64层3D立体堆栈：SAMSUNG 三星 宣布 加速量产第四代V-NAND

SAMSUNG（三星）今日宣布，其64层立体堆栈的V-NAND闪存芯片开始加速量产。三星在NAND领域是领袖级别厂家之一，也是3D闪存重要的倡导者。本次64层立体堆栈的V-NAND已经是三星第四代3D NAND闪存，在2017年初已经实现小规模供货，本次全面量产对于移动智能设备的存储、消费级固态硬盘的提速扩容是一个重大利好消息。此外三星还在开发下一代3D闪存，下代V-NAND应该拥有超过堆栈90层以上的水准。

传统NAND如果想继续增加容量就需要不断提高制程，但晶体管无限缩小后带来的是NAND性能和可靠性越来越低。3D NAND闪存不再追求缩小单元，而是通过3D堆栈技术封装更多单元达到容量增多的目的。三星V-NAND近几年一路从24层、32层过度到48层，而单Die的容量也一路翻倍提升。第四代V-NAND闪存仍然是3bit闪存（TLC）规格，闪存颗粒堆栈层数一跃增加到64层，闪存容量还是256Gb但接口速率高达1Gbps，三星预计64层V-NAND闪存的性能比上代快50%。另外功耗方面电压从3.3V降到2.5V，漏电减少可靠性提升，能效方面也有30%提升。