英睿达Crucial P1 SSD测评

2019-07-08 15:18:00 59点赞 112收藏 69评论

创作立场声明:我是一个喜欢计算机数码产品的80后,文中商品为自购自用。在此将使用感受分享给大家,希望能给大家提供一点参考。

追加修改(2019-07-08 16:32:37):
写了半天忘了评了。 目前来看,QLC在速度上已经不算慢,即使爆SLC缓存,也能维持不错的速度,至少对遍地都是的SMR机械硬盘那绝对是吊打。再加上大幅降低的价格,对于英睿达P1我只能说,真香!

源起

有了SSD之后,一些非程序的文件都存到NAS上了,电脑上的4TB硬盘也越来越空,前两天换机箱发现,最大噪音源居然成了机械硬盘,这能忍?看了一下,现在的文件稍微清理一下可以控制到1TB以内,于是就动了买个SSD来替换机械硬盘的念头。

现在QLC出来了,SSD的价格也掉得很厉害。虽然总有人吹MLC,甚至过段时间QLC普及就要吹TLC了,但是我主要用来放游戏,作为读多写少的应用情境,擦写寿命其实是可以接受的。至于速度,其实要求不高,只要比机械硬盘快就足够了。如果掉速能在容忍的限度内,那QLC也必定是“真香”。

选择

Intel 660p、英睿达P1、三星860 QVO成了主要考虑对象。

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 660p虽然到过649的低价,但是没赶上,只好作罢。

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看吧,你们一天要MLC,三星就搞出“4-bit MLC”来了,但是你的名字QVO已经暴露了你是QLC了!这个最近几天价格波动极大,从699到899之间。最终没选它是因为价格没啥优势,还是个SATA。而且三年质保明显不自信啊,人家英睿达和英特尔都是五年质保的。

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 那么最后P1价格合适,M.2 NVMe的速度也有保障,五年质保也让人放心,只有选它了。

现在1TB的SSD都才要649了,想当年我第一台NAS里的500GB机械硬盘都要400多,第一块60GB的SSD也花了300(虽然是贴牌的但现在仍在坚强地服役中)。虽然机械硬盘也在扩容降价,但SMR的邪路一时半会儿是走不出来了。

相见

经过几天地等待,P1终于来到了我手中。包装很简单,毕竟M.2的就是一小块电路板。

包装正面包装正面

背面也没啥参数介绍的,就是告诉你去网站上找上面说的内容。开了个小窗可以让人管窥一下。

包装背面包装背面

底部是条码和序列号,顶部就是一个非常简单的封口贴,不过好歹有防止二次拆封的作用。

包装顶部包装顶部

里面就是塑料内包装和一张说明书,说明书也没啥实质内容,还是让你去网站上看。

内包装内包装

终于见到真容了,贴纸上可以看到之墨西哥制造的。

正面正面

背面有空的焊位,2TB的应该就焊满了。

背面背面

这就是全部了,装上机器后就可以开始测试了。

试炼

为了展示它的性能,我豁出去了,消耗了将近1TB的读写量,来进行测试。但是由于时间有限,所以并没有每次测试之后都完全擦除,所以结果仅供参考。每种软件也仅仅测试了默认的参数(想必很多人都是用默认参数测试的)的和最大文件尺寸的(基本都是32GB)的测试,其他参数都没有修改。空盘测试后执行一次格式化,并等待一段时间让其恢复速度。究竟有没有参考价值,各位自行斟酌吧。作为对比,把我作为系统盘的建兴T10(老的MLC版)拉了出来,因为是正在使用中的盘,也没法全盘清零,所以也请见谅。

P1 1TB的官方标称速度是连续读2,000MB/s,连续写1,700MB/s,4K(Q8T8)随机读170k IOPS,4K(Q8T8)随机写240k IOPS。使用的主控是慧荣SM2263主控,闪存颗粒是镁光自己的3D QLC NAND。MTTF是180万小时,TBW是200TB。

软件均使用最新版本,从官网下载。

CrystalDiskInfo

这个软件是看磁盘信息的,可以看到是一块新盘(读写和启动次数都是我测试产生的)。闲置时温度40多度,工作时可以到60多度。

英睿达P1英睿达P1

下面有请陪练。

建兴T10建兴T10

CrystalDiskMark

版本:6.0.2

首先我们用官方的测速软件来练练手,不过我用的版本比较新,测试的项目和之前的版本有所不同。

首先是默认的1GB测试数据大小。

英睿达P1,1GB英睿达P1,1GB

建兴T10,1GB建兴T10,1GB

可见还是能达到官方的标称连续读写速度的,4KB(Q8T8)随机读写换算一下(速度(MB/s)×1,024(KB/MB)÷4(KB/io)),读178,048 IOPS,写238,771 IOPS,也是能达到官方标称的。和MLC的建兴T10还互有胜负,看起来还是不错的。

下面32GB测试数据大小看看。

英睿达P1,32GB英睿达P1,32GB

建兴T10,32GB建兴T10,32GB

32GB下连续读倒是没太大变化,连续写就掉得很多(估计是SLC缓存爆了,关于SLC缓存见下面“附加赛”),4KB(Q8T8)随机读也严重下降,写反而没太大影响,有懂的帮分析分析?建兴T10倒是稳如狗,只有些许下降,甚至写还有提升?这一定是随机误差。

AS SSD Benchmark

版本:2.0.6821.41776

其实测试软件找一两款就够了,但是考虑到大家偏好都不同,所以还是都测一测,方便对比吧。

下面每两张图是一组,分别显示速度和IOPS,都是同一次测试的。

还是先上1GB的。

英睿达P1,1GB,速度英睿达P1,1GB,速度

英睿达P1,1GB,IOPS英睿达P1,1GB,IOPS

建兴T10,1GB,速度建兴T10,1GB,速度

建兴T10,1GB,IOPS建兴T10,1GB,IOPS

虽然连续读的速度比官方标称的小,但我相信是随机误差。下面10GB的。

英睿达P1,10GB,速度英睿达P1,10GB,速度

英睿达P1,10GB,IOPS英睿达P1,10GB,IOPS

建兴T10,10GB,速度建兴T10,10GB,速度

建兴T10,10GB,IOPS建兴T10,10GB,IOPS

可以看到10GB的数据和1GB的相差不大,可见10GB还没有爆SLC缓存,AS SSD Benchmark的参数设置还是太保守了。

TxBENCH

版本:0.96 beta

因为TxBENCH的Advanced Benchmark需要未分区的盘来测试,所以我只进行了Basic Benchmark的测试。

默认的Measurement size是512MB。

英睿达P1,512MB英睿达P1,512MB

建兴T10,512MB建兴T10,512MB

最大的Measurement size是32,768MB(32GB)。

英睿达P1,32,768MB英睿达P1,32,768MB

建兴T10,32,768MB建兴T10,32,768MB

速度比512MB下降严重,连续读腰斩,连续写甚至只有三分之一了,妥妥地爆缓存了。

Anvil's Storage Utilities

版本:1.1.0

默认Test size是1GB的。

英睿达P1,1GB英睿达P1,1GB

建兴T10,1GB建兴T10,1GB

最大Test size时32GB。

英睿达P1,32GB英睿达P1,32GB

建兴T10,32GB建兴T10,32GB

ATTO Disk Benchmark

版本:4.01.0f1

这也是老牌测试软件了,I/O Size全部都是512B到64MB。下面的图片也是两张一组,是同一次测试,用不同的单位表示。

涉殴胃结石一下,这个软件表示的是用I/O Size作为每次I/O操作的数据量,然后读取或写入File Size的文件。比如256MB用1MB的I/O Size读写就是读写256次,用2MB就是读写128次,所以可以看到I/O Size越大IOPS反而越小。

File Size首先时默认的256MB。

英睿达P1,256MB,速度英睿达P1,256MB,速度

英睿达P1,256MB,IOPS英睿达P1,256MB,IOPS

建兴T10,256MB,速度建兴T10,256MB,速度

建兴T10,256MB,IOPS建兴T10,256MB,IOPS

接下来是32GB的File Size。

英睿达P1,32GB,速度英睿达P1,32GB,速度

英睿达P1,32GB,IOPS英睿达P1,32GB,IOPS

建兴T10,32GB,速度建兴T10,32GB,速度

建兴T10,32GB,IOPS建兴T10,32GB,IOPS

附加赛

首先来说说SLC缓存。

SLC就是一个存储单元只有2种状态(分别表示二进制0和1),因为只对应1个比特位,修改时也只修改对应的比特位。而后面出现的MLC一个存储单元有4种状态(分别表示00、01、10、11),对应2个比特位,就算只修改其中一个比特位,也要同时操作两个比特位。再后来的TLC就是8种状态(000、001、010、011、100、101、110、111),对应3个比特位。而QLC就是4个比特位16种状态了(0000、0001、0010、0011、0100、0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110、1111)。所以说为啥三星的4-bit MLC是骗人的。

研究发现,大多数时候的读写操作只会操作较少的数据量,很少会出现一次操作上百GB的情况。所以先用一部分存储单元模拟SLC作为缓存(把存储单元一半的状态当作0,另一半状态当作1,比如QLC就是把其中8种状态当作0,另外8种状态当作1),这样虽然会损失一些存储空间(毕竟原来4比特现在只能表示1比特了),但是速度却大大提升。对大多数情况来说,模拟SLC缓存这部分已经足以应对,当SSD空闲时,主控再把这些数据搬迁到其他单元里储存起来。缺点就是一旦数据量超过模拟SLC缓存的这部分,就只能直接写入其他单元了,速度就大大下降。还有个缺点就是如果搬迁数据时突然断电,会有可能丢失数据。

下面我们就来测测这个搬迁前后的速度。下面就只用CrystalDiskMark来测试了。

先复制大量数据数据,在结束复制后然后马上测试速度。

复制结束后马上测速复制结束后马上测速

可以看到,这个速度和32GB测试量的数据除了连续读都大幅下降之外,其他的基本一致,可见32GB变慢就是爆SLC缓存了。然后静置一段时间再测试。

静置一段时间后测速静置一段时间后测速

可以看到,除了连续写之外,基本都已经恢复了。那么为什么连续写无法恢复到原来的速度呢,这里涉及到另一个知识点了。

首先我们要知道,擦除是比读写慢得多的操作,而且擦除是会损耗存储单元寿命的。

固态硬盘擦写时并不是一个存储单元一个存储单元地操作,而是把一些存储单元作为一个集体一起操作,其中擦除(将存储单元恢复到初始状态,一般是全1)操作的最小单位叫做Block,而写入操作(将1改写成0)的最小单位叫做Page。一个Block包含若干个Page。如果一个Block中还有空的Page,那么它是可以直接写入的,但如果Page都写入过了,那么这个Block需要擦除之后才能写入。

对于空白的SSD,我们只要一个接一个地把Block写着下去就行了,不涉及擦除操作,所以速度很快。但如果我们删除了一些数据呢?那么这些Block就不“干净”了,有“垃圾”了。对于整个Block都不干净的,主控直接擦除就行了。但有的Block只有部分数据是没用,还有一些有用的。主控会把这些有用的数据整理起来放到干净的Block里,然后再把不干净的Block擦除。这个过程就叫做“垃圾回收”。

在我们多次写入和删除文件之后,不干净的Block明显会增多,这个时候主控还来不及垃圾回收,我们就要写入新的数据,速度就会有明显受到影响影响了。这也就是为什么SSD会越用越慢了。特别是SSD的占用越多,可供垃圾回收利用的干净Block越少,速度会越慢。

我们可以静置一段时间,让主控完成垃圾回收,这样我们就有更多的干净Block可以写入了,速度会有所恢复。

其实SSD都会保留一部分空间,不会计入到可用空间中,就是为了让数据快写满时也有干净的Block可以进行垃圾回收,而不至于发生全部都是不干净的Block造成无法写入。

说到垃圾回收就不得不说另一个东西——TRIM。操作系统的文件系统在删除文件时,并不会真正地删除数据,而只是标记这个地方没用了,下次如果用到时再覆盖。但是SSD主控不知道,它还是会认为这些已经被删除的数据还是有用的,从而不对这些被删除的数据进行真正地删除操作,甚至还在垃圾回收过程中将他们搬来搬去。而TRIM指令就是操作系统在删除时告诉SSD,这些数据已经没用了,从而主控就可以对相关的Block进行垃圾回收。

下面就是我将盘基本写满(90%),再静置了几个小时之后的速度。

几乎写满再静置几个小时之后几乎写满再静置几个小时之后

可以看到,除了连续写,都恢复得和空盘差不多了(有的甚至比空盘还好,估计是因为我的空盘并不是完全擦除的有关)。垃圾回收效果十分显著。

尾声

非常抱歉,由于时间和精力有限,没法给大家奉上更加详实准确的数据。相信看过上面的数据,各位对这款SSD能有自己的判断了。

(完)

展开 收起

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