英伟达将转向8层堆叠，但Rubin GPU仍将采用12层堆叠HBM4

尽管此前有报道称英伟达正推动其供应商采用复杂度较低的8层堆叠配置，但预计该公司下一代Rubin AI加速器将主要搭载12层堆叠的HBM4内存。与此同时，持续的内存短缺可能会在2027年推高HBM价格。

据DIGITIMES最新报道援引Counterpoint Research的研究显示，大多数基于Rubin架构的产品预计将保留原有的12层HBM4配置。这与早些时候的猜测相矛盾，此前有推测认为英伟达正转向容量更低的堆叠方案，以应对制造挑战和供应限制。

事实上，英伟达官方公布的Rubin GPU规格已经明确了12层堆叠HBM4配置，每颗GPU可提供高达288 GB的内存容量和惊人的22 TB/s带宽。Counterpoint认为，对于要求苛刻的AI工作负载而言，此类能力仍然至关重要，因为在这些场景下，内存带宽和容量优先于成本节约。该研究机构还声称，没有发现任何定制AI ASIC（专用集成电路）采用4层堆叠HBM的证据。

韩国ZDNet Korea早在8月份就曾报道，英伟达已要求三星电子和SK海力士在2026年下半年增加其8层堆叠HBM4的供应。据报道，此举的动机源于散热问题、制造良率以及供应链可用性。与HBM3E相比，HBM4将内存接口宽度翻倍至2,048位，而堆叠和键合12个DRAM芯片则带来了额外的制造复杂性。

这些报道并不一定相互矛盾。英伟达可以在为大多数Rubin加速器保留12层堆叠配置的同时，增加对8层堆叠HBM4的采用，尽管该公司尚未正式确认其内存供应策略的任何变化。后续Rubin Ultra平台的规格也仍在评估中。

更重要的是，降低HBM堆叠高度并不一定会转化为更便宜的内存。据TrendForce称，到2027年，8层堆叠HBM产品每千兆比特的价格可能比其12层堆叠同类产品高出10–20%。

这是因为每个HBM堆叠都需要一个基础芯片，其制造成本必须分摊到更少的DRAM层上，在8层堆叠配置中，分摊的层数更少。尽管如此，较小的堆叠可以让制造商在有限的DRAM产能下供应更多加速器，同时降低每颗GPU的整体内存成本。

TrendForce还预测，受持续供应短缺、高端HBM4采用率不断增长以及HBM4E预计于下半年推出的推动，2027年HBM混合平均售价将同比大幅上涨121%。这一预测反映的是产品组合的变化，而非所有HBM产品价格的统一上涨。尽管如此，随着AI加速器与传统DRAM争夺有限的制造产能，内存行业的定价压力恐怕仍难以缓解。