国产芯工艺又进步了：中芯国际或在年底试产第二代FinFET N+1工艺芯片

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日前，中芯国际在回答投资者时表示，公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1工艺芯片已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。此外，中芯国际方面还重申，目前公司营运和采购如常。

今年10月中旬时，中芯就宣布，基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。年底小批量试产，这说明发展一切顺利。

N+1是中芯国际第二代先进工艺的代号，与现有的14nm工艺相比，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小63%，SoC面积减少55%，虽然没有说明具体的工艺制程，但被称为“国产版”的7nm芯片技术。

中芯国际梁孟松博士表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。

前不久，中芯国际在互动平台上也表示，目前公司正常运营，公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通。

公司客户需求强劲，订单饱满，第三季度产能利用率接近满载。展望2020年全年，公司的收入目标上修为24%至26%的年增长，全年毛利率目标高于去年，发展势头很好。