三星筹备2029年量产1.4纳米制程

据韩国媒体报道，三星计划于2029年开始量产其1.4纳米制程。最初，三星的目标是在2028年实现量产，但由于2纳米SF2制程及其衍生工艺SF2P节点的产能扩张，这一时间表已被推迟至2029年。

这一时间线与业内其他厂商类似节点的大规模量产目标保持一致。例如，英特尔计划在2028年启动其14A节点的风险试产，大规模量产则定于2029年。台积电计划2028年开始量产其A14节点，这仍将使其在时间上略领先于三星和英特尔。

此外，据悉三星正在为其1.4纳米制程探索高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术，这标志着该公司首次在新制造工艺中从低数值孔径（Low-NA）EUV设备转型。三星一直在与众多韩国国内供应商以及Applied Materials和Lam Research等国际设备制造商接洽，为其半导体NRD-K研发中心采购设备。

此前有消息称，预计到2027年底，ASML将向三星交付约7台高数值孔径（High-NA）EUV设备，这将大幅提升三星晶圆代工在1.4纳米节点上的晶圆产出能力。每台高数值孔径EUV设备每小时可处理175-200片晶圆，月产量有望超过10万片晶圆。当然，这建立在晶圆厂全天候满负荷运转的假设之上。