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碳化硅衬底尺寸升级的行业发展趋势与路径选择

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05-27 11:44

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市占率第一,光伏、半导体双寡头,绝处求生!晶盛机电,到底怎么了?2026年1月30日,晶盛机电发布2025年业绩预告,堪称近十年“最差”答卷。2025年,公司净利润预计只有8.78亿元-12.55亿元,不到2024年的一半。若剔除一次性收益,公司扣非净利润更是“降得惊人”——最大降幅能达到73.22%。那么,是什么造成了这种局面?公司业绩“掉队”背后,是来自行业周期、业务结构的双重冲击。第一,行业处于低谷周期。晶盛机电的业务分成两块,设备及其服务业务占比70.39%,材料业务占比21.15%。其中,光伏是其长期以来的核心领域。众所周知,这两年光伏不好过,晶盛机电也不好过。晶盛机电的成长伴随着我国光伏的崛起。2007年,公司推出我国第一台国产全自动光伏单晶炉;2013年-2023年的十年间,我国光伏进入黄金发展时期,而公司与TCL中环紧密合作,一举踩上快车道。2013-2023年,公司营收从1.75亿元增长到近180亿元,连续10年同比增长。可在2023年年末,光伏产业链主要产品(硅片、电池片)开始供给过剩,厂商纷纷减产,给晶盛机电带来直接冲击。2024年,公司营收首次同比下滑2.26%,2025年延续该趋势。更要命的是,客户回款也变慢了。从数据上,我们也能感受到晶盛机电的压力。2023-2025年第三季度,公司应收账款周转天数突破了100天,反映出客户回款意愿和能力的弱化。第二,业务结构单一,抗周期能力不足。光伏产业链调整中,其实也有胜利者。比如捷佳伟创,同是光伏设备厂商,2025年前三季度营收与净利润分别同比增长6.17%和32.9%。晶盛机电此前业务结构单一、绑定大客户,2023年来自TCL中环的销售额占其营收的50.24%。如今TCL中环也开始亏损,大客户策略已经走不通了。反观捷佳伟创,它和晶盛机电路线有着本质区别。捷佳伟创走的是平台化路线,主打“不把鸡蛋放在同一个篮子里”。作为太阳能电池生产设备厂商,公司在TOPCon、HJT电池、XBC电池和钙钛矿电池领域均有布局。这种把战线拓宽、战场扩大的打法,让捷佳伟创有效抵挡住了光伏周期调整阶段的业绩波动,毛利率一直很平稳,甚至2025年前三季度还小幅提高了。2025年前三季度,晶盛机电毛利率只有25.82%,被捷佳伟创反超。更何况,占据晶盛机电两成营收的材料业务(石英坩埚、金刚线),2025年市场价格出现下降。两股力量造成公司业绩下滑,2025年其光伏业务毛利减少了22亿元-26亿元。现实倒逼之下,晶盛机电必须绝处求生!向何处求生?答案是半导体。光伏和半导体都源自硅,发展不是孤立的。尤其在光伏产业调整阶段,光伏设备商想开辟第二战场,无外乎向半导体过渡。有2种迹象表明,晶盛机电发展半导体胜算很大。1、半导体设备端,产业进入高增长阶段。2025年,第二季度,我国大陆半导体设备销售额达到113.6亿美元,市占率34.4%稳居全球第一,这是我国大陆半导体设备销售额首次超过全球三分之一。前道设备厂商和封测设备厂商,像北方华创、盛美上海、华峰测控等,2025年以来业绩增速不错;尤其是量检测设备,中科飞测和精测电子顺利实现净利润扭盈,一扫过去阴影。行业整体是上升趋势,近几年晶盛机电在长晶设备领域也已崭露头角,因此有望乘上这股东风。目前,公司在8-12英寸半导体大硅片长晶设备领域已经打破海外垄断、实现国产替代,在国产设备市场市占率领先;在大硅片设备上,公司还供货中环领先、上海新昇等头部半导体材料制造商,有客户优势。未来,晶盛机电若能进一扩大长晶设备业务,则业绩有望打开增长空间。2、研发实力强,护城河够深。除了半导体设备外,晶盛机电还构建起另一大技术护城河——碳化硅。碳化硅是第三代宽禁带半导体核心材料,拥有禁带宽度大、击穿电场高、热导率优等优势,有望在新能源、AI、通信和AR这四个前沿领域展开应用。在先进封装领域,碳化硅也在加速产业化应用落地。碳化硅有望替代传统的硅中介层,解决AI芯片面临的“功耗”与“散热”瓶颈。碳化硅领域,晶盛机电坐拥两大优势:第一个优势,技术强。想要实现碳化硅的大规模应用,生产环节要降本增效,大尺寸化生产技术成为难题。为解决这一难题,晶盛机电重押研发:2020-2024年,其研发费用从2.27亿元增长到超11亿元,面临业绩压力也从未停滞研发脚步,研发费用远超捷佳伟创。晶盛机电是国内少数取得12英寸碳化硅衬底实质性突破的企业,且碳化硅长晶炉市占率全球第一。2025年9月,公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞正式通线。2026年1月,浙江晶瑞又成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性(TTV)≤1μm的技术突破,解决了“卡脖子难题”。第二个优势,产能大。在6-8英寸碳化硅衬底业务上,晶盛机电已经可以规模化量产,量产材料的核心参数指标达到行业一流水平。不仅如此,公司还在推进产能全球化布局。公司位于浙江上虞和宁夏银川的碳化硅衬底项目均已投产,银川项目年产能可达60万片;马来西亚槟城的碳化硅衬底项目也预计在2027年投产。未来随着碳化硅产业发展成熟,公司技术、产能优势有望被进一步放大,这也形成了增厚业绩的另一逻辑。总的来看,晶盛机电的转型之路刚刚起步。虽然目前半导体业务还无法挑起公司业绩的“大梁”,但转型需要魄力,更需时间。至少,晶盛机电已迈出关键一步!
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拆解报告:长城3000W铂金牌碳化硅服务器电源
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1. 市占率第一,光伏、半导体双寡头,绝处求生!晶盛机电,到底怎么了?2026年1月30日,晶盛机电发布2025年业绩预告,堪称近十年“最差”答卷。2025年,公司净利润预计只有8.78亿元-12.55亿元,不到2024年的一半。若剔除一次性收益,公司扣非净利润更是“降得惊人”——最大降幅能达到73.22%。那么,是什么造成了这种局面?公司业绩“掉队”背后,是来自行业周期、业务结构的双重冲击。第一,行业处于低谷周期。晶盛机电的业务分成两块,设备及其服务业务占比70.39%,材料业务占比21.15%。其中,光伏是其长期以来的核心领域。众所周知,这两年光伏不好过,晶盛机电也不好过。晶盛机电的成长伴随着我国光伏的崛起。2007年,公司推出我国第一台国产全自动光伏单晶炉;2013年-2023年的十年间,我国光伏进入黄金发展时期,而公司与TCL中环紧密合作,一举踩上快车道。2013-2023年,公司营收从1.75亿元增长到近180亿元,连续10年同比增长。可在2023年年末,光伏产业链主要产品(硅片、电池片)开始供给过剩,厂商纷纷减产,给晶盛机电带来直接冲击。2024年,公司营收首次同比下滑2.26%,2025年延续该趋势。更要命的是,客户回款也变慢了。从数据上,我们也能感受到晶盛机电的压力。2023-2025年第三季度,公司应收账款周转天数突破了100天,反映出客户回款意愿和能力的弱化。第二,业务结构单一,抗周期能力不足。光伏产业链调整中,其实也有胜利者。比如捷佳伟创,同是光伏设备厂商,2025年前三季度营收与净利润分别同比增长6.17%和32.9%。晶盛机电此前业务结构单一、绑定大客户,2023年来自TCL中环的销售额占其营收的50.24%。如今TCL中环也开始亏损,大客户策略已经走不通了。反观捷佳伟创,它和晶盛机电路线有着本质区别。捷佳伟创走的是平台化路线,主打“不把鸡蛋放在同一个篮子里”。作为太阳能电池生产设备厂商,公司在TOPCon、HJT电池、XBC电池和钙钛矿电池领域均有布局。这种把战线拓宽、战场扩大的打法,让捷佳伟创有效抵挡住了光伏周期调整阶段的业绩波动,毛利率一直很平稳,甚至2025年前三季度还小幅提高了。2025年前三季度,晶盛机电毛利率只有25.82%,被捷佳伟创反超。更何况,占据晶盛机电两成营收的材料业务(石英坩埚、金刚线),2025年市场价格出现下降。两股力量造成公司业绩下滑,2025年其光伏业务毛利减少了22亿元-26亿元。现实倒逼之下,晶盛机电必须绝处求生!向何处求生?答案是半导体。光伏和半导体都源自硅,发展不是孤立的。尤其在光伏产业调整阶段,光伏设备商想开辟第二战场,无外乎向半导体过渡。有2种迹象表明,晶盛机电发展半导体胜算很大。1、半导体设备端,产业进入高增长阶段。2025年,第二季度,我国大陆半导体设备销售额达到113.6亿美元,市占率34.4%稳居全球第一,这是我国大陆半导体设备销售额首次超过全球三分之一。前道设备厂商和封测设备厂商,像北方华创、盛美上海、华峰测控等,2025年以来业绩增速不错;尤其是量检测设备,中科飞测和精测电子顺利实现净利润扭盈,一扫过去阴影。行业整体是上升趋势,近几年晶盛机电在长晶设备领域也已崭露头角,因此有望乘上这股东风。目前,公司在8-12英寸半导体大硅片长晶设备领域已经打破海外垄断、实现国产替代,在国产设备市场市占率领先;在大硅片设备上,公司还供货中环领先、上海新昇等头部半导体材料制造商,有客户优势。未来,晶盛机电若能进一扩大长晶设备业务,则业绩有望打开增长空间。2、研发实力强,护城河够深。除了半导体设备外,晶盛机电还构建起另一大技术护城河——碳化硅。碳化硅是第三代宽禁带半导体核心材料,拥有禁带宽度大、击穿电场高、热导率优等优势,有望在新能源、AI、通信和AR这四个前沿领域展开应用。在先进封装领域,碳化硅也在加速产业化应用落地。碳化硅有望替代传统的硅中介层,解决AI芯片面临的“功耗”与“散热”瓶颈。碳化硅领域,晶盛机电坐拥两大优势:第一个优势,技术强。想要实现碳化硅的大规模应用,生产环节要降本增效,大尺寸化生产技术成为难题。为解决这一难题,晶盛机电重押研发:2020-2024年,其研发费用从2.27亿元增长到超11亿元,面临业绩压力也从未停滞研发脚步,研发费用远超捷佳伟创。晶盛机电是国内少数取得12英寸碳化硅衬底实质性突破的企业,且碳化硅长晶炉市占率全球第一。2025年9月,公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞正式通线。2026年1月,浙江晶瑞又成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性(TTV)≤1μm的技术突破,解决了“卡脖子难题”。第二个优势,产能大。在6-8英寸碳化硅衬底业务上,晶盛机电已经可以规模化量产,量产材料的核心参数指标达到行业一流水平。不仅如此,公司还在推进产能全球化布局。公司位于浙江上虞和宁夏银川的碳化硅衬底项目均已投产,银川项目年产能可达60万片;马来西亚槟城的碳化硅衬底项目也预计在2027年投产。未来随着碳化硅产业发展成熟,公司技术、产能优势有望被进一步放大,这也形成了增厚业绩的另一逻辑。总的来看,晶盛机电的转型之路刚刚起步。虽然目前半导体业务还无法挑起公司业绩的“大梁”,但转型需要魄力,更需时间。至少,晶盛机电已迈出关键一步!

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7. 整个小鹏公司的车,能耗都是行业偏低的。重点说说MONA车上用的【混合碳化硅扁线电驱】。 【混合碳化硅材料】已经是三电系统的新风向了,前几年爆火的SiC已经冷静下来了。所谓混合碳化硅材料是指碳化硅SiC跟IGBT的结合使用,这绝对是正解。【目前市场现状】混合碳化硅材料,英飞凌,汇川已经有产品了,吉利已经量产,小鹏已经量产,最早在P7+上使用了@XP-顾捷Jacky 【吹爆小鹏,又一次走在了技术的前沿】。小鹏在p7+上发布了新电机技术——混合碳化硅同轴电驱,电驱CLTC效率93.5%,是行业第一。小鹏MONA的新电机主要有三大亮点:一,减少使用60%的碳化硅,同时提升电机输出功率。二,体积减少,较传统电机体积减少30%,留给后排更大空间。重量减少7.5%,减重节能。三、运用混碳化硅芯片提升电机性能。可以看出,减少碳化硅使用,跟IGBT做一个结合,反而能提高效率,成本降低。【新技术一直在淘汰老技术】这两年,车企都在上800V,碳化硅SiC,追求更快的充电速度,更高的电驱效率。但是使用碳化硅SiC很难在性能和成本之间平衡,而且SiC相对于Si IGBT也并不全是优点。所以,行业内现在就提出了观点,碳化硅SiC MOSFET不是在所有条件下都对Si IGBT材料有优势,在使用碳化硅时,可以在性能和成本之间做一个平衡。#何小鹏称MONA能耗达全球领先水平##何工科普#

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11. 不光电池和内存,按照现在的态势,SiC(碳化硅)的价格也要开始飙涨了。Wolfspeed从3月底到现在涨了接近2倍,市场重新开始定价:AI时代,功率半导体可能进入新周期。过去两年,SiC行业最大的问题是新能源车增速放缓、库存高企、价格战严重。尤其中国厂商大规模扩产后,市场一度担心SiC会像传统功率器件一样快速陷入过剩。现在出现了一个很大的变量——AI基础设施。AI服务器、800V高压电源,数据中心高效电源模块,对高频、高效率、低损耗的需求都在快速提升,而这恰恰是SiC最擅长的领域。SiC(碳化硅)行业逻辑已经开始从“新能源车单一驱动”,转向“汽车+AI电源+数据中心+工业能源”的多场景驱动。AI不仅拉动HBM和GPU,也在重构整个电力电子产业链。中国在衬底、外延、器件、设备多个环节都已经具备全球竞争力,尤其6英寸之后,中国厂商扩产速度极快。当然中国企业也会卖给更有购买能力的Ai行业,汽车的客户确实难了。#SiC可能要涨价了##大v聊车#

12. 英伟达最新AI数据中心电源架构的全景解析:从GaN/SiC芯片到先进封装、从单级拓扑到HVDC/SST高压架构

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18. 提了一下,感觉轻了一半…关键是,它是有轨道的,位置挪动方便了 迪子的说法是 硬核闪充技术树立行业新标杆 [流鼻血] 速度那么快,就是碳化硅1200V器件的功劳。 业内大概在前年开始铺了,因为比亚迪做的最快,所以上车也最快。碳化硅原材料价格降了30%多,成本降低很低,车企大概在明年会大面积使用碳化硅,兆瓦闪充很快到来。

19. 在“中国心” 2026 年度动力日暨第十届中国汽车动力技术大会上,理想汽车自研高压 SiC 电驱动系统强势出圈以93.08% 的 CLTC 工况电驱效率稳居行业领先,搭配全栈自研的碳化硅功率芯片,斩获“中国心”2025年度十佳电驱动系统认证,推荐车型为#理想i8#

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24. 士兰微,IDM模式成为市场核心支点?士兰微正在成为“功率半导体+国产替代+AI电源”三重逻辑的核心支点,而IDM模式就是它的“定海神针”——在当前周期复苏+自主可控的环境下,IDM不再是包袱,而是最硬的壁垒。 一、先定性:它是谁? - A股唯一纯功率IDM龙头(设计+制造+封测一体),全球功率半导体前十,国内第一梯队。- 产线:5/6/8/12寸硅基+6/8寸SiC,国内IDM产能最大之一。- 市值:约500亿,功率半导体“中军”,近期放量走强,机构持续加仓。 二、IDM为什么现在是“核心支点”? 1)模式稀缺:国内几乎“独一份” - 功率半导体(IGBT/MOSFET/SiC)设计与工艺深度绑定,Fabless(无晶圆)做不了高端,必须IDM。- 国内像样的功率IDM:士兰微、华润微、时代电气;士兰是唯一从设计做起、全链条打通的民营IDM。- 大基金持续加持,战略定位“国产功率半导体核心平台”。 2)周期反转+产能满载:IDM重资产变“印钞机” - 2025年Q4见底,2026Q1净利2.09亿,同比+40.57%,环比+322%,毛利率19.79%(持续抬升)。- 核心产线满产:8寸功率、12寸模拟、SiC产能利用率100%,订单排到2027年 。- 涨价潮:IGBT、MOSFET、IPM模块普遍涨价10%-20%,IDM直接受益,Fabless只能看代工厂脸色。 3)三大黄金赛道共振:IDM全链条吃满红利 - 新能源汽车(最强):B7车规IGBT模块获“2026国产车规芯片十强”榜首;SiC主驱模块累计出货5万+,绑定头部车企 。- 光伏/储能:IGBT/MOSFET份额快速提升,国产替代率不足20%,空间巨大。- AI算力电源:服务器/交换机高压MOSFET、电源管理芯片(PMIC)刚需,士兰微已批量供货,AI电源第一梯队 。 4)技术壁垒:IDM“工艺+设计”协同,别人学不会 - 自研第五代IGBT(FS V)、Trench MOS、SiC沟槽工艺,良率接近国际一流 。- 设计与制造深度耦合:工艺团队直接参与设计,快速迭代、定制化开发;Fabless只能用代工厂标准工艺,性能差、周期长。- 车规认证齐全:IATF16949、ISO26262 ASIL D、TISAX AL3,国内少数能进全球车企供应链的IDM 。 三、为什么是“隐性支点”? 1. 不像AI芯片那么张扬:不追先进制程(7/5nm),专注高压/大功率/车规,属于“硬科技里的低调王者”。2. 横跨三大主线:半导体(国产替代)、新能源(车/光)、AI(电源),主线强弱都绕不开它 。3. 资金抱团新方向:AI算力(长电/东山)高位震荡,资金转向低位、高成长、硬逻辑的功率IDM,士兰微是首选。 四、IDM的双刃剑(风险提示) - 重资产折旧压力:固定成本高,景气下行时利润波动大。- SiC扩产烧钱:8寸SiC产线投资巨大,短期压制利润。- 国际竞争激烈:英飞凌、安森美、ST实力强,高端市场仍有差距。 五、一句话总结 士兰微的IDM模式,在2026年从“周期包袱”变成了“核心支点”——它是国产功率半导体的压舱石、新能源汽车的心脏、AI算力的电源保障,更是当前市场“低位硬科技”的标杆。 六、关键观察位(明天验证) - 支撑:38元(近期平台下沿,不破则强)。- 压力:45元(前高,放量突破则打开空间)。- 量能:50亿+(维持活跃,缩量则警惕)。

25. 从十五五规划中,我们能看到哪些投资机会?

26. 2026年1月WBG宽禁带半导体月度要闻:SiC/GaN在EV, EVTOL, 机器人, 数据中心, 航空航天的产业应用

27. 头条热点:1.国产设备新突破!芯上微装首台350nm步进光刻机正式发运2.新鼎资本:“稳健派”选手穿越资本浪潮,锚定五大赛道3.英伟达中国特供RTX 6000D芯片现身,核心数量、显存容量和频率均缩减4.起底中国SiC大尺寸衬底:多家8英寸产能冲刺百万片,12英寸产业化瓶颈待破5.中国商务部:荷兰对安世半导体的不当行政和司法干预仍未取消6.机构:DRAM Q4涨价风暴将起,合约价估季增超50%7.台积电就2nm泄密案申请临时处分,禁止罗唯仁转任英特尔网页链接

28. 我国发布「十五五」规划纲要草案,有哪些信息值得关注?

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33. 晶盛机电

34. 算力散热需求爆发,碳化硅产业迎来“需求扩容+供给重构”拐点。晶盛机电8英寸衬底技术国内前列,芯联集成SiC器件国内领先,共迎产业红利

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37. 【华源电新】天岳先进点评

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40. 天岳先进8吋SiC登顶全球第一

41. 天岳先进

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43. 天岳先进碳化硅衬底市占率居全球首位

44. 天岳先进

45. 天岳先进

46. 天岳先进SiC衬底全球市占率第一,SST成本拐点将至

47. 业绩拐点期已至

48. 12英寸碳化硅衬底全流程成本降25%-30%

49. 第三代半导体核心材料

50. 碳化硅产业调研纪要--涉及天岳先进/三安光电/天科合达/英飞凌等

51. 灼识观点 | 21世纪经济报道专访 CIC 灼识咨询董事总经理余怡然

52. 中国SiC衬底产业

53. 国产SiC实现三项关键技术突破

54. 中天晶科12英寸碳化硅单晶技术突破,打破大尺寸晶圆瓶颈

55. 碳化硅产业最新动态

56. 12英寸SiC单晶衬底技术再传厂商新突破

57. 成功研制!国内12英寸碳化硅玩家+1

58. 据2月22日“露笑科技股份有限公司”公众号消息,近日,露笑科技旗下合肥露笑半导体材料有限公司(简称“合肥露笑”)接连传来捷报。继8英寸导电型碳化硅衬底实现关键技术突破后,公司又在半绝缘型碳化硅领域取得关键性进展,首次制备出12英寸碳化硅单晶样品,完成从长晶到衬底全流程工艺开发测试,表面粗糙度达到了纳米级水平,完全满足AR眼镜光波导及射频器件的严苛要求。这预示着合肥露笑在大尺寸赛道上形成决胜未来的关键力量。

59. 从8英寸到12英寸

60. 12英寸的"半绝缘"突围

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70. AI芯片,急需可量产的12英寸碳化硅

71. 第三代半导体尺寸革新

72. 起底中国SiC大尺寸衬底

73. 国内 12 英寸碳化硅玩家全景解析(技术突破 + 产能规划)

74. 晶盛机电

75. “十五五”——描绘碳化硅产业发展“芯“蓝图

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81. 半导体卡脖子材料碳化硅

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87. 突破"卡脖子"!2026碳化硅国产突围

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90. 碳化硅2026产业拐点已至,核心龙头企业详细整理(附名单)

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92. sic碳化硅前景如何

93. 集成电路专栏丨2026年碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)市场演进及中国产业化破局

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96. 国产碳化硅衬底,现在跑到哪了?

97. SiC与InP

98. SIC供给失衡在即?8英寸瓶颈将重塑行业格局,布局龙头成投资新共识(附股)

99. 5.13 碳化硅行业深度研报

100. 第三代半导体衬底项目融资成功核心要素与行业深度问答

101. 重磅突破!合肥露笑攻克12英寸碳化硅,国产半导体硬气翻身

102. 12 英寸导电型碳化硅单晶衬底的制备与表征

103. AI算力瓶颈催生SiC超级周期!Wolfspeed三个月暴涨283%,SiC衬底市场有望从百亿迈向千亿(附股)

104. 晶盛机电:12英寸碳化硅衬底送样验证 8英寸获海内外批量订单

105. 我国新研两款12英寸碳化硅衬底加工减薄设备

106. 晶盛机电:公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售

107. 【688234】:碳化硅+第三代半导体+半导体材料,碳化硅衬底制造商

108. 全球14条8英寸SiC晶圆产线进展统计

109. 12英寸碳化硅突破:中国半导体,相继打破国外几十年垄断?

110. Citrini (2026.05) 报告:碳化硅被严重低估,四大类16家公司!

111. 我国第三代半导体领域迎来一项里程碑式突破

112. 【行业动态】碳化硅市场两极分化,AI与高性能计算成新增长点

113. 晶盛机电:投资者交流揭示12英寸碳化硅衬底中试线贯通,8英寸进入国际客户批量供货阶段

114. 天岳先进:公司8英寸产品已获得全球头部客户批量采购 今年出货占比会继续增长

115. 碳化硅正在悄悄改写汽车、2026年,这盘棋谁在真正落子?

116. 露笑科技12英寸碳化硅取得关键性进展

117. 又有11家企业取得12/14英寸SiC突破

118. 8吋SiC开始爆单,这项技术助力击穿“成本墙”

119. 2025年营收36.72亿元!露笑科技碳化硅业务获关键突破

120. 博世、Wolfspeed公布最新碳化硅技术进展!

121. 碳化硅产业链核心概念股

122. 002617,突传喜报!12英寸碳化硅,取得关键性进展!

123. 中国品牌日献礼:中天晶科发布12英寸碳化硅晶体

124. 上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果

125. 中天晶科:12英寸碳化硅单晶生长技术取得突破!

126. 「硅来半导体」:12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备批量交付

127. 露笑科技:碳化硅衬底技术与产能分析

128. 国产12英寸SiC再进一步!中天晶科公布最新单晶突破

129. 碳化硅衬底破局:晶盛机电如何在第三代半导体竞赛中定义“中国尺寸”

130. 中天晶科宣布突破12英寸碳化硅单晶生长技术

131. 晶盛机电:8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列,12英寸中试线已通线

132. 半导体与半导体生产设备行业深度报告:新旧动能切换供给竞争转势,碳化硅衬底进击再成长-20260210

133. 晶盛机电在马来西亚投建8英寸碳化硅衬底项目,一期年产能规划24万片

134. 晶盛机电12英寸碳化硅衬底已送样验证

135. 南砂晶圆4大SiC创新产品亮相,已批量供货头部客户

136. 51.3%份额!8英寸SiC衬底“隐形冠军”正浮出水面

137. 芯联集成8英寸碳化硅产线量产进入产能爬坡阶段

138. 碳化硅热导率3倍于硅!12英寸SiC量产,精准对接英伟达下一代GPU

139. 晶盛机电:12英寸碳化硅衬底送样验证 8英寸斩获海内外批量订单

140. 又一家企业发布12英寸碳化硅晶体

141. 晶盛机电(300316.SZ):碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售

142. SiC衬底的两大新兴应用方向,打开通向未来产业的想象空间

143. 大尺寸的"光环"与商业化的"沉默":露笑科技12英寸SiC样品背后的产业规律

144. 【碳化硅】晶盛机电8英寸碳化硅衬底量产良率达75%,12英寸中试线完成送样验证

145. 露笑科技碳化硅技术再进阶:12英寸单晶问世,产品矩阵实现“双向覆盖”

146. 露笑科技8英寸导电型SiC衬底取得重大突破

147. 露笑科技:碳化硅衬底国产替代的急先锋,合肥基地投产在即打开产能瓶颈

148. 碳化硅国产里程碑!8英寸良率破70%,商业化红利加速释放

149. 露笑科技:8英寸导电型碳化硅衬底研发迎新进展

150. 三安光电两大技术落地,12 吋 SiC 衬底送样

151. 碳化硅12英寸晶圆接连问世,替代硅材料却没那么简单,一场\

152. 露笑科技:碳化硅8英寸量产12英寸出样,高国产化率加速国产替代进程

153. 【成员风采】昂坤交付国内首台12英寸碳化硅晶圆缺陷检测设备,推动超大尺寸碳化硅良率升级!

154. 喜讯 | 核心材料,自主突破!合肥露笑半导体8英寸碳化硅喜报来袭

155. 碳化硅(SiC) ,最核心的10家公司和产业链梳理(附名单)

156. 碳化硅产业链深度解析:衬底与外延占70%成本,IDM模式主导

157. 天岳先进:8英寸产品是公司当前的核心增长极

158. 碳化硅产业链AI解析

159. 晶盛机电:6-8英寸碳化硅衬底规模化量产,首条12英寸中试线已通线

160. 超1000片!浙江晶越半导体8英寸SiC衬底,报喜

161. 晶盛机电,全面加速年产60万片8英寸SiC衬底项目投产

162. SiC速评:天岳先进获台积电颁奖,SiC材料看电源+液冷大增量

163. 碳化硅周报(2026年3月25日至3月31日)

164. 刚刚!12英寸碳化硅单晶落地,突破西方垄断!露笑科技走势研判

165. 又是国产第一!12英寸碳化硅设备交付,损耗降30%真提气

166. 露笑科技:已制备出合格的12英寸碳化硅单晶样品,但未形成销售

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