长鑫新目标：预计2-3年内搞定LPDDR5，工艺升级到17nm以下

合肥长鑫公司去年9月份宣布量产国内DDR4内存芯片，总投资1500亿的国内内存项目终于开花结果了。今年以来会有有多款基于长鑫DDR4的国产内存上市，现在下一步目标也定了，预计2-3年内搞定LPDDR5，工艺升级到17nm以下。

日前，长鑫所在地的安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。

在内存方面，文件要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

安徽的这个文件可以说是该省内信息技术产业发展的一个大纲，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，实际上合肥长鑫此前也公布过类似的技术路线图，他们去年量产的内存还是第一代10nm级工艺10G1，相当于19nm工艺的DDR4技术，包括桌面级DDR4、LPDDR4等等。

长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了，预计还会有10G3、10G5工艺，目前具体水平不确定，大概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进，相当于16-19、14-16、12-14nm的水平，具体看长鑫的能力。

至于国产LPDDR5的问世时间，官方2-3年肯定是留出足够空间的，实际完成的时间应该会比这个短，类似长江存储的国产闪存那样，只要解决了第一代，后面的迭代升级会加快速度。

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