写入速度是UFS 3.0的2~3倍：铠侠宣布出样UFS 3.1闪存，最大容量可达1TB

昨日，iQOO 3 5G首发UFS 3.1闪存，调试信息显示芯片颗粒来自三星。

事实上，上周西部数据也推出了符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存，品名iNAND MC EU521 ，引入第六代SmartSLC缓存技术，写速最高可达800MB/s，且号称容量满载时也不掉速。

本周，铠侠（KIOXIA，原东芝存储）宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片。

新闪存基于东芝BiCS 3D存储技术打造，设计容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西数EU521丰富，主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内。

关于性能，铠侠未给出具体数据，但表示写速是UFS 3.0的2~3倍，连续读速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善随机读取性能，睡眠模式下功耗更低，温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。

铠侠指出，东芝是最早在2013年推出UFS的厂商，去年也是第一波提供UFS 3.0产品的企业。

本文经快科技授权发布，原标题：《铠侠宣布出样UFS 3.1闪存：最大1TB、写速是UFS 3.0两到三倍》，作者：万南，未经允许请勿转载。