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被美光抢先一步后,三星调整计划准备推176层闪存,或在明年追上

2020-11-13 22:25:06 35点赞 9收藏 16评论

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在3D闪存技术上,作为全球闪存最大厂商的三星一直是领先的,堆栈层数也是最多的,不过美光日前率先推出了176层堆栈的 3D闪存,进度比三星要快。

根据美光的说法,176层闪存其实是基于两个88层叠加而成,第一批为TLC颗粒,单个Die的容量为512Gb(64GB),当然后期很可能会加入QLC。

更重要的是,美光不只是宣布了新技术,而且176层闪存已经量产并出货了,已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD,明年还会发布更多新产品。

被美光抢先一步后,三星调整计划准备推176层闪存,或在明年追上

在176层闪存技术上,美光这一波操作确实可以,后来者居上了,他们在全球闪存市场份额上是大幅落后于三星、东芝、西数的,尤其是三星一直是领头羊。

对于这次没能首发新一代闪存,韩国媒体爆料称三星是遇到技术问题,原本他们计划一次性堆栈到190层以上,现在也降低目标到176层。

此外,美光、SK海力士都准备用双堆栈技术做176层闪存,三星原本希望用单堆栈技术做到200层,发现技术上不可行,所以才导致进度落后。

报道称,三星高层虽然拒绝承认技术延误了,但不得不承认进度确实落后了一截,高官表示技术变化导致他们花费更多时间和投资修改制程,预计三星明年才能(推出176层)闪存。

三星追赶的时间可能在明年Q1季度后,预计2021年4月份推出176层或者更低一些的160层闪存。

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