三星12层HBM4E通过英伟达认证，为下一代AI GPU供货铺平道路

三星电子在竞争日益激烈的HBM（高带宽内存）竞赛中又清除了一个重大障碍。据《韩国经济日报》报道，三星存储器部门已于9月底完成12层HBM4E在英伟达及其他大型数据中心客户处的认证测试。

认证是内存产品迈向商业部署前最关键的步骤之一，客户会在此阶段评估硬件是否满足其在性能、可靠性、散热及其他方面的规格要求。不过，该报道仅声称三星通过了客户认证，实际供货量、合同金额以及量产交付时间表尚未得到确认。三星方面拒绝证实这一报道，其对《韩国经济日报》表示，无法确认HBM4E的认证是否已经完成。

今年5月，三星已开始向全球主要客户出货12层HBM4E的样品。该芯片单堆栈容量达48 GB，每引脚（pin）稳定运行速率为14 Gbps，并可扩展至最高16 Gbps，带宽最高可达3.6 TB/s。三星表示，这意味着其性能较上一代HBM4提升了20%以上。

在技术层面，HBM4E采用了三星第六代10nm级1c工艺DRAM，并搭配由三星代工生产的4nm逻辑基底芯片，其制造技术建立在现有HBM4产品已部署的工艺基础之上。三星此前还表示，该芯片在能效和散热特性方面均有改进，随着AI加速器不断推高对内存带宽和功耗的要求，这两个因素正变得愈发重要。

三星一直在积极行动，以巩固其在HBM市场中相对于SK海力士和美光的竞争地位。其已于今年早些时候开始量产HBM4，该产品为英伟达Vera Rubin平台量身打造，随后迅速跟进推出了HBM4E样品。如果此次通过英伟达认证的报道属实，那么三星如今已跨越了一个重要的技术里程碑。接下来的问题是：当英伟达及其他AI客户开始放量部署下一代加速器时，这一进展能否转化为实质性的HBM4E订单。