长鑫G5平台量产良率领先,利润率超三星海力士位居全球存储第一

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喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。
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存储芯片明天估计要疯狂了这话得从今天(9月20日)接连爆出的几条重磅消息说起。今天长鑫科技在世界制造业大会正式官宣,第五代DRAM技术平台G5实现量产,单片晶圆裸片产出相比上一代提升50%以上,24GB的LPDDR5X产品已经导入国产旗舰手机供应链,国产DRAM工艺正式跻身全球第一梯队。大洋彼岸美股同步异动,闪迪单日大涨接近11%,美光上涨4%,费城半导体指数尾盘大幅拉升。再叠加现货市场涨价数据:三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%,服务器DRAM同样环比13%-18%,企业级SSD涨幅达到20%-25%,NOR Flash上半年价格直接翻倍。多条利好集中共振,不少人预期,明天A股存储板块大概率要迎来强势表现。但如果简单理解成闭眼冲就能赚钱,那就太片面了。这一轮存储芯片涨价,和历史上几轮周期复苏有着本质区别。过去存储涨价,大多是消费电子需求回暖带来全行业普涨。而这一轮,是AI服务器把整个产业链结构性拧巴了。三星、SK海力士、美光,把最先进的产能大规模倾斜给HBM高带宽内存。一台AI服务器需要上百TB的存储资源,直接挤压消费级DRAM、NAND的产能供给。三星甚至已经把2031年前大约70%的先进产能锁定给英伟达、微软、谷歌这些海外巨头的长约订单。这不是传统周期复苏,而是AI算力浪潮,在给整个存储产业重新定价。盘面的分化也印证这一点:DRAM、服务器存储涨势凶猛,但NAND内部已经明显撕裂。消费级SSD、移动存储,受制于终端消费需求疲软,价格反而承压。行情不是全行业普涨,而是AI存储强、消费存储弱的结构性行情。国产存储的实力确实已经站上全新台阶,长鑫成长为全球第四大DRAM厂商,长江存储3D NAND市场份额突破13%,G5平台量产更是补齐国产工艺短板。但现实矛盾同样客观存在:国产存储产能释放需要时间,AI存储需求的扩张速度,远远跑赢产能扩张速度。瑞银测算,2027年全球DRAM需求同比增长36.2%,但是供给增速仅有19.3%,供需缺口会从‑8.1%进一步扩大至‑13.6%,是近三十年十分罕见的供需失衡局面。换句话讲,这一轮行情不是短期题材炒作,是供需基本面支撑的中长期产业趋势。摩根士丹利专门提出“芯片通胀(Chipflation)”概念,明确本轮存储上行周期有望延续至2027年。不过资本市场从来不会简单线性演绎基本面。三星、SK海力士的股价自今年6月高点回落,最大回撤已经达到30%-42%,海外资金已经在提前博弈周期见顶的风险。回到A股,明天存储板块大概率高开,但追高风险不容忽视。长鑫G5量产这条消息,今天已经在市场充分发酵,不排除出现利好开盘兑现的局面。基本面景气不代表短线买入就能赚钱,结构性行情之下,要区分服务器、AI相关存储标的与传统消费存储企业,切忌盲目跟风。各位读者怎么看待存储板块接下来的走势,欢迎评论区交流探讨。⚠️风险提示:本文仅整理公开产业资讯,不构成任何投资建议。存在产能释放超预期、下游AI资本开支不及预期、价格回调等风险,股市有风险,投资需谨慎。
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1. 喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。

2. 存储芯片明天估计要疯狂了这话得从今天(9月20日)接连爆出的几条重磅消息说起。今天长鑫科技在世界制造业大会正式官宣,第五代DRAM技术平台G5实现量产,单片晶圆裸片产出相比上一代提升50%以上,24GB的LPDDR5X产品已经导入国产旗舰手机供应链,国产DRAM工艺正式跻身全球第一梯队。大洋彼岸美股同步异动,闪迪单日大涨接近11%,美光上涨4%,费城半导体指数尾盘大幅拉升。再叠加现货市场涨价数据:三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%,服务器DRAM同样环比13%-18%,企业级SSD涨幅达到20%-25%,NOR Flash上半年价格直接翻倍。多条利好集中共振,不少人预期,明天A股存储板块大概率要迎来强势表现。但如果简单理解成闭眼冲就能赚钱,那就太片面了。这一轮存储芯片涨价,和历史上几轮周期复苏有着本质区别。过去存储涨价,大多是消费电子需求回暖带来全行业普涨。而这一轮,是AI服务器把整个产业链结构性拧巴了。三星、SK海力士、美光,把最先进的产能大规模倾斜给HBM高带宽内存。一台AI服务器需要上百TB的存储资源,直接挤压消费级DRAM、NAND的产能供给。三星甚至已经把2031年前大约70%的先进产能锁定给英伟达、微软、谷歌这些海外巨头的长约订单。这不是传统周期复苏,而是AI算力浪潮,在给整个存储产业重新定价。盘面的分化也印证这一点:DRAM、服务器存储涨势凶猛,但NAND内部已经明显撕裂。消费级SSD、移动存储,受制于终端消费需求疲软,价格反而承压。行情不是全行业普涨,而是AI存储强、消费存储弱的结构性行情。国产存储的实力确实已经站上全新台阶,长鑫成长为全球第四大DRAM厂商,长江存储3D NAND市场份额突破13%,G5平台量产更是补齐国产工艺短板。但现实矛盾同样客观存在:国产存储产能释放需要时间,AI存储需求的扩张速度,远远跑赢产能扩张速度。瑞银测算,2027年全球DRAM需求同比增长36.2%,但是供给增速仅有19.3%,供需缺口会从‑8.1%进一步扩大至‑13.6%,是近三十年十分罕见的供需失衡局面。换句话讲,这一轮行情不是短期题材炒作,是供需基本面支撑的中长期产业趋势。摩根士丹利专门提出“芯片通胀(Chipflation)”概念,明确本轮存储上行周期有望延续至2027年。不过资本市场从来不会简单线性演绎基本面。三星、SK海力士的股价自今年6月高点回落,最大回撤已经达到30%-42%,海外资金已经在提前博弈周期见顶的风险。回到A股,明天存储板块大概率高开,但追高风险不容忽视。长鑫G5量产这条消息,今天已经在市场充分发酵,不排除出现利好开盘兑现的局面。基本面景气不代表短线买入就能赚钱,结构性行情之下,要区分服务器、AI相关存储标的与传统消费存储企业,切忌盲目跟风。各位读者怎么看待存储板块接下来的走势,欢迎评论区交流探讨。⚠️风险提示:本文仅整理公开产业资讯,不构成任何投资建议。存在产能释放超预期、下游AI资本开支不及预期、价格回调等风险,股市有风险,投资需谨慎。

3. 大半夜刷到这条,我刚闭上的眼又睁开了!长鑫科技一纸公告,把国产存储的底牌亮出来了,这才是真正的高手过招公告说:第五代工艺技术平台正式量产,大容量LPDDR5X产品同步展出。但截至公告披露日,量产产品还没有形成规模销售,短期内不会对经营业绩产生重大影响。别被前半句冲昏头,也别被后半句吓破胆。这不是利空,这是大实话。芯片从量产到规模销售,中间隔着良率爬坡、客户验证、产能释放,少则半年,多则一年。公司主动把这句话写进公告,不是心虚,是负责任。比起那些蹭着概念就敢喊业绩爆表的,长鑫这盆冷水泼得漂亮。但冷水背后,是一场酣畅淋漓的翻身仗。以前内存市场,三星、海力士、美光三家说了算。价格说涨就涨,产能说砍就砍,国产手机厂商只能咬着牙买单。现在长鑫第五代平台量产,24GB LPDDR5X全面进入国产主流旗舰手机,晶圆产出比上一代提升50%以上。这意味着什么?意味着内存的定价权,终于有人开始撬了。散户还在盯着K线图上的红绿柱子发抖,产业资本已经把厂房、设备、土地全押上去了。下周的存储芯片、半导体设备板块,不用想,绝对有人借题发挥。但那些只想着蹭热度、割一波韭菜就跑的人,迟早要凉。这波大浪淘沙,真正的试金石是什么?不是那句正式量产,而是良率能不能稳住,规模销售什么时候来,国产旗舰手机里那颗内存,到底是不是长鑫的。什么时候咱爸咱妈换手机,不再问这内存是三星的还是海力士的,而是直接说国产的,便宜又好用,这存储才算真落地。门已经敞开了,公告都拍到你脸上了。别光盯着大盘瞎哆嗦了。去看看谁在真爬坡,谁在真交货,谁能让内存价格降下来。晶圆不会说谎,量产不会骗人。但只有规模销售,才是真正的印钞机。

4. 全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家占据90%以上份额。2026年第二季度HBM市场,SK海力士占50%,三星升至33%,美光18%。格局看起来稳固,但底部的变量在加速。   长鑫存储2025年月产能18万片晶圆,2026年增至30万片,2028年目标50万片,2031年有望达到80万片,占全球DRAM晶圆产能约15%。更关键的是技术层面:长鑫第五代DRAM技术平台已实现量产,每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%,同步展出了大容量LPDDR5X新品。   长江存储在NAND领域的全球出货量份额达到14%。武汉第三座工厂计划将量产时间从2027年提前到2026年底,全部投产后总产能翻一番以上。   设备端的国产化也在同步推进。长鑫新一代工艺平台国产设备占比有望超过40%。这意味着国产存储的扩产不是孤立的产能增加,而是上游设备、材料、封测环节的协同推进。   部分市场观点认为,两家企业的增产努力将在2027年下半年集中释放,届时供需有望趋于平衡,大概率终结本轮涨价。   我的看法是,国产存储目前的战略价值不在于“终结涨价”,而在于“减少被动”。在一个供给端高度集中的全球市场里,存在一个具备规模和技术迭代能力的本土供应商,本身就是对定价权的一种制衡。   国产存储距离在全球DRAM市场获得实质性定价影响力,你认为还需要突破哪些环节?

5. 长鑫这数据有点吓人:2026年二季度营业利润率约82%,超过SK海力士(76%)和三星(70%),全球存储第一。且已具备HBM3量产能力,合肥+北京三座厂月产能约30万片,新厂2027投产后翻倍,当年就能供300万颗24GB HBM3、撑50-75万颗国产GPU。从"被卡"到"反超利润",中国存储这口气,终于喘匀了。

6. 全球HBM产能,依然由三星、SK海力士、美光把持,凭借成熟技术,规模化产能优势,占据DRAM、HBM市场,绝对主导地位,预计未来三年,迎来新扩产潮,四大厂商月产能,总计从195万片,或增至259万片,以应对AI算力爆发,当下值得关注的,是国产替代进展,长鑫存储处在低端,占全球份额约8%,但扩产领跑行业,三年产能或翻倍,跻身第三大产能,将打破海外垄断、构建国产存储供应链。

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9. 长鑫存储狂飙扩产,真正闷声发财的是这10家!第9家直接签下27亿15年大单。 很多人天天盯着长鑫存储的DRAM突破,却忽略了一个更赚钱的逻辑:长鑫每扩一条产线,背后这10家供应商就多一份实打实的订单。 今天一次讲透,建议先收藏。 1. 深科技 旗下沛顿科技是长鑫核心封测外包商,合肥封测基地满产运行还在扩产,同时直接参与长鑫相关投资。封测+投资双卡位,绑定最深。 2. 拓荆科技 多款薄膜沉积设备批量导入长鑫DRAM产线,覆盖多道核心制程。国产薄膜设备在存储线的渗透,它是头号受益者。 3. 北方华创 国产设备第一梯队,刻蚀、PVD、CVD等设备批量导入长鑫产线。长鑫每建一座厂,北方华创的订单池就厚一层。 4. 兆易创新 长鑫最核心合作伙伴。自有品牌DRAM由长鑫代工,同时代销长鑫全系DRAM产品。产销两端都绑在一起,利益高度一致。 5. 安集科技 为长鑫晶圆平坦化工艺提供CMP抛光液,已通过验证并批量稳定供货。耗材属性,一旦导入就是持续复购。 6. 雅克科技 供应DRAM先进制程专用高介电常数、硅基等多款前驱体材料,是长鑫稳定材料供应商。先进制程越往前走,它的价值越大。 7. 沪硅产业 国内12英寸大硅片主力厂商,产品批量供应长鑫主流成熟制程。硅片是晶圆制造最底层原料,长鑫产能爬坡直接拉动需求。 8. 德福科技 自研3微米超薄载体铜箔通过长鑫验证,2025年起小批量供货,适配DRAM高端封装。技术门槛高,先发卡位优势明显。 9. 广钢气体 2024年中标长鑫15年长期现场制气项目,合同含税总额超27亿元,专属配套合肥基地。15年长单锁死,这才是真正的“躺赢”。 10. 江丰电子 国内头部存储芯片原厂核心靶材供应商,长鑫供应链的重要一环。靶材虽小,却是溅射工艺不可替代的耗材。 一句话总结: 长鑫存储是台前的主角,但这10家才是幕后真正吃到扩产红利的人。排名不分先后,每一家都卡在关键环节——设备、材料、封测、气体、靶材,缺一不可。 声明:依据网络公开信息整理,不做任何投资建议。

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11. 国产存储再迎产业拐点!长鑫G5平台量产,芯片供应链重塑带来投资新逻辑 发布时间:2026-09-20 导语:9月20日,2026世界制造业大会上,长鑫科技官宣第五代DRAM技术平台正式量产。从金融与产业投资视角看,这不仅仅是一次技术突破,更是国内半导体存储产业链从研发走向规模化商用的关键拐点,将重塑存储赛道的供需格局与估值逻辑。 存储芯片属于电子行业的周期核心赛道,DRAM更是消费电子、服务器的基础元器件,行业长期由海外巨头主导,供给格局高度集中,价格周期性波动极强。过去国内高端移动DRAM产能不足,国内手机厂商大容量旗舰内存高度依赖进口,供应链安全、成本都存在不确定性,也制约国内存储产业链企业的盈利空间。 本次长鑫第五代G5工艺平台实现多项核心指标突破:内存阵列有源区半间距11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度优化至6762纳米。工艺迭代带来最直观的变化,同等晶圆条件下,芯片产出相比上一代提升50%以上。更高的单片产出,意味着摊薄单位制造成本,具备大规模商业化的经济基础。 基于G5平台打造的24GB LPDDR5X内存芯片已经量产,批量供给国产主流旗舰手机。从产业资本角度,这代表国产DRAM成功切入高端移动终端市场,完成从技术样品到终端大规模供货的跨越。 对于资本市场而言,该事件有两层核心#长鑫存储概念股# #长鑫存储产业链# #长鑫科技集团# #长鑫半导体# #长鑫科技一季报# #长鑫存储股票# #高端存储芯片# 第一,国产存储产业化加速,上游半导体设备、材料配套企业有望持续受益。长鑫扩产落地,会持续拉动配套供应链订单,带动国内半导体材料、设备厂商订单释放。 第二,供给端多元化,降低国内终端厂商的海外供应链依赖,减少海外存储巨头的定价话语权,平滑DRAM行业周期波动带来的风险。 当然也要客观看待,当前全球DRAM市场竞争依旧激烈,海外厂商在服务器级存储、全球市场份额上仍具备优势。国产存储的追赶是长期工程,本次量产是重要里程碑,但并非一蹴而就。后续需要持续观察良率爬坡、产能释放、客户拓展以及产品持续迭代进度。 长期来看,半导体自主可控是确定性产业方向,存储作为核心赛道,国产替代进程稳步推进,产业链相关企业有望持续收获成长红利。 #长鑫科技IPO# #长鑫科技 #DRAM芯片 #国产半导体 #存储芯片 #产业投资 #世界制造业大会

12. 11.95纳米,接近全球顶尖!长鑫存储宣布G5平台量产

13. 9月20日,在合肥举办的2026世界制造业大会上,长鑫存储放了个“大招”:第五代DRAM内存技术平台正式量产。说人话就是,长鑫把国产内存从“能用、够用”,又往前推到了“高端、能打”的阶段。 你可以把DRAM理解成手机、电脑、服务器里的“临时工作台”——程序跑起来,数据先放这里。以前高端手机用的高速低功耗内存,基本被三星、SK海力士、美光几家海外大厂把着;现在长鑫的第五代平台量产,意味着国产内存开始真正啃高端市场这块硬骨头。 这次长鑫不是只喊口号。新平台靠多重曝光把内存阵列线宽压到约11.95纳米,电容深宽比做到45:1,同等一张晶圆能切出来的芯片比上一代多50%以上。大会现场还摆出了基于新平台做的24Gb LPDDR5X,单颗容量比上代提升50%,主要给中高端手机、便携设备用,而且已经规模量产。再叠加此前LPDDR6在国产旗舰手机上落地,长鑫等于在“手机内存高端化”这件事上,把国产替代的门踹开了。 放到产业里看,这不只是长鑫一家高兴的事,而是整条国产存储链都被带起来了。长鑫自己没上市,但市场里有一大批公司会间接受益,可以分成几类来说: 第一类是半导体设备。长鑫越往先进制程走,买设备、换产线、扩产能就越狠。北方华创这种平台型设备龙头,刻蚀、薄膜、炉管、清洗都能供;中微公司做关键刻蚀,尤其深孔、高深宽比这类DRAM最难工艺;拓荆科技做薄膜沉积;华海清科做CMP抛光;盛美上海做湿法清洗。新平台工艺更复杂,设备用量和迭代需求只会更多。 第二类是半导体材料。晶圆造出来要硅片、要特气、要前驱体、要抛光液、要靶材。沪硅产业的大硅片,安集科技的抛光液,雅克科技的前驱体和电子材料,江丰电子的靶材,金宏气体、广钢气体做特种气体,上海新阳做电子化学品,都会跟着长鑫产能释放吃到订单。 第三类是封测和模组。芯片做出来还得封装、测试、做成模组卖出去。深科技通过沛顿科技深度配套存储封测;江波龙、佰维存储这些模组厂可以把国产DRAM做成内存条、手机存储、企业级SSD,借国产原厂供货+存储涨价周期放大利润;德明利这类消费存储厂商也会受益于行业景气度回升。 第四类是芯片设计和配套。兆易创新做NOR Flash、利基存储,还和长鑫有股权及业务协同,既能跟产业一起热,也能间接分享长鑫成长;澜起科技做内存接口和相关配套芯片,DRAM出货越多,配套芯片需求越旺;北京君正、普冉股份在车规存储、NOR Flash等细分赛道也会沾光。#长鑫存储产业链# #长鑫科技集团# #长鑫半导体# #DRAM内存# #长鑫芯片#

14. 📊 两大存储巨头的跨界战局 长鑫存储(DRAM内存龙头):9月正式宣布筹备进入NAND Flash闪存市场,其第五代技术平台已实现量产,同等晶圆的芯片产出率提升50%以上,单颗高端内存的硬性制造成本直接下降超三分之一,2026年第二季度息税前利润率高达82%,有充足利润支撑跨界扩张。 长江存储(NAND闪存龙头):早在2025年4月就已完成低功耗DRAM内存样品送样,2026年底武汉新工厂将初步投产,规划月产10万片12英寸晶圆,一半产能用于生产DRAM,依托独家Xtacking专利技术大幅降低内存制造成本。

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19. 突发!长鑫存储微缩工艺重大突破,DRAM产业链迎来价值重估! 国产存储芯片,再一次让市场沸腾。 9月20日,长鑫存储宣布实现微缩工艺新突破——G5平台每片晶圆产出裸片提升50%。这意味着,在同等产能投入下,长鑫的DRAM芯片产出效率大幅跃升,成本曲线有望显著下探,产品竞争力与行业话语权同步强化。 这不是一次普通的工艺迭代。在存储芯片这个“得产能者得天下”的赛道里,晶圆产出效率直接决定成本优势和供货能力。G5平台的突破,标志着国产DRAM在先进制程与量产经济性上迈出了关键一步。 消息落地,产业链随之躁动。以下核心标的值得重点关注: 长鑫KJ——本次G5 DRAM技术平台量产主体,技术突破直接强化其产品竞争力与行业领先地位,是产业链最核心的受益方。 深K技——子公司沛顿承接长鑫超半数DRAM封测订单。G5量产意味着封测需求同步放量,业绩弹性直接。 雅克KJ——国内半导体前驱体龙头,已批量供应长鑫。工艺升级带动材料价值量提升,护城河进一步加深。 北方HC——国产半导体设备龙头,多品类设备已进入长鑫产线。工艺升级拉动采购需求,订单预期向好。 商络DZ——长鑫存储授权经销商,代理LPDDR5X全系列。新品放量带动分销业务增长,渠道价值凸显。 兆易CX——与长鑫同实控人,DRAM由长鑫代工。G5工艺升级直接提升其产品竞争力,协同效应持续释放。 为什么这次突破值得高度重视? 过去几年,国产存储芯片的核心叙事是“从0到1”。而G5平台的意义在于“从1到N”——它不仅证明了技术可行性,更证明了商业可行性。每片晶圆产出裸片提升50%,意味着单位成本大幅下降,国产DRAM在性价比上的竞争力将显著增强。 对于产业链而言,长鑫的产能扩张和技术升级,将带动封测、材料、设备、分销等环节同步受益。这是一条从“单点突破”走向“链式反应”的传导路径。 风险提示: 历史数据仅供参考,不构成投资决策依据,据此操作风险自担,不建议买入。股市有风险,投资需谨慎。 国产存储的拐点,或许正在到来。你怎么看?欢迎评论区聊聊。 #长鑫存储 #DRAM #国产芯片 #半导体产业链 #G5平台

20. 长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台实现量产,工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点

21. 存储芯片明天估计要疯狂了 重磅利好落地,长鑫科技第五代存储平台正式量产,国产存储迎来大爆发。不少持仓存储芯片的投资者已经做好准备,期待明天板块迎来继续上涨行情。 下午4点35分,周末半导体行业迎来一则硬核产业消息。在2026世界制造业大会上,长鑫科技官宣第五代存储技术平台实现量产。新一代工艺大幅提升存储密度,同尺寸晶圆的芯片产出量直接提升50%以上,生产效率实现跨越式增长。依托这套平台研发的24GB LPDDR5X内存芯片,已经完成量产,并且成功搭载在国产主流旗舰手机当中。 长鑫第五代平台量产,是国产存储芯片从追赶向赶超迈进的关键一步。长期以来,DRAM存储市场被海外巨头牢牢占据,国内存储发展一直面临技术壁垒。这次工艺升级,不仅进一步打破海外技术垄断,还会带动上下游设备、材料、封测等整条存储产业链的国产替代提速。 对于存储芯片板块而言,这不仅仅是单点技术突破的新闻,更是产业红利开始释放的标志性利好。叠加此前存储芯片涨价周期的预期,消息很容易刺激资金进场,带动板块情绪走高。 不过也要理性看待行情。技术量产落地,到企业财报业绩兑现,中间还有一段周期。短期板块容易受情绪推动冲高,随之而来的震荡回调风险不能忽视。同时,海外存储大厂的产能调整、下游消费电子需求变化,都会影响行业供需格局。 ⚠️风险提示:本文仅为行业资讯与盘面观点分享,不构成任何投资建议。板块波动幅度较大,股市有风险,入市需谨慎。 #你问我答#

22. 长鑫第五代存储量产,国产芯片这次真追上来了

23. 喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。 今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。 这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。

24. 长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域

25. 🔥 长鑫存储大突破!这7家公司才是真正的“隐形冠军”? 最近,长鑫存储在内存工艺上传来重磅进展,国产存储产业链再次站上风口。熊猫投研梳理了7大弹性核心标的,逻辑很硬,值得细品: 🥇 精智达:长鑫测试环节核心供应商,设备细分稀缺+小市值,弹性最大。 🥈 兆易创新:利基DRAM由长鑫独家代工,同实控人+存储涨价,双重催化。 🥉 沪硅产业:存储硅片占营收六成以上,长鑫扩产直接拉动,业绩确定性高。 4️⃣ 广钢气体:与长鑫签长期供气协议,配套合同锁死+小市值,想象空间足。 5️⃣ 盛美上海:多条产线批量采购,清洗设备国产化率持续提升。 6️⃣ 华海清科:DRAM/HBM平坦化工艺核心,CMP国产替代急先锋。 7️⃣ 江波龙:长鑫DRAM重要客户,模组涨价传导最直接,弹性不容小觑。 💡 一句话总结:长鑫突破不是单点利好,而是从设备、材料到模组的全链条共振。国产存储的“黄金时代”,或许才刚刚开始。 ⚠️ 提醒:以上内容为视频信息整理,不构成投资建议。投资有风险,入市需谨慎。 #长鑫存储 #国产芯片 #存储芯片 #A股 #投资机会

26. 长鑫存储:第五代技术平台正式量产!

27. 长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局

28. 消息人士:长鑫存储正准备进入闪存市场,将在京新建NAND闪存产线

29. 🔴 DIGITIMES:存储大缺货引发长江存储、长鑫存储“龙头之争”,专利攻防或升温 🕒 时间:2026年9月22日 03:00(北京时间) 信息来源:DIGITIMES科技网,作者韩青秀;公开页面标题与摘要 大白话理解总结:DIGITIMES称,全球存储器缺货加剧后,长江存储与长鑫存储都在扩大产业版图,市场开始讨论两家公司争夺中国存储产业龙头地位,并担心竞争进一步延伸到专利领域。但公开页面正文受限,目前没有披露具体诉讼、专利编号、侵权对象或产能数字,“专利战一触即发”仍是媒体对竞争升级的判断。 一句话总结:缺货周期给国产存储扩产和提高份额创造窗口,但长江存储与长鑫存储核心产品不同,当前更像产业地位与生态资源竞争,不能仅凭标题写成双方已经正式开打专利战。 市场影响程度:较高。国产NAND与DRAM同时扩张,会影响设备、材料、封测和模组需求;如果专利攻防真的发生,也会影响技术授权、客户导入和扩产节奏。 先厘清两家公司的定位。长江存储主要布局NAND Flash,产品用于SSD、手机存储、企业级存储和其他闪存场景;长鑫存储主要布局DRAM,应用于服务器、PC、手机和各类计算设备。 NAND和DRAM都属于存储芯片,但技术路线、产品功能和市场结构不同。前者更偏长期数据存储,后者负责计算过程中的高速临时数据读写。因此,两家公司目前并不是在同一种核心产品上直接争夺订单。 DIGITIMES标题中的“龙头之争”,更适合理解为中国存储产业代表性企业之间的地位、资本、人才、供应链资源和政策关注度竞争,而不是长江存储用NAND直接替代长鑫DRAM。 这轮讨论的背景是存储器供应紧张。缺货与涨价能够改善存储厂商收入和现金流,也会刺激客户提前锁定产能。对国产厂商而言,海外供给吃紧可能带来更多验证和替代机会。 但景气上行也会放大竞争。两家公司扩张产能、产品线和客户范围后,在设备、材料、工程人才、封测资源和终端客户认证方面可能出现更多交集。 专利则是存储行业最重要的竞争壁垒之一。NAND和DRAM都需要大量器件结构、制程、控制算法、封装和接口专利。企业规模越大、海外销售越多,面临授权谈判和知识产权争议的概率就越高。 不过,公开页面目前只显示标题、作者、发布时间和图片说明,正文在登录或订阅处受到限制 1000字限制更多在星球

30. 传长鑫存储准备进入NAND闪存市场,将建造研发生产线

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