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十四代酷睿笔电现身，有哪些亮点？
2023-06-02 17:47:48
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正当大家还在为了选购十三代酷睿还是zen4纠结的时候，搭载十四代酷睿的笔电已经悄然而至，出现在了台北电脑展上。
核心规格为6+8+2，新增两个低功耗小核
从图片中可以看到，该笔电搭载的处理器隶属meteor lake-p系列，b0步进，采用intel4工艺。
核心规格为6大核，8小核，2低功耗小核，共计16核心22线程。
每个大核心二级缓存2mb，与十三代桌面端相同。
每个小核簇二级缓存2mb，与十二代桌面端相同。
基准频率3.1ghz, 加速频率4.2ghz，tdp28w。
没有调校好，跑分很低
但是r23跑分只有4261分，可以说是非常低了，cpu占用率只有百分之21，可能是哪里没有设置好。
下面给大家列举一下相比十三代酷睿移动端的变化。
一.采用7nm工艺，能耗比显著提升
intel的11，12，13代酷睿移动端采用duv光刻机的10nm工艺制造，每一代均比上一代有所优化。
为了在命名上能够与台积电对标，改名成了intel7。
而14代酷睿则用上了euv光刻机，采用7nm工艺，为了跟台积电对标，intel将其命名为intel4。
intel的制程工艺是按照晶体管密度来命名的
intel7nm工艺的含义是:每个晶体管占用面积为70*70=4900平方纳米。
而台积电的制程工艺则是按照沟道宽度来命名的，
台积电5nm工艺的含义是:晶体管沟道宽度为5nm。
所以，intel和台积电的制程命名完全是按照的不同标准，两者并没有可比性。
intel将7nm工艺命名为intel4，是为了向消费者表达该制程工艺的表现与台积电4nm相近。
二.新增dlvr技术，分模块调节电压
不同于amd的分模块加压。在十四代酷睿之前，intel处理器的每个核心和缓存，电压都保持一致。
当一个核心需要高电压时，会连带着其它核心，以及缓存的功耗一起变高。
在十三代酷睿的es版本上，intel对dlvr技术进行了一些尝试，结果以失败告终。
成功采用该技术的十四代酷睿，将在日常使用的能耗比上有所提升。
三.核显架构更新，规模增加。
十二，十三代酷睿移动端h／p系列的核显架构为generation12.2，规格为96eu。
而十四代酷睿的核显架构升级到了generation12.7，规模升级到了128eu。
内存带宽一直是核显很严重的瓶颈。
因此在内存带宽有极为显著的提升之前，笔者并不对核显的性能有多大信心。
四.soc上新增两个小核。
14代酷睿u系列示意图，有两个小核心位于socoll die上
这个改动有可能会显著改善待机功耗，具体效果还是需要等待上市之后实测。
新增的两个小核，架构与cpu运算单元内的小核相同，因此在兼容性问题上可以不用担心。
但是调度问题还是很让人担忧。
五.集成VPU，NPU模块，增加系统缓存
任务管理器中可以看到npu
这些我们在手机，平板电脑上已经见过了，在至于具体功效怎么样，还是有待上市之后实测。
六.采用多die封装，降低成本
像amd的桌面端处理器，从zen2开始便采用多die封装，可以有效提高良品率，降低成本。
采用了多die封装的7045hx处理器，待机功耗很高
缺点是会导致功耗变高，待机功耗居高不下是amd桌面端一直没有解决的问题。
而采用了台积电4nm工艺的7840hs，7940hs，由于也采用了多die封装，待机功耗也比上一代有所增加，同时导致续航变差。
从meteor lake开始，intel也将采用多die封装
至于intel的多die封装会导致功耗增加多少，续航如何，还有待上市之后实测。
总结:
相比十二，十三代酷睿，十四代酷睿的大核心架构没有变化，睿频也比较低。
在极限性能上，很可能不会有显著的提升。
其着重点在于优化能耗比，降低待机功耗，改善日常使用的体验，降低对散热的要求。
像十三代酷睿13900hx，需要200w功耗才能发挥出百分之90的性能，这是绝大部分笔电无法满足的需求，即使是散热最强的gt77hx和外星人m18r1，也是非常勉强。
gt77hx的重量达到了3.47kg
m18r1更是重达4.23kg。
而在显卡满载时（例如游戏场景），cpu受到的限制将更加严重，无法跑满全核睿频。
十四代酷睿则有希望改善这些问题。
当然，买了十三代酷睿的值友也不必懊恼，采用了新工艺的十四代酷睿移动端，在价格上想必相当昂贵，那些有性价比的十三代酷睿机型还是可以放心购买。
例如宏碁的掠夺者擎，在pdd降价到了6000价位，散热也是极其优秀。
可惜目前的bios不支持cpu降压，液金也有一定的风险。
作者声明本文无利益相关，欢迎值友理性交流，和谐讨论～
[已注销]
十五代提升会很大。
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十五代提升会很大。
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