长鑫G5量产市占破10%,国产内存补缺口,整机降价要等到2027年

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喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。
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存储芯片明天估计要疯狂了这话得从今天(9月20日)接连爆出的几条重磅消息说起。今天长鑫科技在世界制造业大会正式官宣,第五代DRAM技术平台G5实现量产,单片晶圆裸片产出相比上一代提升50%以上,24GB的LPDDR5X产品已经导入国产旗舰手机供应链,国产DRAM工艺正式跻身全球第一梯队。大洋彼岸美股同步异动,闪迪单日大涨接近11%,美光上涨4%,费城半导体指数尾盘大幅拉升。再叠加现货市场涨价数据:三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%,服务器DRAM同样环比13%-18%,企业级SSD涨幅达到20%-25%,NOR Flash上半年价格直接翻倍。多条利好集中共振,不少人预期,明天A股存储板块大概率要迎来强势表现。但如果简单理解成闭眼冲就能赚钱,那就太片面了。这一轮存储芯片涨价,和历史上几轮周期复苏有着本质区别。过去存储涨价,大多是消费电子需求回暖带来全行业普涨。而这一轮,是AI服务器把整个产业链结构性拧巴了。三星、SK海力士、美光,把最先进的产能大规模倾斜给HBM高带宽内存。一台AI服务器需要上百TB的存储资源,直接挤压消费级DRAM、NAND的产能供给。三星甚至已经把2031年前大约70%的先进产能锁定给英伟达、微软、谷歌这些海外巨头的长约订单。这不是传统周期复苏,而是AI算力浪潮,在给整个存储产业重新定价。盘面的分化也印证这一点:DRAM、服务器存储涨势凶猛,但NAND内部已经明显撕裂。消费级SSD、移动存储,受制于终端消费需求疲软,价格反而承压。行情不是全行业普涨,而是AI存储强、消费存储弱的结构性行情。国产存储的实力确实已经站上全新台阶,长鑫成长为全球第四大DRAM厂商,长江存储3D NAND市场份额突破13%,G5平台量产更是补齐国产工艺短板。但现实矛盾同样客观存在:国产存储产能释放需要时间,AI存储需求的扩张速度,远远跑赢产能扩张速度。瑞银测算,2027年全球DRAM需求同比增长36.2%,但是供给增速仅有19.3%,供需缺口会从‑8.1%进一步扩大至‑13.6%,是近三十年十分罕见的供需失衡局面。换句话讲,这一轮行情不是短期题材炒作,是供需基本面支撑的中长期产业趋势。摩根士丹利专门提出“芯片通胀(Chipflation)”概念,明确本轮存储上行周期有望延续至2027年。不过资本市场从来不会简单线性演绎基本面。三星、SK海力士的股价自今年6月高点回落,最大回撤已经达到30%-42%,海外资金已经在提前博弈周期见顶的风险。回到A股,明天存储板块大概率高开,但追高风险不容忽视。长鑫G5量产这条消息,今天已经在市场充分发酵,不排除出现利好开盘兑现的局面。基本面景气不代表短线买入就能赚钱,结构性行情之下,要区分服务器、AI相关存储标的与传统消费存储企业,切忌盲目跟风。各位读者怎么看待存储板块接下来的走势,欢迎评论区交流探讨。⚠️风险提示:本文仅整理公开产业资讯,不构成任何投资建议。存在产能释放超预期、下游AI资本开支不及预期、价格回调等风险,股市有风险,投资需谨慎。
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1. 喜报:明天存储板块可能受长鑫利好再涨一波,今天,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。今天,在2026世界制造业大会上,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。这是国产 DRAM 赛道里程碑式的技术突破,标志长鑫在先进内存工艺上持续追赶海外巨头,国产存储的技术壁垒与产能实力同步增厚,直接带动整个存储产业链的估值重估。全球存储行业本就处在涨价周期,AI 服务器、智能手机、车载端对内存需求持续走高,长鑫新平台量产,不仅大幅提升良率、降低单位颗粒生产成本,还加速国产存储颗粒在高端移动终端的渗透率,为国内存储模组、封测、半导体材料与设备企业打开增量订单空间。市场情绪有望被这条重磅消息点燃,长鑫产业链相关标的预期修复,长鑫概念标的有望再次进入上涨通道。板块内存储模组、存储芯片、半导体设备材料等细分方向,都将迎来事件催化,资金大概率会回流存储赛道,带动板块个股集体走强,资金会优先挖掘和长鑫深度绑定的产业链标的,迎来一轮估值修复行情。

2. 存储芯片明天估计要疯狂了这话得从今天(9月20日)接连爆出的几条重磅消息说起。今天长鑫科技在世界制造业大会正式官宣,第五代DRAM技术平台G5实现量产,单片晶圆裸片产出相比上一代提升50%以上,24GB的LPDDR5X产品已经导入国产旗舰手机供应链,国产DRAM工艺正式跻身全球第一梯队。大洋彼岸美股同步异动,闪迪单日大涨接近11%,美光上涨4%,费城半导体指数尾盘大幅拉升。再叠加现货市场涨价数据:三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%,服务器DRAM同样环比13%-18%,企业级SSD涨幅达到20%-25%,NOR Flash上半年价格直接翻倍。多条利好集中共振,不少人预期,明天A股存储板块大概率要迎来强势表现。但如果简单理解成闭眼冲就能赚钱,那就太片面了。这一轮存储芯片涨价,和历史上几轮周期复苏有着本质区别。过去存储涨价,大多是消费电子需求回暖带来全行业普涨。而这一轮,是AI服务器把整个产业链结构性拧巴了。三星、SK海力士、美光,把最先进的产能大规模倾斜给HBM高带宽内存。一台AI服务器需要上百TB的存储资源,直接挤压消费级DRAM、NAND的产能供给。三星甚至已经把2031年前大约70%的先进产能锁定给英伟达、微软、谷歌这些海外巨头的长约订单。这不是传统周期复苏,而是AI算力浪潮,在给整个存储产业重新定价。盘面的分化也印证这一点:DRAM、服务器存储涨势凶猛,但NAND内部已经明显撕裂。消费级SSD、移动存储,受制于终端消费需求疲软,价格反而承压。行情不是全行业普涨,而是AI存储强、消费存储弱的结构性行情。国产存储的实力确实已经站上全新台阶,长鑫成长为全球第四大DRAM厂商,长江存储3D NAND市场份额突破13%,G5平台量产更是补齐国产工艺短板。但现实矛盾同样客观存在:国产存储产能释放需要时间,AI存储需求的扩张速度,远远跑赢产能扩张速度。瑞银测算,2027年全球DRAM需求同比增长36.2%,但是供给增速仅有19.3%,供需缺口会从‑8.1%进一步扩大至‑13.6%,是近三十年十分罕见的供需失衡局面。换句话讲,这一轮行情不是短期题材炒作,是供需基本面支撑的中长期产业趋势。摩根士丹利专门提出“芯片通胀(Chipflation)”概念,明确本轮存储上行周期有望延续至2027年。不过资本市场从来不会简单线性演绎基本面。三星、SK海力士的股价自今年6月高点回落,最大回撤已经达到30%-42%,海外资金已经在提前博弈周期见顶的风险。回到A股,明天存储板块大概率高开,但追高风险不容忽视。长鑫G5量产这条消息,今天已经在市场充分发酵,不排除出现利好开盘兑现的局面。基本面景气不代表短线买入就能赚钱,结构性行情之下,要区分服务器、AI相关存储标的与传统消费存储企业,切忌盲目跟风。各位读者怎么看待存储板块接下来的走势,欢迎评论区交流探讨。⚠️风险提示:本文仅整理公开产业资讯,不构成任何投资建议。存在产能释放超预期、下游AI资本开支不及预期、价格回调等风险,股市有风险,投资需谨慎。

3. 宏碁董事长陈俊圣:存储并非真短缺,报价陷入混乱,国产厂商打响价格第一枪,明年内存SSD成本有望回落

4. 苹果这次被长鑫拒了,表面看是价格没谈拢,实际是存储行业的游戏规则变了。以前是买方说了算,现在是卖方说了算。而且更关键的是,国产存储的崛起逻辑,已经从“便宜替代”切换到了“我有你没有”。 先把这个事的来龙去脉捋清楚。 苹果近期想从长鑫采购LPDDR5X,用在下一代iPhone上。按照苹果一贯的玩法,它要的是比三星、海力士更低的价格。结果长鑫直接回绝,坚持报价不低于韩系两大厂,甚至更高。目前双方谈判没有落地,采购数量、机型、送样进度都没有官方确认,还停留在供应链传闻层面。 但长鑫为什么敢这么硬?第一层原因很直白:产能已经被国内客户锁满了。华为、小米这些国内头部厂商早就通过长期合同把长鑫大部分产能拿走了,长鑫根本不缺订单。不需要靠苹果的订单来撑产能利用率,自然没必要为了进苹果供应链去接受苛刻的降价条件。 这是国产存储第一次有底气对苹果说“不”,因为以前没得选,现在有的选。 再看一组数字,你就知道底气从哪来了。 2026年三季度,大多数DRAM产品均价环比涨了20%到30%,NAND涨超15%。更狠的是,云厂商已经提前签了合同,同意2027年一季度的DRAM采购价比2026年四季度还高。买方主动接受涨价,这在存储行业很少见。 供需缺口摆在那。2026年DRAM供需充足率只有约79%,远低于100%的平衡线,直到2027年才逐步回到接近均衡。核心原因是AI服务器把HBM的需求拉爆了,HBM已经吃掉了超过一半的DRAM出货量。供给端的挤压不是短期能解决的。 所以长鑫的硬气,不是耍脾气,是市场给的底气。整个行业都在缺货,这时候谁手里有产能,谁就能定规则。 第二个点更值得琢磨。 很多人还停留在老印象里:国产存储就是靠便宜抢市场。长鑫2016年成立的时候,确实是从DDR4这种成熟制程切入,靠价格优势慢慢挤进供应链。但那个阶段已经翻篇了。 长鑫今年9月正式宣布第五代DRAM技术平台量产,展出的两款LPDDR5X产品单颗容量24Gb,比上一代同类型产品提升50%,已经进入规模量产,全面进入国产主流旗舰手机。这不是PPT,是已经出货的东西。 产能也在快速逼近第一梯队。长鑫合肥、北京三座12英寸晶圆厂,月产能已经到28万到30万片,利用率长期保持在95%以上。到2026年底,预计月产能提升到35万到37.5万片,接近美光的同期水平。 更早的一组数据更有说服力。有报道显示,长鑫64GB DDR5模组的报价已经超过了三星每单位约1240美元的水准。不是比三星便宜,是比三星贵。 这说明什么?长鑫在部分产品线上,已经不需要靠低价来证明自己了。技术能打、产能上来、客户认账,定价权自然就往它这边挪。 最后说一个大多数讨论里没被提到的视角。 苹果过去几十年在全球供应链里有一套很成熟的操作:扶持第二供应商,制造竞争,压低价格。这套玩法在存储领域一直是管用的——美光、三星、海力士三家互相咬,苹果坐收渔利。 但现在这个套路不好使了。因为这三家自己都把产能往HBM那边倾斜,留给通用DRAM的产能越来越少。以前苹果可以拿“我去找另一家”来压价,现在三家都不够卖,你去找谁? 长鑫在这个时候出现,本来可以扮演一个“搅局者”的角色,用低价把水搅浑。但它选择不做。 原因也不复杂:不缺客户,没必要贱卖。 这就形成了一个很微妙的局面。苹果想用长鑫来制衡韩系厂商,结果长鑫不接这个活。韩系厂商没了低价竞争的威胁,反而更敢把价格挺住。苹果不仅没压到价,可能还得面对一个更贵的市场。 这件事的深层含义是:当供给端足够紧张的时候,买方用来制衡卖方的筹码会失效。苹果以前是牌桌上最会打牌的人,现在牌不够了,再会打也没用。 存储的这轮周期走到现在,已经不是简单的涨价故事了。定价权在换手,从三星、海力士、美光三家说了算,变成了四家一起定。长鑫手里的牌,不只是产能,还有中国这个全球最大的存储消费市场。 苹果这次碰壁,不是一次孤立的谈判失败。它是一个信号:国产存储的定价权,开始从“被动跟随”切换到“主动参与”了。至于这个切换能走多远,2028年那批新产能出来的时候,会有更清楚的答案。

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11. 中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片(DRAM)技术平台实现量产,新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存,数据容量也比同类前代产品高出50%。这项进展有望更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。 长鑫科技第五代DRAM量产的意义,不在于单点技术追平国际大厂,而在于它标志着中国存储芯片产业已初步走通“研发—量产—迭代”的完整闭环。存储芯片是半导体领域市场化程度最高、周期波动最剧烈的品类,能在这个赛道站稳并持续升级,说明国产厂商已具备参与全球价格与技术竞争的基本能力。容量提升50%固然是亮点,但更关键的是良率、功耗和量产规模能否同步兑现,否则技术发布与商业竞争力之间仍有距离。三星、SK海力士和美光在先进制程、产能规模和客户生态上的优势依然显著,长鑫短期内难以撼动其主导地位,但它的存在本身就在改变市场结构:一方面为国内手机、服务器厂商提供替代选项,降低供应链风险;另一方面也会迫使国际大厂重新评估定价策略与产能布局。真正值得关注的是,这种突破能否带动上游设备、材料和EDA工具的协同成熟。单点量产只是开始,存储产业的竞争最终拼的是体系韧性与持续投入的耐力。

12. 长鑫G5平台实现量产!国产存储迎来新台阶,板块机会要理性分辨

13. 全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家占据90%以上份额。2026年第二季度HBM市场,SK海力士占50%,三星升至33%,美光18%。格局看起来稳固,但底部的变量在加速。   长鑫存储2025年月产能18万片晶圆,2026年增至30万片,2028年目标50万片,2031年有望达到80万片,占全球DRAM晶圆产能约15%。更关键的是技术层面:长鑫第五代DRAM技术平台已实现量产,每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%,同步展出了大容量LPDDR5X新品。   长江存储在NAND领域的全球出货量份额达到14%。武汉第三座工厂计划将量产时间从2027年提前到2026年底,全部投产后总产能翻一番以上。   设备端的国产化也在同步推进。长鑫新一代工艺平台国产设备占比有望超过40%。这意味着国产存储的扩产不是孤立的产能增加,而是上游设备、材料、封测环节的协同推进。   部分市场观点认为,两家企业的增产努力将在2027年下半年集中释放,届时供需有望趋于平衡,大概率终结本轮涨价。   我的看法是,国产存储目前的战略价值不在于“终结涨价”,而在于“减少被动”。在一个供给端高度集中的全球市场里,存在一个具备规模和技术迭代能力的本土供应商,本身就是对定价权的一种制衡。   国产存储距离在全球DRAM市场获得实质性定价影响力,你认为还需要突破哪些环节?

14. 国产存储再迎产业拐点!长鑫G5平台量产,芯片供应链重塑带来投资新逻辑 发布时间:2026-09-20 导语:9月20日,2026世界制造业大会上,长鑫科技官宣第五代DRAM技术平台正式量产。从金融与产业投资视角看,这不仅仅是一次技术突破,更是国内半导体存储产业链从研发走向规模化商用的关键拐点,将重塑存储赛道的供需格局与估值逻辑。 存储芯片属于电子行业的周期核心赛道,DRAM更是消费电子、服务器的基础元器件,行业长期由海外巨头主导,供给格局高度集中,价格周期性波动极强。过去国内高端移动DRAM产能不足,国内手机厂商大容量旗舰内存高度依赖进口,供应链安全、成本都存在不确定性,也制约国内存储产业链企业的盈利空间。 本次长鑫第五代G5工艺平台实现多项核心指标突破:内存阵列有源区半间距11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度优化至6762纳米。工艺迭代带来最直观的变化,同等晶圆条件下,芯片产出相比上一代提升50%以上。更高的单片产出,意味着摊薄单位制造成本,具备大规模商业化的经济基础。 基于G5平台打造的24GB LPDDR5X内存芯片已经量产,批量供给国产主流旗舰手机。从产业资本角度,这代表国产DRAM成功切入高端移动终端市场,完成从技术样品到终端大规模供货的跨越。 对于资本市场而言,该事件有两层核心#长鑫存储概念股# #长鑫存储产业链# #长鑫科技集团# #长鑫半导体# #长鑫科技一季报# #长鑫存储股票# #高端存储芯片# 第一,国产存储产业化加速,上游半导体设备、材料配套企业有望持续受益。长鑫扩产落地,会持续拉动配套供应链订单,带动国内半导体材料、设备厂商订单释放。 第二,供给端多元化,降低国内终端厂商的海外供应链依赖,减少海外存储巨头的定价话语权,平滑DRAM行业周期波动带来的风险。 当然也要客观看待,当前全球DRAM市场竞争依旧激烈,海外厂商在服务器级存储、全球市场份额上仍具备优势。国产存储的追赶是长期工程,本次量产是重要里程碑,但并非一蹴而就。后续需要持续观察良率爬坡、产能释放、客户拓展以及产品持续迭代进度。 长期来看,半导体自主可控是确定性产业方向,存储作为核心赛道,国产替代进程稳步推进,产业链相关企业有望持续收获成长红利。 #长鑫科技IPO# #长鑫科技 #DRAM芯片 #国产半导体 #存储芯片 #产业投资 #世界制造业大会

15. 长鑫第五代平台量产:国产内存站上全球牌桌

16. 这轮存储超级周期里,市场盯着“涨价能涨多久”这个问题,但其实真正值得琢磨的,是另外几件正在悄悄发生的事情——那些被涨价新闻盖住的结构性变化。 云厂商签长协这事,换个角度想,其实藏着一个隐患。 三星已经跟五大云厂商签了五年期滚动长协。云厂商用长期合同把2027年一季度的DRAM价格锁在“高位”,表面上看是锁定供应、控制成本的聪明操作。但你想想,如果2028年美银说的“软着陆”兑现了——价格从2027年高点回落约10%——那这些长协锁定的价格反而比市场价贵了。库存里躺着一堆高价买来的芯片,云厂商的采购成本降不下来,财务上就是实打实的压力。锁价越积极,潜在的库存风险越大。 所有人都盯着AI服务器,但汽车和工业那块正在出问题。 2026年汽车行业能分到的DRAM产能,预计只占全市场4%。三大原厂70%到80%的先进产能优先给AI服务器和HBM,车规存储基本被挤到角落里。雷军说新款SU7按季度跳涨的内存成本,单车增加数千元;李斌直接说内存涨价是今年汽车行业最大的成本压力。理想汽车供应链那边的判断是,2026年汽车行业存储芯片的供应满足率可能不到50%。 这里有一个容易被忽略的传导链:车规存储认证周期特别长,一般要18到24个月,车企没法像消费电子那样快速切换供应商。缺货一旦发生,车企的应对空间极小。工业控制、医疗设备这些长生命周期行业也有类似问题。AI抢走了产能和资本开支,这些“非AI”领域的供应约束可能会比AI领域持续更久,而且一旦出问题,修复起来比消费电子慢得多。 设备交期拉到24个月,扩产根本跟不上涨价速度。 应用材料、东京电子这些海外设备厂商,核心零部件的交货周期已经延长到10个月,有的甚至长达40个月。主流前道及存储配套设备的交付周期拉长到12到24个月。即便三大原厂2026年合计砸了近1200亿美元,这些钱变成实际产能需要时间。芯片制造设备从下单到进厂调试,本身就要一年多,海外设备交期一拉长,新产能落地的时间窗口只会更远。 所以供给紧缺这件事,不是“砸钱就能解决”的。美银判断2028年前不存在实质性供过于求的风险,供给充裕率持续高于110%——这背后不只是需求旺,也有供给端“想扩但扩不快”的结构性原因在撑着。 国产替代这件事,在缺货最严重的时候反而进展最快。 长鑫科技上半年营收1503亿元,同比增长873%,归母净利润776亿元,日均盈利约4亿元。长江存储二季度NAND闪存位元份额接近14%,跻身全球第三。长鑫已经宣布第五代技术平台正式量产,24GB LPDDR5X产品进入国产主流旗舰手机。 这个逻辑其实不复杂:海外大厂把产能往HBM和高端DDR5倾斜,DDR4、消费级NAND这些“成熟产能”出现缺口,国产厂商正好用这些缺口切入。长鑫科技2026年计划月产能扩产5到6万片,对应设备采购额约350亿到430亿元;长江存储三期项目设备采购规模约200亿元。缺货越严重,国产产品被验证和采纳的速度就越快。这和很多人印象里“国产替代是慢慢熬出来的”不太一样——在极端供需失衡下,下游客户没得选,国产反而拿到了加速窗口。 一个值得留意的信号。 设备交货周期拉长到24个月这件事,换个角度看,其实是在说:即便所有人都在喊扩产,真正能落地的产能增量比想象中有限。而设备交期越长,意味着产能瓶颈的缓解越晚。涨价幅度是显性的,供给端的刚性约束是隐性的——后者对判断周期长度可能更有参考价值。 以上全部是公开信息的整理,不构成任何买卖建议。存储这个行业波动大,自己拿主意。

17. 中国内存产能崛起 2030年或占全球两成

18. 存储芯片迎来超级周期!六大核心材料,12家龙头迎来放量拐点

19. 韩国🇰🇷 : 中国观望三星电子打造HBM之际的机遇 CXMT推出移动DRAM“供应炸弹” 【今日财经】报道 当三星电子和SK海力士将产能集中于HBM(高带宽内存)和服务器DRAM时,中国长信存储器(CXMT)则着手扩大其移动DRAM的产能。通过量产其第五代DRAM工艺,提高产能,并将客户群拓展至移动领域,长信存储器正成为DRAM市场的新竞争者,而该市场此前一直由三星电子和SK海力士主导。据半导体行业 21日报道,长信存储器于前一天在中国合肥举行的“2026世界制造业大会”上宣布其第五代DRAM技术平台已实现量产。该公司已将核心结构间距缩小至11.95纳米(nm),并已开始量产两款采用该新平台的24Gb(千兆位)LPDDR(低功耗DRAM)5X产品。 CXMT的供货扩张正值国内企业将重心放在HBM和服务器DRAM之际。市场研究公司TrendForce分析指出,由于主要存储器半导体(以下简称“存储器”)企业将目光转向人工智能(AI )DRAM,移动DRAM的供应短缺和高价问题持续存在。这意味着,现有企业尚未涉足的移动DRAM市场,为CXMT扩大市场份额提供了契机。 CXMT的市场份额增长趋势日益明显。据市场研究公司Counterpoint Research的数据显示,CXMT今年第二季度的全球DRAM营收份额达到10 %,这是其季度份额首次突破两位数,位列三星电子、SK海力士和美光之后,排名第四。近期,CXMT还通过向小米旗舰智能手机供应LPDDR6,进一步拓展了其移动DRAM客户群。 预计第五代工艺的量产将成为其加速量产攻势的基础。CXMT表示,与上一代工艺相比,新工艺的应用使每片晶圆可生产的芯片数量增加了50%以上,从而提升了成本竞争力。然而,其对市场的影响预计将取决于“量产良率”。这是因为,即使每片晶圆的芯片数量增加,如果没有初始良率的支持,也很难将其转化为实际的供应量增加和成本降低。如果 CXMT能够稳定良率,它也可能对三星电子和可以在移动和通用DRAM领域扩大其产量和客户群,CXMTSK则优先将产能分配给利润更高的HBM和服务器DRAM。特别是,如果CXMT能够利用中国智能手机供应链获得量产经验和成本竞争力,它将直接影响DRAM市场的份额和定价结构,而该市场目前一直由三大内存巨头主导。CXMT 的扩张不仅限于DRAM。尽管美国对先进半导体设备有所限制,但它正通过与中国设备制造商联合开发核心生产工艺来确保生产基地。继DRAM之后,CXMT也在寻求进军NAND闪存市场。在半导体行业蓬勃发展、内存价格高企的时期,CXMT似乎正通过同时扩大产量和产品线来拓展其在全球内存市场的份额。 一位业内人士评论道:“增加每片晶圆上的芯片数量并不能立即保证成本竞争力;归根结底,量产良率才是关键因素。” 他补充道:“中国企业能够在移动和通用市场积累客户和量产经验,而国内企业则专注于HBM和服务器DRAM,这一点需要长期密切关注。”

20. 15家国内存储芯片+半导体设备龙头盘点,撑起国产算力存储产业链

21. 全球HBM产能,依然由三星、SK海力士、美光把持,凭借成熟技术,规模化产能优势,占据DRAM、HBM市场,绝对主导地位,预计未来三年,迎来新扩产潮,四大厂商月产能,总计从195万片,或增至259万片,以应对AI算力爆发,当下值得关注的,是国产替代进展,长鑫存储处在低端,占全球份额约8%,但扩产领跑行业,三年产能或翻倍,跻身第三大产能,将打破海外垄断、构建国产存储供应链。

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35. 终于有厂商敢说真话了 PC巨头宏��反击内存涨价:中国产能爆发 短缺已消失

36. 📊 两大存储巨头的跨界战局 长鑫存储(DRAM内存龙头):9月正式宣布筹备进入NAND Flash闪存市场,其第五代技术平台已实现量产,同等晶圆的芯片产出率提升50%以上,单颗高端内存的硬性制造成本直接下降超三分之一,2026年第二季度息税前利润率高达82%,有充足利润支撑跨界扩张。 长江存储(NAND闪存龙头):早在2025年4月就已完成低功耗DRAM内存样品送样,2026年底武汉新工厂将初步投产,规划月产10万片12英寸晶圆,一半产能用于生产DRAM,依托独家Xtacking专利技术大幅降低内存制造成本。

37. 🔴 宏碁:内存已经不缺,PC真正吃紧的是两类低价机型CPU 🕒 时间:2026年9月19日 14:40:04(北京时间) 信息来源:经济日报、宏碁董事长陈俊圣公开发言 大白话理解总结:这不是一句“存储周期结束了”,而是PC厂商站在采购端给出的供需切片。陈俊圣的判断是,普通内存已经能买到,只是合约价还在高位震荡,供应商报价很乱;当前真正影响部分PC交付的,是微软低价授权方案机种和Small Core规格CPU。内存的“缺货逻辑”正在松动,但价格回落不会立刻传到整机零售价。 一句话总结:PC供应链正从“全面缺料”转向“结构性卡料”,内存数量不再是核心矛盾,低价机型CPU与终端降价时点才是下一阶段的观察重点。 市场影响程度:中等偏高。它会削弱市场对PC内存长期全面短缺的想象,同时提示低端CPU、旧规格DRAM和整机价格仍存在局部压力。 宏碁董事长陈俊圣在公开论坛上表示,今年关键零部件涨幅前所未见,客户一边催货、一边抱怨价格。宏碁也提高了零部件库存,但整体而言,每个季度都面对PC调价压力,第四季度不同产品的售价涨幅仍可能达到5%—20%。 这里最值得注意的是“量”和“价”已经分开。陈俊圣明确称内存“没有缺”,大陆存储厂商产能持续释放,市场已不存在普遍买不到货的问题。但合约价仍在高位,供应商不断释放涨价信号,报价高低差异很大。也就是说,供应恢复不等于价格立即回落,渠道库存、长约采购和终端调价之间都存在时间差。 不同规格的情况也不一样。部分搭配N1、N1X平台的LPDDR5、DDR5-9600仍然偏紧;随着三星收缩DDR4供应,部分旧规格也会出现结构性缺口。这类紧张更接近产品切换和产能配置造成的错配,不能直接外推成整个DRAM市场重新全面缺货。 CPU端反而更值得盯。陈俊圣称,目前主要是采用微软低价授权方案的机种,以及Small Core规格CPU供货较紧,其他规格并不短缺。微软此前推出2美元操作系统授权方案,配合入门级处理器刺激低价电脑需求,近期入门机销量因此回升。需求被政策和价格集中拉动后,特定低价CPU供给没有及时跟上,才形成现在的卡点。 他预计,宏碁采购的SSD和内存成本到2027年下半年有机会下降,但终端售价未必同步下调 1000字限制更多在星球

38. 宏碁董事长陈俊圣直言,目前存储芯片行业已不存在全面缺货的问题,各大厂商与渠道实际上“满手都是货”。 针对部分存储厂商频繁喊话称涨价趋势将一路延续至明年底的现象,陈俊圣指出,在反垄断相关法规的约束下,部分同行往往倾向于通过对外公开发表市场预测等信号,进行行业层面的喊话与预期引导。 然而,真实的市场供需关系正在发生实质变化,随着中国大陆存储厂商的产能持续释放,其作为“价格破坏者”正在快速补充市场供给,使得存储芯片的合约价格进入高位震荡与涨跌混乱的周期。 陈俊圣进一步称,传统通用型存储如 DDR4 甚至已开始出现一定程度的供过于求现象,因此存储行业不可能一直维持缺货涨价的走势。 不过,陈俊圣也补充提到,PC 硬件供应链中依然有少数高规格的关键零件呈现供货吃紧的态势,例如部分高频 LPDDR5/DDR5 内存颗粒以及与其搭配的高性能处理芯片。

39. 1.28万亿!国产存储芯片的三大机会,以及产业链国产化真相!

40. 终于有厂商敢说真话了 PC巨头宏碁反击内存涨价:中国产能爆发 短缺已消失

41. 前段时间我听项立刚说内存涨价是互相囤货造成的,现在好了,行内人都开始这样说了: 宏碁董事长陈俊圣公开炮轰存储三巨头(三星、美光、海力士),直言内存缺货根本就是假的,联手控价才是真的。 他指出,反垄断法限制了巨头们直接协商价格,于是只能通过公开喊话的方式互相传递涨价信号,营造出“缺货”的假象来维持高毛利。 目前DDR4和普通DDR5内存供给非常充裕,甚至DDR4已经供大于求,只有少数高端规格的产品(如搭配N1或N1X平台的LPDDR5、DDR5 9600)存在紧张情况,这类产品本身出货量小,并不影响整体PC供应链。 随着中国大陆存储企业的产能持续释放,内存价格已经没有持续上涨的可能。 也就是说,你喜欢的手机,已经没有了涨价的空间,很快就会降价了。

42. 长鑫科技第五代工艺平台实现量产,国产高端内存迎来新突破。 9 月 20 日,长鑫科技(688825.SH)发布公告,公司在 2026 世界制造业大会上正式对外宣布,第五代 DRAM 工艺技术平台已经实现量产,并且现场展出了依托这个平台研发的大容量 LPDDR5X 内存产品。 长鑫科技是国内 DRAM 内存芯片的龙头企业,多年坚持自主研发。这次落地的第五代工艺平台,是国产内存技术向前迈出的重要一步。新工艺采用 DUV 四重曝光技术,把内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,工艺水平已经接近国际顶尖内存量产标准。相比上一代平台,同一片晶圆能够产出的内存芯片数量提升至少 50%,芯片存储密度更高,有助于降低单位生产成本,提升芯片能效。 本次一同亮相的 LPDDR5X 产品单颗容量达到 24Gb,相比上一代产品容量提升 50%,有两种不同封装规格,主要面向中高端手机、便携电子设备等场景。这类低功耗高速内存,正是手机、平板等终端产品需要的核心零部件。 不过公告也提示了投资者需要留意的信息。虽然第五代工艺平台已经量产,但目前基于这套平台生产出来的产品,还没有形成大规模对外销售,短期之内,不会对公司整体经营业绩带来明显影响。作为全新工艺平台,产品良率还需要一段时间持续爬坡,新产品还要经过客户的验证认证流程,市场推广进度存在不确定性。 这次量产更多是技术层面的重大突破,代表国产内存工艺站上了新台阶,补齐高端消费电子内存的国产供给能力。但从量产到大规模出货、转化为营收利润,还需要等待客户认证和市场导入。结合之前的行业消息,内存整体已经不再紧缺,随着国产内存产能持续释放,也会进一步丰富全球内存供应链的选择。

43. 存储芯片,有重要进展的10家公司 第一家:长鑫科技 主营业务:DRAM存储芯片制造 进展情况:9月20日公告第五代G5工艺平台实现量产,基于该平台的LPDDR5X产品已进入主流旗舰手机供应链 概念关联:掌握先进DRAM量产工艺,提升国产存储供给能力,带动上下游产业链技术迭代升级。 第二家:德明利 主营业务:存储模组及控制芯片 进展情况:9月18日32亿元定增申请获深交所审核通过,募资将投向SSD、DRAM扩产及研发总部建设 概念关联:扩充存储产品产能规模,强化企业级市场布局,提升定制化存储解决方案交付能力。 第三家:佰维存储 主营业务:存储芯片与先进封测 进展情况:晶圆级先进封测项目稳步推进,存算芯粒、光电共封装产品按计划研发,预计年底起贡献收入 概念关联:布局存算封一体化技术路线,拓展AI端侧存储场景,构建存储全栈技术能力体系。 第四家:东芯股份 主营业务:利基型存储芯片 进展情况:8月发布公告,拟投入6.82亿元实施存算联融合芯片研发项目,覆盖多个下游应用领域 概念关联:融合存储、联接与计算能力,丰富产品矩阵,与现有存储主业形成协同效应。 第五家:江波龙 主营业务:存储模组与解决方案 进展情况:自研UFS4.1主控芯片实现规模化应用,上半年企业级存储业务收入同比增长超200% 概念关联:掌握主控关键技术,向上游延伸产业链,切入头部互联网与服务器厂商供应体系。 第六家:澜起科技 主营业务:内存互连接口芯片 进展情况:四款互连类新产品落地放量,上半年相关业务收入同比增长80.7%,适配AI服务器场景需求 概念关联:卡位内存接口关键环节,随AI算力需求提升,持续受益存储带宽升级趋势。 第七家:长电科技 主营业务:芯片封装测试服务 进展情况:优化存储封测产品结构,适配AI相关应用需求,存储封装产能利用率持续提升 概念关联:依托封装技术积累,支撑存储芯片制程升级,服务国内存储芯片厂商发展。 第八家:兆易创新 主营业务:NOR Flash存储芯片 进展情况:存储产品实现量价齐升,持续推进DRAM产品研发与客户验证,优化产品应用结构 概念关联:巩固NOR Flash市场地位,稳步拓展DRAM赛道,丰富存储芯片产品布局。 第九家:通富微电 主营业务:存储芯片封装测试 进展情况:推进3D NAND存储封测技术研发,配套国内存储厂商产能扩张,提升自身封测能力 概念关联:绑定国内存储晶圆厂需求,承接存储封测订单,受益国产存储产能释放节奏。 第十家:普冉股份 主营业务:NOR Flash存储芯片 进展情况:推进高容量产品迭代,布局车规级存储技术,拓展工业与汽车电子应用场景 概念关联:聚焦细分存储赛道,受益汽车电子化趋势,提升利基市场产品竞争力。 整体来看,全球存储芯片行业技术迭代持续推进,国内存储芯片产业,技术突破与产能扩张同步推进。 提醒:本文梳理所有内容仅供参考,不代表本人倾向。篇幅有限,有所疏漏,欢迎大家留言交流。

44. 存储芯片,有重要进展的10家公司! 存储芯片,有重要进展的10家公司! 内容仅供参考,不构成任何投资建议 第一家:长鑫科技 主营业务:DRAM存储芯片制造 进展情况:9月20日公告第五代G5工艺平台实现量产,基于该平台的LPDDR5X产品已进入主流旗舰手机供应链 概念关联:掌握先进DRAM量产工艺,提升国产存储供给能力,带动上下游产业链技术迭代升级。 第二家:德明利 主营业务:存储模组及控制芯片 进展情况:9月18日32亿元定增申请获深交所审核通过,募资将投向SSD、DRAM扩产及研发总部建设 概念关联:扩充存储产品产能规模,强化企业级市场布局,提升定制化存储解决方案交付能力。 第三家:佰维存储 主营业务:存储芯片与先进封测 进展情况:晶圆级先进封测项目稳步推进,存算芯粒、光电共封装产品按计划研发,预计年底起贡献收入 概念关联:布局存算封一体化技术路线,拓展AI端侧存储场景,构建存储全栈技术能力体系。 第四家:东芯股份 主营业务:利基型存储芯片 进展情况:8月发布公告,拟投入6.82亿元实施存算联融合芯片研发项目,覆盖多个下游应用领域 概念关联:融合存储、联接与计算能力,丰富产品矩阵,与现有存储主业形成协同效应。 第五家:江波龙 主营业务:存储模组与解决方案 进展情况:自研UFS4.1主控芯片实现规模化应用,上半年企业级存储业务收入同比增长超200% 概念关联:掌握主控关键技术,向上游延伸产业链,切入头部互联网与服务器厂商供应体系。 第六家:澜起科技 主营业务:内存互连接口芯片 进展情况:四款互连类新产品落地放量,上半年相关业务收入同比增长80.7%,适配AI服务器场景需求 概念关联:卡位内存接口关键环节,随AI算力需求提升,持续受益存储带宽升级趋势。 第七家:长电科技 主营业务:芯片封装测试服务 进展情况:优化存储封测产品结构,适配AI相关应用需求,存储封装产能利用率持续提升 概念关联:依托封装技术积累,支撑存储芯片制程升级,服务国内存储芯片厂商发展。 第八家:兆易创新 主营业务:NOR Flash存储芯片 进展情况:存储产品实现量价齐升,持续推进DRAM产品研发与客户验证,优化产品应用结构 概念关联:巩固NOR Flash市场地位,稳步拓展DRAM赛道,丰富存储芯片产品布局。 第九家:通富微电 主营业务:存储芯片封装测试 进展情况:推进3D NAND存储封测技术研发,配套国内存储厂商产能扩张,提升自身封测能力 概念关联:绑定国内存储晶圆厂需求,承接存储封测订单,受益国产存储产能释放节奏。 第十家:普冉股份 主营业务:NOR Flash存储芯片 进展情况:推进高容量产品迭代,布局车规级存储技术,拓展工业与汽车电子应用场景 概念关联:聚焦细分存储赛道,受益汽车电子化趋势,提升利基市场产品竞争力。 #财经# 提示:内容只做信息分享,不构成任何投资建议!股市有风险,入市需谨慎。

45. 美国国际贸易委员会(ITC)的对DR­AM设备及其下游产品启动的337调查实际上对国内存储是大利好。 因为这次被告的是美光、慧与、联想及其美国子公司、超微电脑等,这些公司会直接受到影响,如果裁定侵权,相关产品可能被禁止进口到美国或者在美销售。 而国内的两大存储公司——长鑫和长存,都不在这次名单里,所以完全不面临直接的进口禁令风险。 如果海外大厂的DR­AM对美供货因为诉讼受到限制,那北美云厂商和服务器品牌可能会加速导入第二备选供应商,这么一来国产DR­AM就有进入其供应链的契机。 实际上,这个事件凸显了全球DR­AM供应链的脆弱性,强化了国产存储的战略价值与长期替代预期,对国内存储完全是利好。

46. 存储芯片明天估计要疯狂了 重磅利好落地,长鑫科技第五代存储平台正式量产,国产存储迎来大爆发。不少持仓存储芯片的投资者已经做好准备,期待明天板块迎来继续上涨行情。 下午4点35分,周末半导体行业迎来一则硬核产业消息。在2026世界制造业大会上,长鑫科技官宣第五代存储技术平台实现量产。新一代工艺大幅提升存储密度,同尺寸晶圆的芯片产出量直接提升50%以上,生产效率实现跨越式增长。依托这套平台研发的24GB LPDDR5X内存芯片,已经完成量产,并且成功搭载在国产主流旗舰手机当中。 长鑫第五代平台量产,是国产存储芯片从追赶向赶超迈进的关键一步。长期以来,DRAM存储市场被海外巨头牢牢占据,国内存储发展一直面临技术壁垒。这次工艺升级,不仅进一步打破海外技术垄断,还会带动上下游设备、材料、封测等整条存储产业链的国产替代提速。 对于存储芯片板块而言,这不仅仅是单点技术突破的新闻,更是产业红利开始释放的标志性利好。叠加此前存储芯片涨价周期的预期,消息很容易刺激资金进场,带动板块情绪走高。 不过也要理性看待行情。技术量产落地,到企业财报业绩兑现,中间还有一段周期。短期板块容易受情绪推动冲高,随之而来的震荡回调风险不能忽视。同时,海外存储大厂的产能调整、下游消费电子需求变化,都会影响行业供需格局。 ⚠️风险提示:本文仅为行业资讯与盘面观点分享,不构成任何投资建议。板块波动幅度较大,股市有风险,入市需谨慎。 #你问我答#

47. 内存整体已经不缺!宏碁董事长:PC 只有少数高端零件供货紧张。 宏碁董事长陈俊圣近期谈及 PC 行业零部件供需和内存价格走势,打破了市场上 “内存会持续缺货涨价到 2027 年” 的说法。 最近一段时间,不少内存厂商对外放出消息,认为内存价格上涨行情能持续到 2027 年,就连苹果也接受了三星上调内存合约价。在陈俊圣看来,受反垄断法规限制,厂商不能直接坐下来商量定价,只能靠对外发声互相传递市场信号,业内人一看就能明白背后用意。 针对市场流传的内存持续缺货说法,他给出不同判断。他认为内存不可能一直紧缺,随着国内相关产能不断落地释放,内存整体已经不存在缺货问题。当下内存合约价处在高位震荡阶段,市场报价比较混乱,不同供应商报价有高有低。 从 PC 零部件细分情况来看,市场呈现明显分化。普通规格的内存供应充足,像 DDR4 内存已经供大于求,供货的商家很多,但市场需求偏弱。真正供货紧张的,只有少数高端型号,也就是搭配 N1、N1X 芯片使用的 LPDDR5、DDR5 9600 这类高性能内存。这类产品多用于高端机型,出货量不大,不会影响普通家用、办公电脑的整体供货。 大家比较关心 PC 整机涨价什么时候到头。陈俊圣判断,2027 年一季度零部件价格还有小幅上调的可能性,但涨幅会持续收窄。半导体新增产能预计在 2027 年年中集中释放,零部件价格大概率会在这个时间点摸到高点,之后行情会稳住,到下半年才有机会回落。不过他也坦言,价格真正反转的时间点,目前还没法确定。 普通电脑的内存货源充足,涨价压力主要集中在高端机型;内存报价目前比较混乱,短期还有小幅涨价空间,等到 2027 年年中新增产能释放,零部件价格才有望迎来拐点。普通消费者选购家用、办公电脑,不用太担心买不到配件。

48. 《中国存储芯片又跨了一步:长鑫第五代技术正式量产》 :中国芯片行业昨天传来一个重要消息。ChangXin Memory Technologies宣布,第五代DRAM技术平台已经进入量产阶段。DRAM是什么?你的电脑、手机、AI服务器几乎都离不开它,而这个市场长期由三星、SK海力士和美光占据。最近AI又把高性能内存需求推得越来越高。所以这条新闻真正值得关注的不是“又一款芯片量产”,而是:中国正在继续补全球半导体产业链里最难补的那几块拼图。

49. 笔记本内存条价格暴涨解析。 终于有厂商敢说真话了,PC巨头宏基反击内存涨价,中国产能爆发,短缺已消失。面对持续的内存涨价潮,宏基董事长陈俊圣公开反击,直言缺货问题已消失。他指出中国厂商产能持续释放,内存怎么可能一直缺下去?所谓缺货不过是厂商借反垄断法限制,无法私下串谋,只能公开喊话炒作价格。 当前内存合约价高位震荡,报价混乱。陈俊圣还表示CPU也不缺货,仅部分微软低价专案机种受影响。此番表态直指行业涨价乱象,为PC厂商发声。 你觉得这次谁说得对?评论区见分晓。一键三连不过分吧?点赞、转发、评论安排。

50. 每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%,公司还同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品——这就是长鑫科技在世界制造业大会上甩出来的成绩单。第五代DRAM技术平台,业内简称G5平台,已经实现量产。 ​ 50%这个数听着不大,可芯片行业里能这么干的公司,掰着指头数得过来。更猛的是工艺节点——用四重曝光技术把内存阵列有源区半间距压到了11.95纳米,据长鑫科技自己披露,这个水平已经比肩行业顶尖量产工艺节点。 ​ 以前国产内存给人的印象是什么?便宜、够用、低端。这次不一样,G5平台走的是高端存储技术路线,属于里程碑式突破。长鑫科技没藏着掖着,直接把这个定位摆上台面。 ​ 两广和江苏的工厂里,不少电子厂、手机厂的供应链都沾着内存颗粒。颗粒密度上来了,同样一块板子能塞下更多容量,手机厂商做存储升级的成本压力也能松一松。 ​ 不过量产和真正铺到消费市场之间还有距离,这个节奏急不来,慢慢来反而稳。 ​ 芯片这碗饭,端得稳不稳,看的是真功夫,不是PPT。 ​ 各位读者你们怎么看?欢迎评论区讨论 ​ #长鑫科技# #国产内存# #G5平台# #DRAM# #芯片自主化#

51. 🔴 DIGITIMES:存储大缺货引发长江存储、长鑫存储“龙头之争”,专利攻防或升温 🕒 时间:2026年9月22日 03:00(北京时间) 信息来源:DIGITIMES科技网,作者韩青秀;公开页面标题与摘要 大白话理解总结:DIGITIMES称,全球存储器缺货加剧后,长江存储与长鑫存储都在扩大产业版图,市场开始讨论两家公司争夺中国存储产业龙头地位,并担心竞争进一步延伸到专利领域。但公开页面正文受限,目前没有披露具体诉讼、专利编号、侵权对象或产能数字,“专利战一触即发”仍是媒体对竞争升级的判断。 一句话总结:缺货周期给国产存储扩产和提高份额创造窗口,但长江存储与长鑫存储核心产品不同,当前更像产业地位与生态资源竞争,不能仅凭标题写成双方已经正式开打专利战。 市场影响程度:较高。国产NAND与DRAM同时扩张,会影响设备、材料、封测和模组需求;如果专利攻防真的发生,也会影响技术授权、客户导入和扩产节奏。 先厘清两家公司的定位。长江存储主要布局NAND Flash,产品用于SSD、手机存储、企业级存储和其他闪存场景;长鑫存储主要布局DRAM,应用于服务器、PC、手机和各类计算设备。 NAND和DRAM都属于存储芯片,但技术路线、产品功能和市场结构不同。前者更偏长期数据存储,后者负责计算过程中的高速临时数据读写。因此,两家公司目前并不是在同一种核心产品上直接争夺订单。 DIGITIMES标题中的“龙头之争”,更适合理解为中国存储产业代表性企业之间的地位、资本、人才、供应链资源和政策关注度竞争,而不是长江存储用NAND直接替代长鑫DRAM。 这轮讨论的背景是存储器供应紧张。缺货与涨价能够改善存储厂商收入和现金流,也会刺激客户提前锁定产能。对国产厂商而言,海外供给吃紧可能带来更多验证和替代机会。 但景气上行也会放大竞争。两家公司扩张产能、产品线和客户范围后,在设备、材料、工程人才、封测资源和终端客户认证方面可能出现更多交集。 专利则是存储行业最重要的竞争壁垒之一。NAND和DRAM都需要大量器件结构、制程、控制算法、封装和接口专利。企业规模越大、海外销售越多,面临授权谈判和知识产权争议的概率就越高。 不过,公开页面目前只显示标题、作者、发布时间和图片说明,正文在登录或订阅处受到限制 1000字限制更多在星球

52. 爆炸性利好,存储下周值得期待! 国产DRAM技术实现重大突破,正加速迈入全球一线竞争行列。技术与产能双重飞跃,国产供应链自主可控,重塑市场格局。 一则长鑫技术发布新闻直接引爆科技市场,更是国产存储芯片产业从“跟跑”到“并跑”的关键一步。 下周存储走势如何,想必大家心中有数了,存储本周五大涨超4%,最近两月回调充分,为上涨作好了蓄势。 #AI算力资本开支天花板在哪#

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