被美光抢先一步后，三星调整计划准备推176层闪存，或在明年追上

在3D闪存技术上，作为全球闪存最大厂商的三星一直是领先的，堆栈层数也是最多的，不过美光日前率先推出了176层堆栈的 3D闪存，进度比三星要快。

根据美光的说法，176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb(64GB)，当然后期很可能会加入QLC。

更重要的是，美光不只是宣布了新技术，而且176层闪存已经量产并出货了，已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD，明年还会发布更多新产品。

在176层闪存技术上，美光这一波操作确实可以，后来者居上了，他们在全球闪存市场份额上是大幅落后于三星、东芝、西数的，尤其是三星一直是领头羊。

对于这次没能首发新一代闪存，韩国媒体爆料称三星是遇到技术问题，原本他们计划一次性堆栈到190层以上，现在也降低目标到176层。

此外，美光、SK海力士都准备用双堆栈技术做176层闪存，三星原本希望用单堆栈技术做到200层，发现技术上不可行，所以才导致进度落后。

报道称，三星高层虽然拒绝承认技术延误了，但不得不承认进度确实落后了一截，高官表示技术变化导致他们花费更多时间和投资修改制程，预计三星明年才能（推出176层）闪存。

三星追赶的时间可能在明年Q1季度后，预计2021年4月份推出176层或者更低一些的160层闪存。