绝对碾压**。这一轮领先已经连续三个季度，意味着 DRAM 市场 30 年格局第一次真正被撼动。但差距其实只有 **0.4 个百分点**，并非绝对优势。报道也明确提到：**从 2026 年起，三星将在 HBM3E / HBM4 大幅扩产，随时可能反超**。也就是说，海力士的领先是当下的，三星的反击是必然的。这件事的核心意义很简单：**未来的内存竞争，不再看传统 DRAM，而是看谁掌握高带宽内存（HBM）。AI 时代的性能瓶颈在带宽，不在算力。**

44. 从迄今为止最薄纵横四海，到当代机械艺术最高成就之一的镇馆之宝，今年表现最“夯”的非它莫属！

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46. 都说纵横G700是“一车抵三车”的全能伙伴？接下来，咱们就围绕这三点，聊聊它到底强在哪儿了？！#纵横G700#北京行动派学姐的微博视频

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48. DDR5内存价格因为AI需求暴涨，那为什么显卡是AI更为根本的需求，却没有涨价？

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50. SK海力士关键一役！报道：HBM4最终样品即将交付，若通过英伟达认证本月即可量产

51. 从能聊天的大模型，到会干活的智能体，AI正迎来全新进化。企业AI落地的机会就藏在这里。#网络名人赞两会 #2026全国两会 #红衣聊AI #产业升级

52. 30W！骁龙 8 Elite Gen6 Pro 功耗追平轻薄本！厂商散热挑战来临「超极氪」

53. 三星年度新品资讯:–三星25W磁吸无线充电器曝光，适配Galaxy S26系列手机；兼容Qi2 25W，理论和苹果能互相兼容。–三星电子，HBM4认证程序的阶段，计划2月投产，预计2026年高带宽内存（HBM）营收将增长逾三倍。 –三星Galaxy S26、S26+、S26 Ultra，全系搭载骁龙8 Elite Gen 5处理器，支持卫星通信；2月25日发布，3月11日开售。–三星全新的隐私保护功能，业界普遍认为是“隐私显示屏”（Privacy Display）功能，预计由 Galaxy S26 Ultra 首发。

54. 新机芯，新配色，江诗丹顿纵横四海再次起飞？

55. #手机集体涨价原因#这轮内存普涨是综合性的，一共有四大原因：1、AI 算力需求大爆发， AI 服务器 DRAM 需求是传统服务器的8–10 倍，NAND 是3–5 倍。OpenAI、微软、谷歌等云厂商，吞噬了全球几乎53%+的DRAM产能，还提前锁定了2026年全年的HBM（高宽带内存）2、三星、SK 海力士、美光三家控制全球90%+ DRAM 产能、99%+ HBM 产能。由于HBM（高宽带内存）利润更多，大幅度消减了消费级内存的供应（DDR4、手机 LPDDR、UFS）。3、全行业库存见底，整体库存仅4周，远低于8-12周安全线，所以各品牌都在加价下单，锁定内存厂商未来的产能。4、由于战争的阻碍（许多电子特气和能源需要从霍尔木兹海峡运输）和AI需求的旺盛，原材料和能源都在涨价，晶圆、硅片、电力成本上升，加剧了通用内存紧张。内存涨价将要贯穿2026年全年，直到2027年一些新的内存产能落地，HBM供需趋于平衡，消费级内存的产能才会逐步恢复。但是AI热情在2026年只会升级啊... #OPPO涨价#

56. 三星电子在财报会上明确表示：当前时间传统DRAM比HBM更赚钱。主要原因还是HBM定价按年度锁价，而传统DRAM定价是每季度谈判。而且DRAM的良率更高，生产成本相比HBM要低，所以从二季度开始DRAM5的利润应该超过HBM3E。

57. TrendForce总结的zHBM和ZAM与传统HBM的对比非常清楚。给大家分享一下。传统HBM制程是采用垂直TSV堆叠，这种垂直设计会实现高速数据传输，同时也带来热设计的挑战，散热成为一个比较大的问题。三星提出的zHBM技术是直接做3D多晶圆键合，除了带宽大幅度提升外，还可以理论上降低75%功耗。不过在散热上也存在传统HBM类似的问题。Intel的ZAM方案采用对角堆叠技术，目标是提升性能的同时，解决散热和功耗问题。ZAM采用对角线方式在堆叠层中布线，对角铜路径可以改善散热并提高能源效率，Intel的目标是降功耗40-50%并大大改善散热。zHBM和ZAM技术商用时间还要很久，ZAM有明确商用时间表2030年，zHBM还没有透露时间计划。国内也有厂商在研究zHBM类似技术，商用的时间都不一定比三星晚。

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59. 100根内存条换一套房！AI疯狂吞噬全球内存，普通人电脑快买不起了

60. #AI# AI发展，竟然让三星躺赢！三星电子发布2026年Q1初步业绩：合并营业利润约57.2万亿韩元（约合2611亿元人民币），同比暴增755%，已超2025年全年总和，创下韩国企业单季盈利历史最高纪录。HBM业务营收同比增长超300%，DRAM均价Q1环比飙升64%，三星计划Q2再将DRAM提价约30%。AI服务器爆发式扩张，推动HBM/DRAM量价齐升，存储芯片已成AI时代最受益的硬件品类；三星全年利润有望超310万亿韩元（约2060亿美元），标志着半导体行业进入新一轮超级周期。

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62. 三星Q2内存再涨30%，一季度刚翻倍就接着涨，摆明了吃定AI算力刚需。HBM、手机、PC内存全线抬价，美光、海力士必然跟进。普通人装机、换手机成本继续走高，这波不是短期波动，是存储寡头用供需锁死利润，消费电子只会更贵。#三星手机#三星#手机##三星电子或再提高30%内存价格#

63. 全球内存陷入大缺货，高通、Arm齐发预警：芯片将挤压智能手机产能

64. 时隔35年，《纵横四海》内地首度公映，18部影片进军五一档

65. 韩媒报道，三星HBM4已获得NV的订单，计划在春节之后成为全球首家量产交付HBM4的公司。在HBM4时代，三星的份额将上升，抢的更多的是美光的份额，海力士的份额将维持在50%，甚至达到70%。不过从技术上对比，三星的HBM4相对更先进一些。

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68. 手机也要上HBM芯片?三星计划推出移动版HBM,预计首款产品2028年上市

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70. HBM芯片竞争愈演愈烈

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74. 三星披露下一代HBM路线图，cHBM性能提升2.8倍，2026年HBM销售规模将增长超三倍

75. 骁龙Gen6冲5GHz 搭载三星HPB散热移动散热格局生变？

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