比闪存快1000倍：Micron 镁光和intel 英特尔推出3D XPoint存储芯片技术

今天intel（英特尔）和Micron（镁光）联合发布声明，宣告成功研发了一项全新的3D XPoint存储技术，号称这是25年来存储行业最具突破性的革新。目前的存储介质当中，使用最广泛的依然是机械硬盘中的磁性存储和SSD、手机当中的NAND闪存。后者诞生于1989年，即使是对于计算机行业来说，NAND的寿命也够老了，在它之后一直没有革命性的技术出现，所以才会有存储速度拖慢整体性能的说法。

在NAND闪存诞生的年代里，它的能量是巨大的，速度介于RAM和传统磁盘之间，而且价格远比RAM低廉，而且防震、体积小。这种特点让它广泛用于移动设备当中，解决寿命和数据纠错问题之后，更是推动了SSD的普及潮。然而3D XPoint的研发成功，代表着又一次存储革命，也许这项技术商用之后大家都会看到硬盘空间从TB级别到PB级别的进化了。

在英特尔的新闻稿当中，大致的提到了3D XPoint的几个优点：1、交叉点阵列结构，这种结构让它得以获得高密度的存储能力和超高的吞吐性能，垂直导线上可连接1280亿个存储单元，其中每个存储单元存储一位数据；2、可堆叠，存储单元可以对跌倒多个层当中，单个芯片可做到128Gb容量；3、存储单元通过改变发送至每个选择器的电压实现写入和读取，不仅消除了晶体管的需求，同时还降低了成本；4、存储单元切换状态的速度高于其他所有非遗失性存储技术。英特尔称这种存储芯片的速度能够达到NAND的上千倍。