全新横向架构扩展和CMOS布局：西部数据携手铠侠团队推出六代3D闪存技术

日前，西部数据宣布，与铠侠联合研发第六代162层3D 闪存技术。双方通过在架构扩展和 CMOS 布局方面的创新，联合打造出新一代具备更高密度、更为先进的 3D 闪存技术，同时也象征了双方20年合作的又一里程碑。

西部数据公司技术与战略总裁Siva Sivaram博士表示：“摩尔定律在当下的半导体行业发展中已达到物理壁垒，但其仍适用于闪存领域。在新一代技术中，我们与铠侠在纵向和横向扩展方面都引入了创新，让层数更少、体积更小的晶圆实现更大的容量，以满足用户对性能、可靠性和成本的需求。”

铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示：“我们双方共同提供了全球30%以上的闪存存储，并始终坚持以低成本为客户提供具备卓越容量、性能和可靠性的解决方案。”

全新横向扩展技术——超越垂直扩展

第六代 3D 闪存技术的横向单元阵列架构超越了传统八层交错式存储孔阵列，比第五代技术提高了约10%。相比于112层堆叠技术，这种横向扩展技术的创新，结合了162层堆叠式垂直存储器，能使晶圆尺寸减少40%左右，进而优化成本。

西部数据和铠侠团队还采用阵列 CMOS 电路布局和四路同时操作方案。程序性能比起上一代产品，提高近2.4倍，读取延迟降低约10%，I/O 性能也提高了约66%，使下一代接口能够更好适配更高的传输速率。

总体的来说，相比于上一代产品，新 3D 闪存技术降低了单元成本，并使每个晶圆的制造位都增加了70%。

西部数据与铠侠将继续推动创新，预计将于ISSCC 2021展会期间的联合演示中，详细介绍相关技术。