三星公开3nm、2nm 工艺代工计划，台积电也在快马加鞭推进

从去年开始，台积电明显加快了制程的开发进度，5nm后，很快4nm有望在今年年底问世（联发科天玑2000），这对于三星而言不是个好消息。

不过在近日的三星代工论坛2021大会上，三星披露了自己最新工艺进展和路线图，虽然节奏稍微慢半拍，但从总体规划来看还是值得期待的。

据了解，三星的下一步是GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。

图源：科技芯时空

虽然路线图上没有标注2nm，但三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露，三星2GAP工艺会在2025年量产。这是三星首次透露2nm工艺的规划。

台积电方面，预计2024年就会推出2nm工艺，会早于三星一年左右。

所以，大概只要3年时间，工艺将缩小一倍之多。可预见，三星和台积电甚至英特尔接下来都将有一场漫长且激烈的恶战。