铠侠332层3D NAND闪存送样，2027年量产
07-03 18:10
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尚悦张姐 2026-05-25
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Ye Han 2026-06-25
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1. 业内相关消息透露，铠侠敲定了第十代BiCS 3D NAND闪存的量产规划，这款新品预计将于2027年正式投产，具体的投资相关细节，将在今年下半年逐步对外明晰。对比早前传出的2026年量产计划，本次量产时间有所延后。 在核心技术参数上，第十代BiCS闪存采用332层堆叠结构，相较于当下主流的第八代218层产品，堆叠层数提升五成以上，存储密度增幅达到59%。产品搭载Toggle DDR 6.0传输接口，数据读写速率从前代3.6Gbps提升至4.8Gbps，性能提升33%。 同时新品功耗控制表现亮眼，输入功耗下降10%，输出功耗降幅达34%。在标准TLC存储模式下，单颗芯片最高可实现2Tb的大容量存储规格。
新浪微博 2026-05-25 00:00:00
2. 铠侠 VC10 上手体验分享：不卷跑分卷温度，这块 PCIe 5.0 SSD 把「入门」做对了
知乎 2026-06-25 00:00:00
3. 日本铠侠开始动了。ZDNet Korea 报道称，铠侠计划在明年量产第10代 BiCS NAND，也就是 332 层 NAND。相比上一代 218 层，单位面积存储容量提升 59%，传输速度提升 33%。有意思的是，三星和 SK 海力士反而都放慢了第10代 NAND 的量产节奏。三星原本计划今年量产 430 层级第10代 NAND，但现在至少推迟到明年，SK 海力士也还没有明确大规模投资动作。这就给了铠侠一个窗口期。三星的技术指标更激进，层数更高，但如果量产节奏慢下来，铠侠反而可能先把产品推向市场，先验证客户，先抢订单。当然，铠侠现在也只是表达了明确意愿，真正有没有大规模设备订单，还要看今年下半年。存储行业就是这样，技术领先很重要，量产节奏更重要。谁先把下一代 NAND 稳定做出来，谁就能在下一轮 SSD 和 AI 存储需求里多抢一口肉。
新浪微博 2026-05-23 00:00:00
4. 铠侠投资者日：因为AI将首次分红，第十代闪存样品今夏交付，年均资本开支4700亿日元
知乎 2026-06-02 00:00:00
5. 抢先三星打价格战！铠侠 BiCS10 今夏出样：332 层 1Tb TLC
微信公众号 2026-06-03 00:00:00
6. 铠侠投资者日核心要点：首次分红承诺、第十代BiCS FLASH闪存的进度，未来三年资本开支规划
微信公众号 2026-06-03 00:00:00
7. 332层大于400+层 铠侠闪存不跟三星玩数字游戏了
什么值得买 2026-06-02 00:00:00
8. 铠侠抢先发力：332层3D NAND来了
微信公众号 2026-05-26 00:00:00
9. 【产业信息速递】铠侠332层NAND，最新进展曝光
微信公众号 2026-06-30 00:00:00
10. 铠侠332层NAND，最新进展曝光
今日头条 2026-05-23 00:00:00
11. 铠侠有意明年量产第10代NAND，追赶三星和SK海力士
微信公众号 2026-05-23 00:00:00
12. 铠侠332层BiCS10 NAND即将量产 日本存储技术的"防守反击"
微信公众号 2026-05-02 00:00:00
13. 铠侠计划2027年量产BiCS10 NAND闪存：332层冲击更大存储容量
微信公众号 2026-05-24 00:00:00
14. 消息称铠侠计划2027年量产BiCS10（332层）3D NAND闪存
今日头条 2026-05-24 00:00:00
15. 奋力追赶中，铠侠计划 2027 年量产 BiCS10332 层 3D NAND 闪存
知乎 2026-05-24 00:00:00
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