英特尔XBM专利曝光,封装成本降三成

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07-09 11:16

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【财联社7月8日#晚间新闻精选#】1、习近平出席国家科学技术奖励大会两院院士大会中国科协第十一次全国代表大会并发表重要讲话。2、央行:加强对扩大内需、科技创新、中小微企业等重点领域的金融支持;要继续实施适度宽松的货币政策,加大逆周期和跨周期调节力度。3、截至6月底,量化私募上半年较去年增长1.1万亿元,主观股票多头策略规模增长超6000亿元。4、苹果与博通达成超300亿美元芯片采购协议,加码美国半导体供应链布局。5、英特尔公布一项名为XBM的超高带宽内存专利技术,旨在成为HBM4的替代方案,有望提供更高的带宽和更低的成本。6、公司新闻方面:①江淮汽车:预计上半年净亏损7.4亿元 市场竞争加剧导致销量同比下滑。②高德红外:预计上半年净利同比增长602%-701%。③京东方A:预计上半年净利润同比增长54%-69%。④盛视科技:预计上半年净利润同比增长336%-461%,算力相关业务业绩增长贡献较大。⑤特发信息:预计上半年净利润同比增长881%-1167% 智慧服务板块新型计算机建设项目完成验收。⑥雅创电子:预计上半年净利润同比增长439%-561%。⑦宝鼎科技:预计上半年净利润同比增长469%-560% 电子覆铜板及电子铜箔产品销量及销售价格上升。⑧中金公司:上半年净利同比预增78%-90%。 #江西铜业预计上半年净利最高85亿##京东方A预计上半年净利最高55亿#
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三星九万亿扩产HBM产业链落地!国内十大供货龙头谁能吃到最大订单红利? 三星抛出九万亿韩元存储扩产计划,重点加码HBM高带宽内存、先进DRAM产线,AI算力存储缺口持续拉大,全球供应链迎来大规模国产导入窗口期。一张完整受益图谱梳理出国内10家核心供货企业,覆盖存储接口芯片、靶材、电子特气、抛光液、封装材料、先进封测全链条,清晰拆解哪些企业已经拿到三星、SK海力士正式量产订单。 整条产业链最上游是存储配套芯片,澜起科技作为全球内存接口芯片龙头,产品覆盖DDR全世代缓冲芯片与HBM配套信号调理芯片,长期稳定供货三星电子、SK海力士全部DRAM量产产线,三星扩产带来的存储芯片增量会直接转化为公司业绩增量,是算力存储链刚需核心标的。 半导体材料是本次三星扩产国产替代核心突破口,细分赛道分工明确。雅克科技布局平台型半导体材料,量产HBM金属ALD前驱体、电子特气、光刻配套耗材,已经批量供货三星平泽与SK海力士工厂;有研新材搭建8/12英寸高纯溅射靶材平台,适配3D NAND与HBM薄膜制程,12英寸高纯靶材完成三星认证导入;江丰电子超高纯金属靶材涵盖钽、钨、铜合金,韩本地配套三星、SK海力士HBM、DRAM产线,金属靶材是HBM薄膜层制造不可缺少的基材。 电子化学品赛道供需持续紧张。多氟多量产G5级电子氢氟酸,批量供应三星存储工厂,通过SK海力士全线认证;联瑞新材低α球形硅微粉、氧化硅适配HBM封装,顺利进入两大韩厂供应链;安集科技、鼎龙股份双双布局CMP抛光液配套,抛光液与清洗液已经导入三星、SK海力士12英寸存储产线,适配HBM晶圆平坦化工序,是先进存储制造必备耗材。 先进封装环节直接承接HBM外包需求。长电科技作为全球第三大封测厂商,掌握2.5D/3D HBM核心封装能力,承接SK海力士常规存储订单,通过三星工艺验证,有望拿下三星HBM外包份额;华海诚科实现国内HBM专用GMC环氧塑封料量产,材料完成三星、SK海力士前期工艺认证,等待产能放量。 很多散户只盯着三星扩产的题材热度,却分不清“概念厂商”和“认证供货企业”的本质差距。只有完成韩厂产线验证、实现稳定批量供货的企业,才能持续兑现业绩;仅处于送样测试阶段、无量产订单的标的,很难分享本轮扩产红利。 当下行业传导逻辑十分清晰:AI大模型、算力服务器持续拉动HBM需求,三星大规模扩产倒逼供应链降本,加速国产材料、芯片导入替代海外产品,从前驱体、靶材、抛光液到封装材料全线迎来增量。整条存储材料链目前估值普遍处于低位,对比拥挤的算力服务器赛道,性价比优势突出。 但也要理性区分赛道弹性:澜起科技这类芯片龙头业绩确定性最强;靶材、电子特气企业受益长期扩产周期;封装材料、抛光液厂商订单释放节奏相对滞后。三星九万亿扩产不是短期炒作,未来两到三年国内配套企业将持续收获订单增量,已通过韩厂认证的细分龙头值得长期跟踪。
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1. 【财联社7月8日#晚间新闻精选#】1、习近平出席国家科学技术奖励大会两院院士大会中国科协第十一次全国代表大会并发表重要讲话。2、央行:加强对扩大内需、科技创新、中小微企业等重点领域的金融支持;要继续实施适度宽松的货币政策,加大逆周期和跨周期调节力度。3、截至6月底,量化私募上半年较去年增长1.1万亿元,主观股票多头策略规模增长超6000亿元。4、苹果与博通达成超300亿美元芯片采购协议,加码美国半导体供应链布局。5、英特尔公布一项名为XBM的超高带宽内存专利技术,旨在成为HBM4的替代方案,有望提供更高的带宽和更低的成本。6、公司新闻方面:①江淮汽车:预计上半年净亏损7.4亿元 市场竞争加剧导致销量同比下滑。②高德红外:预计上半年净利同比增长602%-701%。③京东方A:预计上半年净利润同比增长54%-69%。④盛视科技:预计上半年净利润同比增长336%-461%,算力相关业务业绩增长贡献较大。⑤特发信息:预计上半年净利润同比增长881%-1167% 智慧服务板块新型计算机建设项目完成验收。⑥雅创电子:预计上半年净利润同比增长439%-561%。⑦宝鼎科技:预计上半年净利润同比增长469%-560% 电子覆铜板及电子铜箔产品销量及销售价格上升。⑧中金公司:上半年净利同比预增78%-90%。 #江西铜业预计上半年净利最高85亿##京东方A预计上半年净利最高55亿#

2. 三星九万亿扩产HBM产业链落地!国内十大供货龙头谁能吃到最大订单红利? 三星抛出九万亿韩元存储扩产计划,重点加码HBM高带宽内存、先进DRAM产线,AI算力存储缺口持续拉大,全球供应链迎来大规模国产导入窗口期。一张完整受益图谱梳理出国内10家核心供货企业,覆盖存储接口芯片、靶材、电子特气、抛光液、封装材料、先进封测全链条,清晰拆解哪些企业已经拿到三星、SK海力士正式量产订单。 整条产业链最上游是存储配套芯片,澜起科技作为全球内存接口芯片龙头,产品覆盖DDR全世代缓冲芯片与HBM配套信号调理芯片,长期稳定供货三星电子、SK海力士全部DRAM量产产线,三星扩产带来的存储芯片增量会直接转化为公司业绩增量,是算力存储链刚需核心标的。 半导体材料是本次三星扩产国产替代核心突破口,细分赛道分工明确。雅克科技布局平台型半导体材料,量产HBM金属ALD前驱体、电子特气、光刻配套耗材,已经批量供货三星平泽与SK海力士工厂;有研新材搭建8/12英寸高纯溅射靶材平台,适配3D NAND与HBM薄膜制程,12英寸高纯靶材完成三星认证导入;江丰电子超高纯金属靶材涵盖钽、钨、铜合金,韩本地配套三星、SK海力士HBM、DRAM产线,金属靶材是HBM薄膜层制造不可缺少的基材。 电子化学品赛道供需持续紧张。多氟多量产G5级电子氢氟酸,批量供应三星存储工厂,通过SK海力士全线认证;联瑞新材低α球形硅微粉、氧化硅适配HBM封装,顺利进入两大韩厂供应链;安集科技、鼎龙股份双双布局CMP抛光液配套,抛光液与清洗液已经导入三星、SK海力士12英寸存储产线,适配HBM晶圆平坦化工序,是先进存储制造必备耗材。 先进封装环节直接承接HBM外包需求。长电科技作为全球第三大封测厂商,掌握2.5D/3D HBM核心封装能力,承接SK海力士常规存储订单,通过三星工艺验证,有望拿下三星HBM外包份额;华海诚科实现国内HBM专用GMC环氧塑封料量产,材料完成三星、SK海力士前期工艺认证,等待产能放量。 很多散户只盯着三星扩产的题材热度,却分不清“概念厂商”和“认证供货企业”的本质差距。只有完成韩厂产线验证、实现稳定批量供货的企业,才能持续兑现业绩;仅处于送样测试阶段、无量产订单的标的,很难分享本轮扩产红利。 当下行业传导逻辑十分清晰:AI大模型、算力服务器持续拉动HBM需求,三星大规模扩产倒逼供应链降本,加速国产材料、芯片导入替代海外产品,从前驱体、靶材、抛光液到封装材料全线迎来增量。整条存储材料链目前估值普遍处于低位,对比拥挤的算力服务器赛道,性价比优势突出。 但也要理性区分赛道弹性:澜起科技这类芯片龙头业绩确定性最强;靶材、电子特气企业受益长期扩产周期;封装材料、抛光液厂商订单释放节奏相对滞后。三星九万亿扩产不是短期炒作,未来两到三年国内配套企业将持续收获订单增量,已通过韩厂认证的细分龙头值得长期跟踪。

3. 60 秒硬核科普,跳出供需周期看懂存储涨价底层逻辑技术层:产能集中转向 HBM,抬高本土算力搭建成本市场层:上游借助供应链调整定价,产业竞争仍在持续国产存储产业链持续突破,自主发展空间充足#AI创造营##存储芯片##AI算力##科技先锋官# 种斌Marco的微博视频

4. DDR4内存条价格跌了40%,但AI用的HBM还在被巨头高价扫货。存储芯片不是全面降价,而是市场撕裂了。消费电子卖不动,渠道库存压垮了价格;中国长鑫存储崛起,打破了三星、海力士的定价垄断。但AI数据中心对存储的渴求丝毫未减,巨头们正签下三年长约锁死产能。Transformer的局限催生了推理优先的新架构,存储芯片从仓库变成AI的核心生产要素。消费端在跌,AI端在抢,这才是存储市场真实的模样。#AI创造营##存储芯片涨价##三星传获Meta超10亿韩元AI芯片订单##微博视频号续航计划# 种斌Marco的微博视频

5. #游戏笔记本今年猛涨5000元#核心涨价原因:三星、SK海力士、美光三大存储厂商将70%-90%的先进制程产能转向AI服务器专用的HBM高带宽内存,直接压缩消费级DRAM/NAND产能超30%。截至目前DRAM累计涨幅超360%,NAND闪存涨幅超70%,存储成本在笔记本总成本中的占比从15%飙升至30%以上,部分渠道甚至出现“一天三个价”的波动。英伟达将算力芯片产能大量向AI大模型服务器倾斜,消费级RTX游戏显卡供货紧缺、采购成本持续抬升,高端游戏本同时承受存储+显卡的双重成本冲击。英特尔、AMD消费级CPU价格上调10%-15%,叠加面板、锂电池、金属机身原材料、物流成本同步上涨,厂商硬件成本占比突破75%,已无利润缓冲空间,只能向下游传导涨价。

6. 英特尔新专利揭秘:后端晶体管HBM技术,AI时代内存带宽的终极形态?

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