长鑫G5平台量产良率领先,利润率超三星海力士位居全球存储第一
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喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。
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存储芯片明天估计要疯狂了这话得从今天(9月20日)接连爆出的几条重磅消息说起。今天长鑫科技在世界制造业大会正式官宣,第五代DRAM技术平台G5实现量产,单片晶圆裸片产出相比上一代提升50%以上,24GB的LPDDR5X产品已经导入国产旗舰手机供应链,国产DRAM工艺正式跻身全球第一梯队。大洋彼岸美股同步异动,闪迪单日大涨接近11%,美光上涨4%,费城半导体指数尾盘大幅拉升。再叠加现货市场涨价数据:三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%,服务器DRAM同样环比13%-18%,企业级SSD涨幅达到20%-25%,NOR Flash上半年价格直接翻倍。多条利好集中共振,不少人预期,明天A股存储板块大概率要迎来强势表现。但如果简单理解成闭眼冲就能赚钱,那就太片面了。这一轮存储芯片涨价,和历史上几轮周期复苏有着本质区别。过去存储涨价,大多是消费电子需求回暖带来全行业普涨。而这一轮,是AI服务器把整个产业链结构性拧巴了。三星、SK海力士、美光,把最先进的产能大规模倾斜给HBM高带宽内存。一台AI服务器需要上百TB的存储资源,直接挤压消费级DRAM、NAND的产能供给。三星甚至已经把2031年前大约70%的先进产能锁定给英伟达、微软、谷歌这些海外巨头的长约订单。这不是传统周期复苏,而是AI算力浪潮,在给整个存储产业重新定价。盘面的分化也印证这一点:DRAM、服务器存储涨势凶猛,但NAND内部已经明显撕裂。消费级SSD、移动存储,受制于终端消费需求疲软,价格反而承压。行情不是全行业普涨,而是AI存储强、消费存储弱的结构性行情。国产存储的实力确实已经站上全新台阶,长鑫成长为全球第四大DRAM厂商,长江存储3D NAND市场份额突破13%,G5平台量产更是补齐国产工艺短板。但现实矛盾同样客观存在:国产存储产能释放需要时间,AI存储需求的扩张速度,远远跑赢产能扩张速度。瑞银测算,2027年全球DRAM需求同比增长36.2%,但是供给增速仅有19.3%,供需缺口会从‑8.1%进一步扩大至‑13.6%,是近三十年十分罕见的供需失衡局面。换句话讲,这一轮行情不是短期题材炒作,是供需基本面支撑的中长期产业趋势。摩根士丹利专门提出“芯片通胀(Chipflation)”概念,明确本轮存储上行周期有望延续至2027年。不过资本市场从来不会简单线性演绎基本面。三星、SK海力士的股价自今年6月高点回落,最大回撤已经达到30%-42%,海外资金已经在提前博弈周期见顶的风险。回到A股,明天存储板块大概率高开,但追高风险不容忽视。长鑫G5量产这条消息,今天已经在市场充分发酵,不排除出现利好开盘兑现的局面。基本面景气不代表短线买入就能赚钱,结构性行情之下,要区分服务器、AI相关存储标的与传统消费存储企业,切忌盲目跟风。各位读者怎么看待存储板块接下来的走势,欢迎评论区交流探讨。⚠️风险提示:本文仅整理公开产业资讯,不构成任何投资建议。存在产能释放超预期、下游AI资本开支不及预期、价格回调等风险,股市有风险,投资需谨慎。
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