9100Pro VS 990Pro，三星新老盘皇对比测评：是旗舰，也有短板！

大家好，我是森三，今天给大家带来一款顶级固态的上手测评。

3月18日，三星新款PCIe5.0固态硬盘——9100Pro正式在国内开卖，纠结许久之后，UP还是出血入手了一块。一来是想体验下最新的科技，二来自己的板子是带有PCIe5.0的m2插槽的，一直用着PCIe4.0的盘子总觉得有些遗憾。

关于这款硬盘的纸面性能就不多说了，不论是在网上还是在商品页面都可以很全面的看到，UP之前也写过一篇9100Pro和竞品性能对比的文章，想了解的朋友们也可以移步此处：

好了，话不多说，我们直接进入正题。

产品包装

▼9100Pro依然使用了纸质的包装盒，采用了深灰的底色，正面印刷了品牌、型号、容量、速度以及硬盘的图片。

▼背面则是厂商的信息以及一系列的认证标识。

▼我们再来和上代的旗舰990Pro做些对比。

外包装的尺寸上是一致的，完全相同的三维，正面的印刷大致一致，都是品牌+硬盘图片+型号，但也有些细节上的调整。

底色从黑色调整为了深灰色，背面的电路板图案也取消了。防撕贴纸的位置也从左上角挪到了右下角，并且在标识容量的同时，也把速度集成到了贴纸上。此外品牌logo也从右上角挪到了左上角，硬盘图案下方的广告语也取消了。

▼正面还有另外一个不同之处，9100Pro的硬盘图片是经过了喷胶处理的，形成了一个光滑的轮廓覆盖在硬盘图案上面，而990Pro则没有类似的处理。

▼背面的样式也是大同小异，贴纸的位置从左侧挪到了右侧，之前红色的PRO字样和广告语也取消了，全部采用了白色字体印刷。看上去简洁了许多，但UP觉得好像没有之前的方案更显高级了。

值得一提的是，三星这次的给防撕贴纸增加了预切割的防撕刀口，在防撕性能上会更好一些。

▼侧面的样式也有所调整，只有在左侧印刷了“9100PRO”字样， 而990Pro则在除了条码贴纸之外的其它三个侧面都印刷了“SSD 990PRO”字样。

下面进入拆包装环节。

▼两者内部包装还是有较大差异的，990PRO的内部缓震托盘采用了PET材质的透明上盖和PC材质的双层底座，可以直接看到硬盘。而9100PRO则全部采用了纸质材质的上盖和单层的底座，无法看到硬盘。

左为990PRO，右为9100PRO。

▼9100的托盘的上盖背部还粘贴了一块有凸起的硬纸板，用于固定硬盘，防止晃动时硬盘跑出槽位，造成损伤。

▼990PRO的托盘底座采用了双层设计，下层为放置说明书的地方。而9100的托盘底座只有单层，说明书装在一个卡纸材质的信封里面，直接粘贴在了底座的下面。

左为990PRO，右为9100PRO。

硬盘外观

▼硬盘依旧采用了单面颗粒设计，正面从左到右几颗大的芯片依次是：两颗512GB的闪存颗粒、1GB的缓存颗粒、主控芯片。上面覆盖了一张小小的贴纸，记录了硬盘的型号、序列号、产地、生产日期等信息，贴纸就是简单的塑料材质，没有散热的功效，貌似撕了也不影响保修。

主控上面钎焊了一层金属的外壳，用来提升主控的散热效果。

背面延续了三星的奇怪风格，贴了一张厚厚的铜质散热片，覆盖了背部2/3的区域。

▼与990Pro的对比，可以看到9100Pro贴纸的尺寸要小了一圈，贴纸风格基本类似，只是把原来两个硕大的条码换成了二维码。推荐电压都是3.3V，推荐电流则从2.2A增加到了2.9A，整个硬盘的功耗有所增加。

颗粒布局上，两者基本类似，都是两颗存储颗粒+一颗缓存颗粒+主控芯片，但9100Pro的主控芯片面积更大一些，且更靠近金手指。

▼背面的对比，虽然不能说一模一样，但也确实相差无几。依然有个占据硬盘2/3面积的厚厚的铜质散热片，可以看到明显的凸起。

上：990Pro，下：9100Pro

▼侧面视角的对比，PCB面板的基材颜色有变化，990Pro偏绿色，而9100Pro偏黄色，不过表层都做了黑色的面漆喷涂，基本看不出什么差异。另外9100Pro的铜质散热片厚度要比990Pro稍薄一点，拍照不是很清楚，但直接上眼或者用手触摸还是能感受出差别的。

上方：9100Pro，下方：990Pro

硬盘信息

▼首先使用Crystal Disk Info检测硬盘信息。

0读取0写入0通电次数，没有翻车。

▼使用三星魔术师软件，可以正常识别硬盘，并认证为正版。

▼使用AIDA64查看硬盘的信息，可以看到9100使用了第八代的236L TLC V-NAND颗粒和基于5nm工艺打造的新一代Presto主控，而990Pro则是第七代176L TLC V-NAND颗粒和8nm的Pascal主控。

▼温度控制方面，9100Pro和990Pro一样，设置了5档电源状态，温度墙最高是88°C，比990Pro的85°C高了3度，更高的温度墙可能意味着这块硬盘相比990Pro还是会更热一点。

速度测试

先说下测试环境

• 主板：Z790，带有一个直连CPU的PCIe5.0 m2插槽，也是测试对象的安装位置。

• CPU：14700K

• 内存：芝奇DDR5@7200，16GB*2

• 系统盘：三星990Pro 1TB

• 系统：Windows 11 24H2

为了对比换代带来的提升，UP特意翻出来之前手上990Pro的测试数据作为对比。

我们先看下两者官方宣称数值的情况，9100Pro在主控和颗粒的制程上都使用了新的一代（当然据说也有使用8代颗粒的990Pro，不过UP手上这款用的还是7代颗粒），在存储密度和单位功耗上都有所提升。速度方面，1TB版本的顺序读写速度分别提高97%和93%，随机读写速度分别提升54%和68%。那么9100的实际表现到底如何呢，我们开搞。

空盘测速

▼使用Crystal Disk Mark测速

最高顺序读取速度14194MB/s，最高顺序写入速度13256MB/s，与官方宣称的14700MB/s和13300MB/s相差不大。

最高随机读取速度1739K IOPS，比官方宣称的1850K少了6%；最高随机写入速度1636K IOPS，这个数据就和官方宣称2600K相差甚远了，直接缩水了37%。

一开始以为是设置的问题，但反复测试了很多遍，并不断调整线程数和队列深度，甚至使用三星魔术师软件打开官方的鸡血模式，依然没有多大的效果。

当然也有媒体用X870平台+9950X3D测出了与标称性能相差不多的数据，所以也不排除是UP使用的这代板U对PCIe5.0固态的支持存在问题。如果按照这个结果，随机读取速度是要超过标称值的，而随机写入速度也只比标称值低7%，这个表现还是很不错的。https://www.163.com/dy/article/JRNO3FI705119GO7.html

注：图源自天极网对9100Pro1TB版本的测试结果

▼再来看看之前作为系统盘使用的990pro的测试结果，与前作相比，9100Pro的顺序读写速度确实提升了接近一倍，但随机读写速度却只分别提升了44%和20%（如果根据天极网的测试结果计算，分别有56%和77%的提升）。

990Pro Crystal Disk Mark测试结果

▼使用ATTO Disk Benchmark 测速

ATTO主要测试硬盘在不同文件大小下的读写速度，可以看到在读取速度在2MB大小的文件时达到最大值，而写入速度则在256KB大小的文件时就达到最大值。

▼使用AS SSD Benchmark测速

AS SSD测试的是多次读写的平均值，所以成绩比CDM等都要低一些。

连读速写速度分别为10764MB/s和10998MB/s，相比990Pro同样有接近一倍的提升。

随机读写速度分别为3921MB/s和6561MB/s，相比990Pro分别提升了12%和30%，同样远远低于官方宣称的数值。

整体得分上，还是有29%的提升的。另外在请求延迟上，读取的平均响应时间相比990Pro降低了接近一半，还是非常明显的。

全盘写入测试

▼首先使用AIDA64进行全盘写入测试，得到如下曲线。

初始写入速度维持在10GB/s左右，一直到写入20%以后才出现短暂的下降，随后又回升到10GB/s左右，并一直持续到写入近80%，随后速度大幅下降到900MB/s左右，短暂维持后写入速度逐渐攀升并再次回到10GB/s左右的速度，但持续写入约5%后再次大幅下降到900MB/s左右，然后再次攀升到10GB/s。UP被这个测试结果弄的有点懵，于是就再次消耗一次PE做了第二次测试，得到的曲线和第一次非常一致...这不太科学啊，也太逆天了！

▼然后使用WTGbench进行测试，数据处理后得到如下的曲线。

可以看到，硬盘的初始速度大约为11GB/s左右，速度相对比较平稳，在写入量达到240GB以后，SLC缓存用完，速度开始出现下降，并按照三星的传统率先进入写惩罚阶段，此时的速度大约在950MB/s左右。

经过短暂的写惩罚后，速度开始回升，并稳定在1.2GB/s左右，在写入达到480GB以后，速度再次出现小幅提升，来到1.4GB/s上下，随后速度逐渐缓慢爬升，在写入量达到900GB时，速度达到了1.5GB/s。

这个曲线的趋势还是和我们的认知比较相符的，但是，缓外1.5GB/s的速度和UP手上的990Pro一模一样，作为新一代的旗舰，这个水平实在有些不够看的，要知道致态的TiPro9000 1TB版本的缓外速度已经接近3GB/s了，足足高出了一倍。

不过这次需要夸奖的是三星给的SLC Cache还是够大的，240GB左右的缓存和990Pro不到120GB的缓存相比，增加了1倍。

满盘测速

▼UP用视频文件和软件安装包把空间使用率提高到约90%，然后再次使用CDM进行测速。

测得顺序读取速度为14156MB/s，顺序写入速度为13220MB/s，与空盘时相比几乎没有变化。

测得随机读取速度为1585K IOPS，随机写入速度为1453K IOPS，与空盘时相比下降8%和11%。

当然在做满盘测试的时候刚刚执行完全盘写入的测试，硬盘的状态还没有调整到最好，所以对随机读写性能有所影响。

场景测试

文件实际写入测试

▼硬盘在Windows下的可用容量为931GB，所以UP使用约930GB大小的文件，在Windows下对硬盘进行文件真实写入的全盘测试。

▼测量的结果和使用WTGbench测量的结果基本类似。只不过受限于Windows的特性，缓内无法达到硬盘的极速，只能维持在3.5GB/s左右的速度。

当写入量超过本次文件的1/4时（约232GB）以后，SLC缓存用完，速度开始下降到1.2GB/s左右，随后速度有所回升，并维持在1.5GB/s左右波动，直到写入完成。

图片加载测试

▼我们在此使用NASA发布的那张著名的银河全景图来测试硬盘的加载速度，图片分辨率达到108500×81500，共有8.84亿像素，psb文件大小达到24.6GB。

UP分别把这张照片放到了测试目标硬盘里面，分别用Photoshop打开，记录加载时间。

▼9100Pro用时20.92s，只比990Pro快了1.79s，有提升，但不是很大，体感上也不会很明显。

而为了解释大家经常会问的SATA固态和PCIe固态的速度差异问题，UP特意把三星曾经的SATA旗舰850Pro也放到测试中，结果从850Pro读取该文件耗时67.63s，是另外两块硬盘的3倍还多，差异还是非常明显的。

加载用时，越短越好

视频读取测试

▼UP这里使用了一段时长达到2小时35分钟，大小达到86GB的4K高清电影文件作为素材，使用剪映来测试文件读取的速度，并分别记录文件在各个硬盘的加载耗时。

9100Pro共耗时102.79s完成加载，990Pro耗时115.07s，两者同样非常接近，而作为陪衬的850Pro则耗时291.24s，接近前两者的三倍。

加载用时，越短越好

硬盘温度

UP在测试时全程使用Crystal Disk Info对硬盘的温度进行监控。

▼温度最高出现在全盘写入测试时，几乎每次测试都会突破60°C，其中最高温度出现在实际文件全盘写入快结束的时候，到达了65°C。

日常工作温度大约在55°C左右，而闲置温度则在51°C左右。

需要说明的是，9100Pro安装的位置位于显卡上方，并且离CPU更近，受这两大热源的影响很大，且散热装甲的面积更小。而990Pro则安装在显卡下发，且有大面积的散热装甲覆盖。所以9100Pro的散热条件要比目前990Pro差很多。

而印象里之前把990Pro装在相同位置上的日常工作温度大概是53°C左右，比9100Pro低2°C左右，这个差距也和三星给两块硬盘设定的温度墙的差距大体一致。如果按两者2~3°C左右的温差来看，只要散热条件足够，9100Pro的温度应该完全可以控制在60°C以内。

总结

优点：

• PCIe5.0翻倍的带宽带来接近翻倍的顺序读写速度提升。

• 做工用料都不错，延续了三星旗舰产品的高水准。

• 配置了约240GB的超大号SLC Cache，日常使用出缓的场景更少，性能发挥更稳定。

• 售价比990Pro刚上市时厚道了不少，国内价格很有优势，美亚1TB版本售价200美金，比国内贵了1/3。

缺点：

• 缓外直写速度相比990Pro没有任何提升，更是远远落后竞品TiPro9000。

• 实际文件读取测试中，代际因素并没有带来很大的性能提升。

• 发热会比990Pro更高，预计同样的使用场景下温度会高2~3度。

待议：

• 1TB版本的随机读写性能存疑，按本人测试结果来看，随机写入性能和官方宣称值相差很大，但从其他媒体的测试结果来看，基本可以接近官方宣称值。

好了，本次测试就到这里了，大家觉得这款硬盘的性能如何呢？

也许是三星开始学着intel在NAND颗粒上挤牙膏了，这次的升级效果并不是很让人满意（至少1TB如此），尤其是停滞不前的缓外直写速度。成为了这块硬盘最为明显的短板。从实际场景的读速度来看，提升也并不是特别明显，而提升最大的顺序读写速度，在Windows系统的无情阉割下，一般也根本没有什么体会的机会。这时回过头来，再看一下1099和759的价格差距，UP忽然觉得手上的990Pro似乎比以前更香了。

全文终！

注：本次测试结果只对本人购买的此块硬盘个体和测试环境负责，不排除在更换硬盘个体后，或者在其它测试场景下，会有更好的性能表现，如果有请以更好的表现为准。

作者声明本文无利益相关，欢迎值友理性交流，和谐讨论～