16TB M.2 SSD不再是梦！铠侠2Tb QLC闪存助力存储飞跃！

铠侠公司近期宣布了一项重大技术突破，推出了基于其第八代BiCS FLASH™ 3D QLC闪存技术的2Tb QLC NAND闪存产品，并已开始送样。这款产品采用了CMOS直接键合到存储阵列（CBA）技术，实现了业界领先的位密度和接口速度，高达3.6Gbps。与铠侠的第五代QLC产品相比，新一代2Tb QLC的位密度提升了约2.3倍，写入能效提高了约70%。此外，新设备采用单个封装16芯片堆叠架构，使得4TB的容量成为可能，封装尺寸仅为11.5 mm x 13.5 mm x 1.5 mm。

除了2Tb QLC NAND，铠侠还推出了1Tb QLC NAND，它在顺序写入性能上比2Tb QLC提升了约30%，读取延迟也改善了约15%，更适合高性能应用，如客户端SSD和移动设备。这项技术的发展预示着16TB M.2 SSD的问世不再遥远，将为人工智能和大容量存储应用带来新的价值。

铠侠的这一创新得到了业界的高度评价，Pure Storage公司的首席执行官Charles Giancarlo表示，他们期待将铠侠的新技术整合到他们的全闪存存储解决方案中，以提供卓越的性能、能效和可靠性。铠侠首席技术官Hideshi Miyajima也强调了2Tb QLC产品在人工智能应用和对功耗及空间要求严格的大容量存储应用中的潜力。

铠侠的BiCS 8 2Tb QLC NAND闪存的推出，不仅代表了存储技术的一个新里程碑，也为未来的高性能、大容量存储解决方案铺平了道路。随着这些产品的送样和未来可能的量产，消费者和企业可以期待更高容量、更高性能的存储设备，进一步推动数据密集型应用的发展。