AI引爆存储“超级周期”:DRAM或暴涨88%,手机电脑恐涨价或减配

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01-09 07:32

在人工智能(AI)浪潮的推动下,全球存储芯片市场正迎来一场剧烈的供需失衡,多家华尔街投行及市场分析机构接连发出警告,预测DRAM(动态随机存取存储器)价格将在未来一到两年内出现惊人涨幅。其中,花旗集团的预测尤为激进,认为到2026年,DRAM的平均售价(ASP)可能同比暴涨88%,NAND闪存也将上涨74%。

AI引爆需求,供需天平严重倾斜

本轮存储芯片价格飙升的核心驱动力,是AI技术发展带来的结构性需求爆炸。AI服务器内存的需求远超传统服务器,通常是后者的8到10倍。随着谷歌、微软、亚马逊等全球云服务巨头在2026年预计投入高达6000亿美元用于AI基础设施建设,对高性能服务器内存的需求呈几何级数增长。

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用于AI GPU的高带宽内存(HBM)成为市场“宠儿”,其高昂的利润吸引了三星、SK海力士、美光这三大存储巨头将大量产能优先转向HBM的生产。由于HBM的生产会消耗数倍于普通DRAM的晶圆产能,这一战略性调整直接挤压了用于个人电脑、智能手机等消费电子产品的通用DRAM和NAND闪存的供应,造成了“釜底抽薪”的效应。

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花旗银行的分析师更进一步指出,除了AI服务器,AI Agent(人工智能代理)的普及将带来数据的爆炸式增长,这将对通用服务器的内存需求产生比预期更为陡峭的拉升作用,这也是其给出88%涨幅预测的关键所在。

供应端瓶颈重重,扩产远水难解近渴

面对需求的井喷,供应端的反应却显得“心有余而力不足”。一方面,存储厂商在经历了上一轮下行周期的亏损后,对大规模扩产持谨慎态度,担心AI需求不及预期导致产能过剩。

另一方面,新增产能面临着物理和技术上的双重制约。据野村证券指出,全球洁净室(cleanroom)的短缺严重制约了新工厂的建设速度,即便厂商现在决定扩产,实质性的产能释放也要等到2027年中期以后。此外,向更先进制程的技术迁移,初期反而会导致晶圆产能减少和良率降低。SK海力士甚至警告称,DRAM的供不应求局面预计将持续至2028年。

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这种严重的供需错配,使得定价权完全倒向卖方市场。三星与SK海力士等厂商已在2026年第一季度将服务器DRAM的报价大幅上调60%-70%,且客户接受度普遍较高,因为确保AI业务的部署优先级远高于控制存储成本。

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连锁反应显现,消费电子面临“涨价或减配”

存储芯片作为电子产品的核心部件,其成本飙升正迅速向整个产业链传导。内存成本在智能手机和个人电脑的总成本中占比已从过去的10%左右提升至15%-20%甚至更高。

戴尔、联想、小米等众多消费电子制造商已纷纷发出预警,表示将不可避免地把成本压力转移至消费者。分析师预测,2026年智能手机和个人电脑等终端产品价格可能普遍上涨5%到20%。

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除了直接涨价,厂商还可能采取“减配”策略来控制成本。例如,原本在中端手机中普及的12GB内存,未来可能成为高端机型的专属配置,中低端机型或将退回8GB甚至更低的内存规格,消费者的使用体验将受到直接影响。

综合来看,由AI引发的这场存储芯片“超级周期”并非短期现象,而是一场深刻的产业结构性变革。在未来至少到2026年底的周期内,严重的供需缺口将持续推动价格上行,其影响将广泛触及从云端数据中心到普通消费者口袋里的每一个角落。

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