美光发布Micron 3400和2450系列M.2 SSD,采用最新176层3D NAND颗粒至高6.6G/s读取
美光今天在台北电脑展上,带来了采用176层3D NAND颗粒的全新SSD,有走PCIe 4.0 的美光3400和常规PCIe 3.0的美光2450两个系列。
美光3400定位稍高,采用M.2 2280尺寸规格,有512GB、1TB和2TB三种容量,都基于176层3D NAND颗粒(具体类型未知,大概率QLC)。主控未知,走PCIe 4.0通道,兼容NVMe 1.4高速协议,还有先进的电控管理,因此它会更省电高效。
性能上,512GB版本连续读取为6600MB/秒,写入3600MB/秒,4K随机读取36万IOPS,写入70万IOPS,写入寿命为300TBW。1TB版本连续读取为6600MB/秒、写入高达5000MB/秒、4k随机读写分别为63万IOPS、70万IOPS,写入寿命为800TBW。2TB版本连续读取为6600MB/秒,写入也是5000MB/秒,4k随机读写分别Wie72万IOPS和70万IOPS,写入寿命为1200TBW。
所有版本都具有超低延迟表现,读取延迟为55μs,写入延迟14μs,无故障运行寿命200万小时。
定位稍低的Micron 2450针对紧凑型平台,除了M.2 2280尺寸规格外,还有M.2 2242和M.2 2230两种尺寸,都适合空间紧凑,或者当做副卡使用。
它也采用了最新的176层3D NAND颗粒(未透露类型),主控未知,有256GB、512GB和1TB三种容量。走PCIe 3.0通道,全系连续读写均为3.6G/s和3.0G/s,不同的是4K随机表现和写入寿命,256GB版本4k随机读写分别为19万IOPS和40万IOPS,写入寿命为180TBW;1TB版本4K随机大幅提升,分别为38万IOPS和50万IOPS,写入寿命300TBW;2TB版本4k随机读写分别为45万IOPS和50万IOPS,写入寿命为600TBW。
同样,全系也都有低延迟表现,读取延迟为50μs(比3400还低),写入延迟为12μs,无故障运行寿命为200万小时。
暂时还没有公布具体上市时间和价格,预计在Q2季度-Q3季度了,等等看,有美光176层颗粒加入战局,应该会加剧市场竞争,从而拉低同级竞品的价格。
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