国产存储芯片值得入手吗?1000+用户观点大碰撞

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25-12-04

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46. 国产芯片突破

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52. 2025年企业级 SSD 市场行业现状及未来发展态势

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54. 美智库

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57. 国产固态硬盘相比进口固态硬盘的优势有哪些?

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59. 中国科技企业在全球半导体舞台上,将发出越来越响亮的声音。 #大咖观察 #红衣聊AI #半导体 #芯片

60. 美国万万没想到,100%中国国产化的长江存储,在美国狂扁美国人

61. 因为白菜价内存,长江存储在美国狂扁美国人

62. 知道这几年为什么没有国外半导体工厂火灾新闻了吗?因为中国存储芯片成了:长鑫存储和长江存储25年一季度的营收都超过10亿美元,市场份额大幅提升,今年都会超过10%。在美国人的施压下,中国存储产业链自主可控快速提升,目前产能急剧提升。长鑫今年年底的内存芯片产能将达到28万片晶圆/月,26年将超过30万片/月,达到15%的全球DRAM市场份。很可能会超过美光,居全球第三。韩国媒体曝长鑫存储今年产能激增68%,直逼美光,接近SK海力士一半,远超过外媒评估的提升20%。长鑫产品LPDDR5系列DDR5系列都已经规模供应了。长江存储的三个芯片工厂都已完工,总产能360万片/年,预计26年的闪存产量就能超过SK海力士,仅次于三星。长江存储的技术发展路径体现了中国半导体产业"后发先至"的特点。该公司跳过了平面NAND技术阶段,直接投入3D NAND技术的研发和产业化。通过自主创新的Xtacking架构,长江存储在存储密度、读写性能和可靠性方面实现了显著提升。制约中国半导体厂商的设备瓶颈已被突破,恐怖的半导体产能大潮要狂飙了。有技术、有市场,扩大产能从来都是中国公司的拿手好戏。就等着看日本和美国厂子亏损破产的到来了。

63. 近期存储产品集体涨价,1TB SSD较去年贵近百元,内存条同步上涨。4月至9月存储芯片已涨两轮,闪迪、美光等国际巨头带头调价,美光9月12日起停报DDR4/5产品并取消优惠,后续或涨20%-30%,群联等也跟进暂停报价。涨价因供需失衡:头部厂商转产DDR5砍旧产能,致DDR4等老款缺货;AI催生高端存储需求,HBM、DDR5等供不应求。此背景下,澜起科技、兆易创新、佰维存储等国产存储厂商在相关领域实现突破。短期涨价是消费痛点,长期或成国产存储替代契机。

64. 突破垄断!中国首台纳米压印光刻机交付,芯片制造换道超车新路径

65. 又一个卡脖子问题解决了。华大九天今天宣布推出了国内唯一的、可支持超大规模Flash/DRAM量产的存储芯片全流程EDA解决方案。注意,是全流程解决方案,意味着包括了设计、验证、量产全部环节。国内企业做Flash和DRAM存储芯片用EDA工具完全可以国产化了。接下来再解决逻辑芯片工具就更完美了。

66. #A股存储芯片概念股大跌#这场暴跌绝非偶然,而是前期过高预期与行业结构性矛盾的集中爆发。核心症结在于外循环拓展乏力与内循环过度膨胀的失衡,企业间关联交易制造的虚假繁荣,终究难以抵御市场检验。 全球四大存储龙头今年纷纷减产,三星 NAND 晶圆产量同比减少 7%,铠侠亦下调产能目标,而中国存储企业的增长数据却呈现逆势繁荣。这种反差背后,是内循环主导的畸形生态 。在 A 股并非个例。尽管存储企业技术突破显著,但国产存储整体国际供应链渗透率不足 15%,外循环的薄弱使得行业增长严重依赖内部关联交易,形成自产自销的虚假闭环。 市场因 AI 热潮赋予存储板块超高估值,佰维存储市盈率一度突破 300 倍,却忽视了消费电子需求疲软的核心现实。低毛利消费级产品占比高达 35%,高毛利 AI 数据中心产品供给不足,导致净利润暴跌 60%,这一业绩爆雷直接触发全球存储板块连锁反应。国内存储企业 “存储 +” 战略虽短期提振营收,但新产品毛利率普遍低于行业均值,内循环下的价格战更挤压了盈利空间。 国内存储技术虽有突破,但全球市场竞争力仍依赖真实需求转化,过度依赖内循环的增长模式缺乏可持续性。当题材炒作退潮、股东套现离场,“套娃交易” 支撑的虚假繁荣轰然倒塌,存储芯片板块的大跌,本质是市场向价值回归的必然结果。#秒懂热点就用智搜# a股存储芯片概念股大跌

67. 芯片战,第一波爱国力量来了。面对美国强力推出的H20芯片,360集团创始人周鸿祎在接受采访时,毫不隐晦地表明对国产芯片的坚定支持。他明确表示:“当下360在芯片采购方面,正逐步朝着国产芯片倾斜。”国产芯片才刚进入市场,美国便迫不及待地解除了对H20芯片的限制。美国这险恶用心,简直是司马昭之心路人皆知。其这一毒计,精准地命中了国产芯片发展的关键阻碍。就在这千钧一发的时刻,周鸿祎向处于艰难困境的国产芯片伸出了援助之手。不得不说,他的这一表态,恰似寒冬里送来炭火,来得恰到好处。他还提到:“虽然目前国产芯片与英伟达的产品存在差距,但我们必须去使用,只有使用量上去了,才有改进提升的空间。”这番话说得实在太精彩了。即便清楚存在差距,可为了推动国产芯片的进步,甘愿舍弃性能更为优越的H20芯片,坚定不移地支持国产。倘若每位企业家都能如周鸿祎这般,每个企业都能像360这样挺身而出,那国产芯片的崛起又怎会是难事?与美国的芯片之战,周鸿祎已然率先站了出来,其他的同行们,赶紧跟上步伐!

68. 美国打响芯片 “围堵战”!强逼台积电涨价,国产芯片迎破局机遇

69. 中国芯片领先全球!碾压西方专利,美日韩紧急开会

70. 长鑫存储官宣,国产DDR5/LPDDR5X双产品,冲进全球第一梯队!

71. 中国芯片行业未来怎么看?

72. 手机卡顿成历史!闪存速度提升千倍,中国打造史上最快电子存储器

73. 【三大巨头停产引发抢货潮 国产存储紧急重启DDR4产线】由于供应短缺,最近一段时间DDR4内存频繁出现涨价、缺货等现象。涨价原因是此前占据该系列产品全球市场份额约95%的三星、SK海力士、美光三大存储巨头宣布加速淡出DDR4产能。据央视财经报道,广东某存储半导体企业生产负责人表示,他们企业去年年底就实现了从DDR4到DDR5产品的生产技术跨越。近期,随着国外原厂相继宣布DDR4产品停产计划,这家企业收到了不少下游客户DDR4的紧急订单,为此不得不重新释放DDR4产能。江波龙高级主任工程师张卫民称,目前虽然市场DRR4销售情况比较火热,但整个在开发过程中,DDR4已进入生命周期后期,现在主要精力其实是放在DDR5新产品开发上。业内人士表示,随着国内人工智能服务器需求激增、数据中心建设持续扩容,以及下游AI硬件进入量产阶段,国产存储芯片的替代进程显著提速。

74. 长鑫IPO:中国存储,沉默者前行

75. 中国芯片突破!全球首颗二维-硅基芯片成功研发,速度提升百万倍

76. 市占率不到10%的国产内存厂商,如何让行业巨头破防的? #长鑫存储# #内存# #DRAM# #国产内存如何逆袭的# 差评君的微博视频

77. 消息称长江存储明年底NAND产能市占有望达15%,正建全国产产线

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79. 数据中心芯片大变局:美光退,本土上!

80. 手机内存不是国产化了吗?为什么 2025 年手机内存价格会爆涨?

81. 【全球首颗!#复旦团队成功研发新型闪存芯片#】继今年4月,复旦大学周鹏-刘春森团队于《自然》期刊发表迄今最快的二维闪存原型器件“破晓”后,10月8日,该团队又发表了全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片成果,标志着攻克新型二维信息器件工程化的关键难题。随着硅作为原材料的芯片工艺不断逼近物理极限,二维半导体作为下一代关键材料,近年来获得诸多关注。今年4月,复旦大学团队发表了全球首款基于二维半导体材料的闪存原型器件“破晓”,存储速度比传统闪存快100万倍,但与硅材料纳米级别的工艺相比,二维半导体厚度仅为1-3个原子,相当于不到1纳米,制造工艺难度要求极高,如何实现其与现有硅基工艺平台的集成,又不破坏其性能,成为该技术未来能否大规模应用的核心问题。 看看新闻Knews的微博视频

82. 【振奋人心!中国顶尖高校芯片研发突破 】清华、北大、复旦三所高校近期接连发布三款具有颠覆性意义的国产芯片,展现了中国在半导体领域的硬实力。 1. 复旦大学:二维-硅基混合架构闪存芯片 • 技术突破:全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片,融合二维材料与硅基技术,实现超高存储密度、3倍数据传输速率提升及60%待机功耗降低。 • 应用前景:适用于人工智能服务器、超高清存储终端等领域,为中国在存储芯片底层技术领域赢得话语权。 2. 北京大学:模拟矩阵计算芯片 • 技术突破:基于阻变存储器的模拟矩阵计算芯片,利用电子物理特性直接计算复杂矩阵,速度比顶级GPU快1000倍,能耗极低,1分钟完成传统GPU需1天的任务。 • 应用前景:从根本上改变运算方式,开启算力革命。 3. 清华大学:光谱成像芯片“玉衡” • 技术突破:指甲盖大小的芯片具备亚埃米级精度和每秒88帧快照式光谱成像能力,可同时分析物体颜色、材料、内部结构及能量状态。 • 应用前景:将用于天文巡天、暗物质观测及高端材料检测,推动人类探索未知的进程。 这三款芯片分别代表了“能想”、“能算”、“能看”三个维度的技术飞跃,标志着中国科研团队正从技术追赶者转变为规则制定者,通过底层创新改写未来技术格局。

83. 国产芯突破封锁,长江存储首条纯国产产线下半年试产!

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90. 存储芯片开启超级周期!涨价逻辑与核心标的全梳理存储芯片板块持续爆发,三星、SK海力士等巨头率先提价30%,行业迎来久违的"量价齐升"行情。这轮上涨绝非短期炒作,而是供需反转、需求爆发与国产替代共振的必然结果。一、三大核心上涨逻辑 1. 供需格局彻底扭转:全球头部厂商主动减产15%,DRAM稼动率降至82%,NAND稼动率80%,库存从4个月降至2.5个月的供需平衡线。TrendForce预测四季度DRAM价格涨8%-13%,NAND涨5%-10%,2025年缺口将达30万片/月。 2. AI驱动需求爆炸:单台AI服务器存储需求是普通服务器的8-10倍,OpenAI"星际之门"项目月采90万片DRAM晶圆,占全球产能40%。HBM需求3年增300%,2025年市场规模将达300亿美元。 3. 国产替代加速突围:国内存储自给率不足10%,政策明确2026年提升至20%,大基金三期注资超500亿元支持扩产。长江存储294层3D NAND、长鑫存储DDR5实现量产,打破海外垄断。二、产业链核心标的清单设计领域 • 兆易创新:全球NOR Flash龙头,长鑫存储DRAM代工合作方,多产品线布局优势显著。 • 澜起科技:DDR5内存接口芯片全球市占率第一,深度绑定国际标准制定。 • 北京君正:车规级存储龙头,已对部分客户上调价格,受益车载需求爆发。 • 江波龙:国内最大独立存储器企业,Lexar存储卡全球份额第二,模组业务高景气。封测与制造 • 深科技:国内最大DRAM封测企业,全球第二大硬盘磁头制造商,产能利用率超90%。 • 长电科技:大陆第一封测龙头,承接3D NAND高端封装订单,业绩弹性显著。材料与设备 • 雅克科技:存储前驱体核心供应商,光刻胶实现突破,切入SK海力士供应链。 • 中微公司:刻蚀设备龙头,产品支撑先进存储产线建设,国产替代核心标的。模组与分销 • 佰维存储:同时掌握NAND/DRAM研发与封测,受益SSD价格上涨。 • 香农芯创:AI服务器存储模组供应商,深度协同产业链资源。(注:未上市核心企业:长江存储(NAND龙头)、长鑫存储(DRAM龙头))摩根士丹利指出,本轮由AI驱动的存储周期持续性将远超以往消费电子主导的周期。不过需警惕2025年Q3后扩产释放带来的价格压力,短期聚焦高景气的HBM、DDR5赛道标的更具确定性。#存储芯片 ##AI算力 ##国产替代#

91. DeepSeek 更新,一句话让国产芯片集体暴涨!

92. 突破267层!长江存储如何改写全球NAND闪存格局?

93. 大动作!存储芯片巨头完成股改!概念股大汇总!

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97. 存储芯片:芯片产业的 “战略粮仓”,国产替代进入攻坚期

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102. 全球存储芯片价格暴涨 千亿存储巨头加速登陆 长存长鑫存储芯片核心供应链梳理

103. 267层NAND量产!长江存储对标全球领先

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107. 国内唯一3D 闪存设计制造一体化的国企--长江存储科技有限责任公司

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111. 关税来袭,进口 SSD 成本飙升,天硕国产 SSD 破局突围

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113. 存储芯片第一股长江存储IPO加速,其参股企业和核心概念股梳理(半导体设备国产替代)

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117. 长江存储,国内NAND 领域的独行者,美日韩主导下的国产突围孤勇者

118. 关于储存芯片。关于储存芯片: 存储芯片赛道近期热度飙升,成为继AI芯片、动力电池、液冷技术及医药出海后的又一市场焦点。今天,我们就聚焦A股,系统梳理国内存储芯片领域的核心玩家。 在细分领域,国内企业已形成清晰的龙头矩阵: • 存储芯片龙头:长江存储,是国内存储芯片领域的绝对领军者; • DRAM芯片龙头:长鑫存储,在动态随机存取存储器领域占据国内领先地位; • 特种芯片双雄:紫光国微与复旦微电,共同主导国内特种芯片市场; • Flash芯片全球玩家:兆易创新,在闪存芯片领域跻身全球领先梯队; • 嵌入式芯片龙头:北京君正,深耕嵌入式存储芯片,地位稳固; • 小容量存储领军者:东芯股份,专注小容量存储芯片,领跑细分赛道; • 内接芯片巨头:澜起科技,不仅是国内第一、全球第三的内接芯片企业,更深度参与新技术标准的制定与研发; • 芯片领域实力派:国科微,凭借扎实的技术实力,在存储芯片赛道占据重要席位。 当下,存储芯片虽未完全成为市场主流,但长期价值已清晰可见。随着大数据爆发、算力需求激增与云计算的深度渗透,存储芯片作为“数据记忆中枢”的作用将愈发关键——没有优质的存储芯片,海量数据便无法长效留存,数据就是核心生产力。 个人分析,不构成任何投资建议! #储存 #芯片

119. 关税风险,企业供应链怎安全?天硕全链路国产SSD为何能保障?

120. YMTC闪存、CXMT内存市场&技术解析 (含HBM预测)------2025-10

121. 一文吃透固态硬盘:2025 核心参数 + 避坑技巧 + 型号推荐

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125. 存储芯片梳理:AI 创新与国产替代背景下的存储芯片产业链

126. 存储芯片板块异动背后:景气度回升+业绩兑现,估值到底贵不贵?

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128. 长江存储 国产替代 3DNAND闪存 #长江存储 #国产替代 #闪存 #3DNAND #热点新闻事件 长江存储(YMTC)是中国领先的3D NAND闪存制造商,成立于2016年,专注于3D NAND闪存及存储器解决方案。 2025年,长江存储月产能计划提升至15万片,2026年目标全球NAND市场份额达到15%。 2025年下半年,长江存储将试产首条全国产化3D NAND产线,设备国产化率约45%,采用自主Xtacking 4.0技术,工艺水平对标国际领先。

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