就差光刻技术了！日媒：中国或成日荷后，第三个造光刻机的国家

面对外部技术封锁，中国光刻产业正通过深紫外与极紫外两条技术路径并行突破。文章梳理了从资金投入到供应链配套的全链条进展，展现了系统性追赶的态势，并分析了这场技术突围赛中的关键变量与现实挑战。

智能速览

• 中国在深紫外与极紫外两条技术线上并行推进，形成系统化突破。

• 上海微电子公开极紫外关键参数，显示其选择了差异化的技术路径。

• 28纳米浸没式深紫外光刻机国产化率近九成，并已进入试产阶段。

• 掩膜版等核心配套产业取得超预期进展，为光刻机落地提供支撑。

• 外部封锁压力成为“倒计时提醒”，倒逼本土研发加速与设备采购。

• 国内设备整体国产化率仍不足20%，高端制程依赖进口的局面未根本改变。

精华内容

这场追赶并非单点突破，而是资金、技术、供应链的全面集结。从历史脉络到现实进展，中国正在构建一个属于自己的光刻生态。

封锁催生自研

上世纪七八十年代，中国光刻技术与日本的差距尚在可控范围。然而，随着90年代西方出口收紧，特别是2018年中兴、华为事件后，联合禁运让高端设备供应链被按下暂停键，这一刀直接将研发方向逼向“自造为先”。

2000年后，上海微电子扛起大旗，从100纳米级深紫外做起，并于2007年研制出90纳米原型机。尽管零部件稳定性不足影响了量产，但其成功走通了多重曝光的技术路径，为后续发展埋下了伏笔。

进入2010年代，国内芯片需求暴涨，外部环境的收紧反而促使产业向更深水区探索。

资金与组织力

国家级的资金与政策是这场技术突围的加速器。2024年5月，国家大基金三期落地，注册资本达3440亿元，明确指向光刻机等“卡脖子”领域。

地方政府同样力度空前，例如向上海微电子提供超过10亿元资金，并要求核心零部件本土化率过半。工信部将两款深紫外机型列入目录，标志着产品已进入工程化应用阶段。

与此同时，企业也在2025年上半年大量采购阿斯麦的深紫外设备作为“过渡库存”，以维持产线运转。荷兰在10月31日提前发布的新规，更像一声“倒计时提醒”，让本土研发不敢有丝毫耽误。

技术双轨并行

在技术路径上，中国并未完全亦步亦趋。2025年9月，上海微电子在工博会上公开了极紫外光刻机的部分参数：光源效率达到2.3%，整机体积缩小30%，采用“激光诱导放电等离子体”方案，能耗比传统方案降低约45%。

这与阿斯麦的“激光产生等离子体”方案不尽相同，差异化选择背后是对成本、电力与可维护性的综合考量。同期，有消息称新凯来也完成了极紫外验证，与上海微电子形成“主力+侧翼”的协同格局。

在深紫外领域，28纳米浸没式光刻机已进入验证阶段，国产化率据称已达90%，并在第三季度开始试产。甚至有工程师提到，华为某原型机将效率从2%提升至4.5%，这种点滴进步正是迈向量产的关键一步。

生态链补位

光刻机的落地，离不开掩膜版等配套产业的成熟。2025年11月，路维光电展示了40纳米系列掩膜版，并同步演示了28纳米光刻工艺，其研发进度超出市场预期。随着苏州二期设备到位，规模化量产即将启动，这对光刻机实现稳定运行是关键支撑。

消息公布后，立刻吸引20多家机构上门调研，市场的敏感度充分说明了其重要性。早在9月，光刻概念股就已集体高开，市场的回暖被认为与“中芯国际测试本土深紫外光刻机”的传闻有关。生态不仅需要“有机”，更要“有料”。

现实与参照

保持清醒认知同样重要。芯谋研究顾文军指出，当前国内半导体设备整体国产化率仍不足20%，且主要集中在28纳米以上的成熟制程，高端产品依然大量依赖进口。在掩膜版市场，美国、日本三家企业占据了超过80%的份额。

但积极信号也已出现，路维光电已成为华天科技、通富微电等头部封测厂的主要供应商，证明“先进封装”这条支线正在加速补位。筑波大学名誉教授远藤誉也判断，即使外购通道被堵，依靠28纳米机型与多重曝光技术，中国芯片产业不会被完全压制。

未来展望

这场追赶既是技术赛，也是供应链管理赛和时间管理赛。外部压力如同一只无形的手，持续催促着产业向前；而内部的产业组织力，则决定了奔跑的耐力。

当掩膜版规模化、深紫外机台稳定运行、极紫外参数走出PPT，行业的拐点往往就在不经意间到来。与其说是在追赶前车的尾灯，不如说是在并行开发新赛道：阿斯麦继续在塔尖冲锋，中国则把成熟制程做厚、把配套做全。

答案不在宣言里，而在未来一年又一年的产线数据、良率曲线和交付记录里。

中国光刻产业的崛起，是一场在外部压力下的系统自救。当技术、资金与生态形成合力，第三极的轮廓便日益清晰。最终的里程碑，或许就在某次不经意的良率突破后悄然来临。

关键评论

• 有观点回顾历史，思考若八十年代光刻机研发未中断，产业格局会是何种模样。

• 网友将光刻机与空间站类比，表达了对中国高端制造业突破的坚定信心。