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张大妈

ArF光刻机解析：从65nm到底如何突破至7nm

源自新浪微博：超维界

05-14 12:34

精选参考来源

关于光刻机，咱们已经公布了的最先进的是氟化氩光刻机，波长、分辨率、套刻精度、制程工艺是不同概念的四个指标。也就是：ArF 193nm 干式光刻机原生分辨率≤65nm套刻精度≤8nm原生直做65nm、45nm 成熟工艺加多重曝光（多次叠加刻蚀）可以向下兼容做到32nm → 28nm → 22nm → 14nm → 7nm简单的说就是：193nm ArF光刻机 = 65nm底子，靠多重曝光硬啃到7nm不过，多重曝光，需要40-60张掩膜板，良率低、成本巨高！

超维界 2026-05-12

来自新浪微博
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