九方学术机构联合倡议:2026–2030年建成全国产7纳米芯片生产线

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03-07 02:50

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1. 从夯到拉!锐评芯片大厂

2. 只讲干货,十五五规划到底说了啥? #我在十四五这五年 #零距离看懂财经

3. 华为今天发布了后面几年GPU的路线图:一、26年发昇腾950,27年发960,28年发970;二、HBM自研我觉得这两点拿出来就可以了。具体参数规格都是细节问题。 它说明了华为的AI芯片有产品路线图,能迭代,不受高速缓存卡脖子。这不是遥遥领先什么是遥遥领先。国内其他厂商目前看不到任何一家做到这一点的。

4. 今天下午的大新闻是:国产光刻机中标,上海微电子(SMEE)的SSC800/10型步进扫描式光刻机斩获订单,单价1.1亿元。🔻这次中标的光刻机核心参数没有披露。不过有研究分析说,SSC800型光刻机可以通过多重曝光生产28纳米芯片。🔻ASML的同类型光刻机虽然说已经非常成熟了,但是售价很高。国产光刻机单价1亿人民币,ASML的同类型单价1亿美元。🔻SSC800是干式DUV,还不是浸没式的。如果SMEE能生产浸没式的,那么就能用国产光刻机做到7nm的芯片了。期待这一天快点到来。

5. 互联网技术#光刻胶技术重大突破# 近日,北大科研团队通过冷冻电子断层扫描技术,首次解析了光刻胶的微观结构,并基于此开发出减少光刻缺陷的产业方案。这条不足百字的科研新闻,却像一颗投入半导体产业深潭的石子,激起的涟漪远超学术圈——它触碰的,是中国芯片制造最“卡脖子”的环节之一,更点燃了基础研究撬动产业突围的希望。一、“看不见”的光刻胶,藏着“卡脖子”的痛光刻胶,这个听起来陌生的名词,却是芯片制造的“心脏涂料”。一块指甲盖大小的芯片,需经数十次光刻曝光,每一次都依赖光刻胶将电路图案精准“刻”在硅片上。其性能直接决定芯片的制程精度:高端EUV光刻胶能让5纳米芯片的晶体管密集排列如发丝,而低端光刻胶只能支撑90纳米以上的粗线条。但长期以来,这层“关键涂料”几乎被日美企业垄断。国内半导体厂曾长期依赖进口,不仅价格高昂,更埋下产业链安全隐患——一旦供应受限,先进制程研发可能被迫停滞。更棘手的是,光刻胶的性能提升依赖微观结构的精准调控,可此前全球范围内,对其分子排列、界面反应的认知始终停留在“模糊画像”阶段。正如业内所言:“看不清它的‘骨骼’,就做不出更锋利的‘刀’。”二、冷冻电镜下的“微观革命”:从“盲人摸象”到“精准开方”北大的突破,恰恰卡在了这个“看清”的关键点。团队利用冷冻电子断层扫描技术,像给光刻胶拍了一张“3D显微CT”——在接近绝对零度的环境中,电子束穿透样品,逐层扫描出纳米级的三维结构。这一技术让科研人员首次看清:光刻胶中的树脂分子如何缠绕、感光剂如何分布、缺陷又如何在曝光中形成。“看清”只是起点,“开方”才是目标。基于微观结构的规律,团队针对性优化了配方设计,开发出减少缺陷的产业方案。这意味着,国产光刻胶不再仅靠“试错”改进性能,而是能从原子层面“定制”更稳定、更精密的材料。有半导体工程师评价:“以前改进光刻胶像在黑箱里调参数,现在终于有了‘导航图’。”三、基础研究的“长板”,正在变成产业的“跳板”这个成果的意义,远不止于“发了一篇论文”。它验证了一条关键路径:基础研究的深度,决定产业突破的高度。过去,我国半导体领域的短板,常被归因为“产业应用弱”;但此次案例恰恰说明,当基础研究足够扎实,就能为产业提供“从0到1”的底层支撑。更令人振奋的是,这类突破正在重塑科研与产业的互动逻辑。过去,高校科研多聚焦论文指标,与产业需求存在“温差”;而北大团队选择与半导体企业深度合作,从生产中的具体缺陷反推基础问题,让实验室成果直接对接生产线痛点。这种“问题导向”的科研模式,或许正是破解“科技成果转化难”的一把钥匙。四、突围需要“慢功夫”,更需要“接力棒”当然,光刻胶的国产替代非一日之功。即便解析了微观结构,从实验室方案到量产稳定,仍需跨越工艺适配、成本控制、良率提升等重重关卡。但此次突破至少传递出两个积极信号:其一,中国在半导体材料领域的原始创新能力正在崛起;其二,科研团队正以更主动的姿态,切入全球科技竞争的“无人区”。回望历史,每一次产业突围,都始于基础研究的“静默积累”。正如冷冻电镜下逐渐清晰的纳米结构,中国科技的自主之路,也需要更多这样的“慢功夫”——耐得住寂寞解析微观,沉得下心解决真问题。而当更多像北大团队这样的“探路者”涌现,那些曾经卡住脖子的“关键环节”,终将变成我们手中的“技术长板”。 布道宽窄的微博视频

6. 【#十五五擘画新程#】10月20日至23日,#四中全会#将在北京召开,研究制定“十五五”规划建议。“十五五”时期,是基本实现社会主义现代化夯实基础、全面发力的关键时期。中长期规划绘出发展蓝图,强大执行力将远见转化为实践,扭住目标不放松、一茬接着一茬干,这是“中国规划”的成事之道,更凸显中国发展的决心和定力。“十五五”擘画新程,十四亿多中国人民凝心聚力,坚持一张蓝图绘到底,中华民族伟大复兴的宏伟目标必将变成美好现实!央视新闻的微博视频

7. 这次春节AI大战,国产模型与国产芯片第一次,双向奔赴! #春节世界观察 #新年囤点专业货 #燃起来了大国重器 #大咖观察 #红衣聊AI

8. 国产GPU,拐点已现

9. 【张捷聊科技】刻蚀机的突破与中国芯片突围#热点观点# #张捷聊科技# 中国刻蚀机技术获重大突破,国光量超发布 1nm 离子束刻蚀机,中微半导体自主研发的等离子体刻蚀机实现 1 纳米级工艺能力,核心精度达 0.02 纳米,性能较国际主流 2 纳米设备提升百倍,打破技术垄断,标志我国高端半导体设备进入全球先进行列。刻蚀机对芯片制造至关重要,精度影响良品率。当前我国特细刻线光刻机有差距,可通过刻蚀机配合多次曝光技术实现细刻线,但存在良品率下降、晶体管数量增加有限等问题。不过,此次突破仍能提升芯片主频、降低能耗,缓解散热压力,对我国半导体突破 “卡脖子” 难题意义重大,还带动国内半导体代工产业向好。 张捷观察-谁是谁非任评说的微博视频

10. 上海微电子中标1.09亿元步进扫描式光刻机政府采购项目! 这次中标的是SSC800/10,是基于ArF浸没式技术(与SSA800/10i为同一系列型号),单次曝光可支持28纳米制程节点,结合多重曝光技术可延伸至7纳米及以上制程。其核心精度达到国际主流水平,如投影物镜镜头组畸变率控制在2纳米以内,工件台定位精度达0.3纳米分辨率,国产化率超过70%,关键部件如光源系统、光学镜头和双工件台已实现自主可控。

11. 中国光刻机技术实现历史性突破,荷兰ASML公司正面临前所未有的挑战。随着中国实施新的稀土管制措施,曾经嘲讽中国无法制造光刻机的ASML如今陷入被动局面。这一戏剧性反转展现了技术博弈的新格局。中国半导体产业取得重大进展:1. 技术突破:中芯国际成功测试国产DUV光刻机,通过多重图案化工艺实现7纳米芯片制造,创造了"旧设备新奇迹"2. 市场地位:2024年中国市场贡献ASML近70亿欧元营收,占其总收入近半3. 产业链升级:半导体设备国产化率从2021年21%提升至2023年35%。预计2025年突破50%4. 稀土优势:中国掌握全球80%以上稀土供应, 重稀土领域近乎垄断,光刻机三大核心部件(光源、镜头、双工件台)均依赖稀土材料产业升级路径:• 技术路径:通过工艺优化和材料创新持续提升设备性能• 产业协同:国家科研体系、龙头企业和供应链协同突破• 市场前景:专家预测国产光刻机未来十年将迈入千亿级市场这一突破证明,真正的技术壁垒不在于外部封锁,而在于自主创新的决心与能力。中国半导体产业正用实际行动将"不可能变为可能",为全球科技格局带来深刻变革。(综合自公开信息)

12. 新凯来和子公司一系列产品,估计把某个群体都急得如丧考妣了。新凯来子公司启云方在2025湾区半导体产业生态博览会(湾芯展)上发布两款拥有完全自主知识产权的国产电子工程EDA(原理图和PCB)设计软件。启云方电子工程EDA设计软件在电子电路设计重要指标方面达业界一流水平,产品性能较行业标杆提升30%,产品硬件开发周期可缩短40%。这解决了半导体芯片设计的软件工具问题。新凯来万里眼子公司发布90G高速示波器,这也是半导体3nm制造技术关键。这个技术除了用于光芯片、6G通信外,对于先进制程节点的芯片的比如3nm、2nm,示波器的带宽硬性要求达到90GHz及以上。而这就是这次示波器的意义。而新凯来子公司宇量昇的DUV光刻机可以解决7nm甚至5nm技术,大家要相信华为班底的攻坚克难能力。这是中美经贸博弈我方的助力器,终于不怕对方卡了。

13. 这次川总威胁说要限制关键软件出口,还是指的是用于先进芯片设计的EDA工具,有一段时间这个手段拿出来过,后来取消了。对于先进的EDA工具,中国这边也早就做了预案。实际上在2023年3月份,徐直军就说H已经联合国内企业完成了14nm及以上工艺所需要的78套核心EDA工具链的研发,覆盖了芯片设计的全流程(包括功能设计、物理实现、仿真验证、版图设计等)。今天国产EDA龙头上来就是20%涨停,说明限制更是会进一步刺激国内EDA产业的发展。要知道14nm以上工艺EDA工具在2023-2024就基本部署完毕了,到2025年,国内的EDA工具肯定进一步突破到了7nm。EDA方面中国人一定能够解决卡脖子问题。

14. #微博声浪计划##听见微博# 我国突破瓶颈成功研制新型芯片,北大团队开发全球首款24位精度模拟计算芯片,求解矩阵方程吞吐量达顶级GPU的1000倍,能耗降低100倍,为AI训练与6G通信提供新路径,助力7nm以下先进制程良率提升,多技术路线并行推动国产芯片发展。 listter乐的微博音频

15. 我国发布「十五五」规划纲要草案,有哪些信息值得关注?

16. 国产芯片体系逐渐完善,产业链成型,美国的限制越来越难奏效了

17. 近三年新增人工智能、集成电路、量子科技等急需紧缺专业220个,布局99个北京市高精尖学科

18. 这不是某家企业的胜利,是我们整个民族在“科技博弈”里的翻身仗 #大咖观察 #红衣聊AI #英伟达 #国产芯片

19. 华为公布麒麟 9030/Pro 性能提升 35%、42%,如何评价其在国产芯片领域的意义?

20. 华为nova15 Ultra带来,麒麟9010S,相比上代性能提升18%,游戏提升50%。#华为nova15及全场景新品发布##华为发布会#国产7nm!100W有线快充,50W无网闪充,全系鸿蒙6系统,支持满血星闪,支持 4.6Gbps 音频传输、星闪车钥匙 ;全版本支持天通卫星通信,全系支持北斗卫星通信、北斗卫星图片/消息。

21. 在江苏徐州居然有一家专注于光刻胶的“独角兽”企业,成立于2010年的徐州博康信息化学品有限公司,是一家专注“中高端光刻胶+单体+树脂”全链条研发制造的国家高新技术企业,也是国内目前唯一实现“单体—光刻胶”闭环量产的企业。#数智赋能新江苏创新驱动高质量##奋进新征程苏写新篇章#目前,徐州博康邳州基地拥有全自动DCS控制的光刻胶生产线,光刻胶产品已覆盖ArF、KrF、G线/I线、电子束、封装胶、抗反射胶等七大品类,适用于90nm~28nm及以下制程,服务100余家客户,核心单体/树脂则批量出口JSR、TOK、杜邦等日韩欧美大厂,另外还有莫西沙星医药中间体、OLED材料、油墨原料等精细化学品。值得一提的是,博康已从光刻胶单体供应商升级为国内全品类光刻胶核心供应商,在国产替代与先进制程“卡脖子”环节扮演关键角色,先后获得国家专精特新“小巨人”、国家制造业单项冠军(半导体工艺用关键光刻胶材料)、江苏省企业技术中心、博士后创新实践基地等。

22. 美国限制下,中国芯片生产制程只能在14纳米水平上商业化生产。那么中国AI芯片怎么和美国竞赛?

23. 昇腾AI芯片路线图

24. 美国拟自2027年起对中国半导体产业加征关税,中方坚决反对,加征关税对中国半导体行业有何影响?

25. 看好中国AI芯片!高盛“又双叒叕”上调中芯国际和华虹半导体目标价

26. 先进芯片占比快速提升,连军工都开始采用,国产芯片需加速追赶

27. 真的硬气 动真格的了!这回,我们要按自己的规矩办事!#稀土 #高通 #新凯来 #光刻机 #国产替代

28. DeepSeek新论文来了!联手清华、北大,优化智能体大模型推理

29. 第九届国际光刻技术研讨会,来了全世界的学者和专家,中国半导体事业必将蓬勃发展,美国最终会明白,他们的出口管制,帮中国光刻事业注入了自主研发的动力,所有外部带来的苦难,都是帮助成就更坚韧的自己#直击湾芯展# #新凯来最新半导体设备将亮相# 深圳·深圳五洲宾馆

30. 【全球首颗!#复旦团队成功研发新型闪存芯片#】继今年4月,复旦大学周鹏-刘春森团队于《自然》期刊发表迄今最快的二维闪存原型器件“破晓”后,10月8日,该团队又发表了全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片成果,标志着攻克新型二维信息器件工程化的关键难题。随着硅作为原材料的芯片工艺不断逼近物理极限,二维半导体作为下一代关键材料,近年来获得诸多关注。今年4月,复旦大学团队发表了全球首款基于二维半导体材料的闪存原型器件“破晓”,存储速度比传统闪存快100万倍,但与硅材料纳米级别的工艺相比,二维半导体厚度仅为1-3个原子,相当于不到1纳米,制造工艺难度要求极高,如何实现其与现有硅基工艺平台的集成,又不破坏其性能,成为该技术未来能否大规模应用的核心问题。 看看新闻Knews的微博视频

31. 华为最近敢高调公布麒麟9020处理器和晟腾950-970系列AI算力芯片的发展规划,反超英伟达,有理由让人相信,国产的芯片产业链已经基本完善,光刻机一定突破了,尤其是华为系的芯片已经完全自主可控,并且量产已经可以实现,接下来就是开足马力生成供货了。相信随着产业链的进一步成熟,国内会有更多厂商加入芯片研发大军,国产中高端手机和算力芯片会越来越多,美国那些厂商要哭了,芯片也将成为我们出口的大类产品。

32. 中国对EUV光刻机布局早于西方预期,光刻机的进展可能超乎预期

33. #新凯来概念股暴涨#从目前的动向来看,这次的热度虽然起于股市,但背后反映的确实是一个更宏大的问题,中美之间的卡脖子博弈,正在把中国的半导体产业推向一个必须自救的节点。这几年,芯片成了最敏感的战略物资。美国通过出口管制,把中国锁在了高端制造链之外:最早是EDA软件,再到光刻机,再到高端GPU,层层加码。尤其是大漂亮把先进制程的门槛拉到14nm以下,等于是直接堵死了中国进入高端芯片的通道。表面看,这是一种封锁,但副作用是,中国的半导体企业被迫要自己啃硬骨头。像新凯来这样的设备厂商,就是在这种压力下被催生出来的。它背后其实是深圳整个半导体生态的缩影——从材料、气体到设备,再到下游封测、晶圆厂,产业链的拼图正在一点点被补上。而且这次很可能能构成突破。过去十年,中国半导体企业更多集中在补课和追赶上,但美国的封锁,让这种按部就班失去了意义。没有光刻机,就只能想其他路线。比如新凯来在5nm节点上提出的“非光学技术”,其实就是一种路径探索。它可能不具备全面替代性,但至少打开了想象力,被逼创新往往比市场竞争更有效。现在的半导体国产化,已经不是单一企业的孤勇,而是一种系统性动员。深圳市政府在2021年就成立了“重大产业投资集团”,专门投这种卡脖子产业,新凯来正是其子公司。背后还有地方财政、国资委、科研院所、上下游企业的协同体系。换句话说,政府不只是给补贴,而是直接下场造装备。这种政策力量叠加产业集群的动能,是美国模式里难以复制的。过去的逻辑是:要么全拿下,要么什么都没有。但现在更多企业在探索可用就行的路线,比如新凯来主攻的刻蚀、薄膜沉积、量测设备,其国产化率已经超过90%,这些都是芯片制造的基础环节。即使光刻机仍然受限,只要其他环节的自给率上升,也能显著提升整体产能独立性。换句话说,中国的芯片产业可能不是一口气突破7nm,而是逐步从外围环节蚕食式突围。2024年深圳半导体产业产值同比增长26.8%,说明供应链已经在重组;设备端的国产替代率从三年前的20%提升到如今的近50%,背后是数十家中小企业在分工协作;而像中芯国际、华虹、长江存储等晶圆厂也在积极验证国产设备的工艺兼容性,部分28nm、14nm节点已经实现小规模量产。所以,如果要判断这轮国产替代能否真正突破,关键可能不在单一产品是否追平ASML,而在能不能建立一个不依赖美国技术的完整生态。新凯来只是这个拼图中的一个点,但如果它能在刻蚀、薄膜沉积等环节实现产业化,哪怕没有光刻机,中国也能把部分芯片生产线转动起来。这次不在于有没有光刻机,而在于有没有办法绕开光刻机。这听起来像是权宜之计,但技术史上,很多真正的创新都是在封锁和不得已的环境下长出来的。中国加油!

34. 【华为首次公布未来三年AI芯片路线图 希望确保中国AI算力供应】英伟达芯片在华销售遇阻之际,华为首次公布未来三年AI芯片路线图。9月18日,华为轮值董事长徐直军在“华为全连接大会2025”上宣布,未来三年,华为将发布四款AI芯片,以满足中国AI算力上的巨大需求。华为首次公布未来三年AI芯片路线图 希望确保中国AI算力供应  从具体规划来看,2026年一季度,华为将推出昇腾950 PR芯片;2026年四季度,华为将推出昇腾950 DT芯片;2027年四季度,华为将推出昇腾960芯片;2028年四季度,华为将推出昇腾970芯片。  “算力,过去是,未来也将继续是人工智能的关键,更是中国人工智能的关键。”徐直军表示,华为的目标是,通过几乎一年一代算力翻倍的速度,确保中国需要多少AI算力,华为就能提供多少。

35. 南大光电,登顶全国第一!2026年,半导体继续狂奔!2026年2月6日,机构宣布全球半导体行业今年将迎来1万亿美元的营收规模、打破历史记录。这种高速增长态势早就有迹可循。2025年全球头部科技公司下场AI“正面硬刚”,谷歌、微软等巨头合计斥资数千亿美元建设AI数据中心,一举带动全年芯片销售额逼近8000亿美元大关。先进计算芯片也成为其中增长最快、规模最大的芯片种类,销售额同比增长39.9%,占比近40%。种种迹象表明,半导体领域未来竞争存在以下特点:AI算力推动、先进芯片占比提升、高端化进程加速。光刻机、光刻胶等高端产品是半导体“皇冠上的明珠”,技术严苛复杂、我国长期被国外厂商“卡脖子”,这些领域也就成了我国半导体公司的“兵家必争之地”。南大光电是光刻胶的佼佼者。光刻胶曝光光源波长越短、技术难度越高。ArF光刻胶波长只有193nm,可支撑14nm、7nm等关键节点,是除了EUV光刻胶以外技术难度最高的光刻胶。据统计,目前我国ArF光刻胶整体国产化率还不足1%。而南大光电,则是我国唯一能量产ArF光刻胶的企业,含金量十足。截止2024年年底,公司三款ArF光刻胶产品已通过下游客户认证并成功销售出货。不仅如此,公司目前还拥有年产50吨的ArF光刻胶产能。南大光电有强悍的硬实力,也一直把独立自研光刻胶作为公司重要路线。不过,前不久,公司做了个看似“无关”的事情。2026年1月5日,南大光电宣布增资7760万元,将子公司“乌兰察布南大”的持股比例提升至91.05%。乌兰察布南大不是做光刻胶的,是做电子特气的。南大光电拥有三大电子特气生产基地,分别位于安徽滁州、山东淄博和内蒙古乌兰察布,此次增资的子公司就是最后者。说到底,增加子公司持股比例目的无非有二:一是收归控制权;二是方便后续指挥子公司展开业务动作。增资之前南大光电占据乌兰察布南大的绝对控制权,原因大概率就是第二条。事实也确实如此。2025年10月28日,南大光电公告称,拟将原募投的“7200吨电子级三氟化氮项目”的未使用资金全部投入“年产2000吨高纯电子级三氟化氮扩产项目”,合计金额9217.5万元。从“电子级”升级为“高纯电子级”,两字之差足以反映公司要往“高端产品”上走,此次增资子公司也是为了项目顺利进行。那么,对于南大光电,我们最关心两个问题。第一,电子特气对公司业绩有什么重要影响?来看一下公司营收结构,实际上,电子特气产品一直是公司最大营收来源,2025年上半年占比60.95%。因此提升高端电子特气产能有望较大程度增厚公司业绩。芯片制造过程有蚀刻与清洗气体环节,电子特气是必不可少的“关键材料”。未来社会对AI算力的需求最终会转化为对电子特气的海量需求。电子特气的制造难度没有光刻胶高,但目前市场竞争依旧激烈。21世纪以来,行业内海外公司通过大量兼并收购形成垄断,美国空气集团、法国液化空气、德国林德和日本大阳日酸长期占据市场,我国电子特气国产进程也刻不容缓。南大光电看准了这一关键赛道,近几年一直加速发展:电子特气业务规模从2020年的4.29亿元提升到2024年的15.06亿元,几乎与中船特气“打了平手”,产品毛利率也在35%以上,位于行业较高区间。第二,南大光电电子特气业务具备何种竞争力?高端电子材料对电子特气的纯度、稳定性要求极高,一丝杂质就可能导致芯片报废。而南大光电的产品主要集中于磷烷、砷烷系列,开发难度和技术含金量最高。子公司乌兰察布南大所专研的三氟化氮的下游应用极广,占总市场规模约20%。电子特气分为氟类特气、氢类特气。近期市场上氟类特气竞争激烈、价格有所下降,导致公司该业务毛利率有所下滑。不过南大光电把氢类特气的竞争优势放大,弥补差距:2025年上半年,公司氢类特气中的ARC、三氟化硼等新产品抓住IC端需求机遇,收入同比增长超60%。从产能供应端也能看出公司产品竞争力强、不愁销路。2025年上半年,特气类产品产能利用率高达102.37%。此次公司将视线投向“高纯电子级电子特气”,力图打造品质更高的5.5N级产线,进一步提升市场竞争力。那南大光电投资电子特气,能否与光刻胶形成互补呢?实际上,公司的三大业务都位于晶圆制造环节,而且高度同源。在高端半导体领域,华特气体、彤程新材、上海新阳等公司在各自细分赛道做的不错,而南大光电是国内唯一能三大赛道全覆盖的企业。AI算力建设需求猛增,AI芯片对制程和制造材料的要求更加严格,南大光电扩产的5.5N级高纯三氟化氮和已经量产的ArF光刻胶,均是算力建设的必备耗材。目前公司光刻胶产品还未带来大规模业绩增量,营收占比很小,且光刻胶新品验证周期一般在6-24个月,时间较长。市场竞争不等人,在AI算力攻关之际,南大光电集中力量发展已有规模的电子特气业务,不失为稳妥的选择。业绩稳步提升,也给公司破局高端半导体领域带来稳稳的底气。2025年前三季度,南大光电营收和净利润均同比提升,而且净利润同比增速13.24%,显著高于6.83%的营收增速。总的来说,南大光电步步为营,核心业务具备先发优势。未来公司若能继续扩大电子特气业务优势,也有望慢慢沉淀实力,为进一步攻克光刻胶添砖加瓦。

36. 十五五规划利好核心方向及标的抢先看党的二十届四中全会正在审议《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》,“十五五”规划将围绕“新质生产力”展开,以科技创新为核心方向。从目前释放的政策信号来看,“十五五”规划利好的核心方向主要包括人工智能、半导体、量子科技等。人工智能领域,重点在算力基础设施、算法大模型等,核心标的有寒武纪、新易盛、科大讯飞等。半导体聚焦高端芯片设计、制造与设备材料的全链条国产替代,北方华创、中芯国际、长川科技等企业值得关注。量子科技作为前沿颠覆性技术,国盾量子、科大国创、格尔软件等是核心标的。此外,人形机器人、高端制造、脑机接口、商业航天等领域也备受瞩目。人形机器人的核心标的包括三花智控、凯龙高科、绿的谐波等。高端制造领域可关注秦川机床、华中数控、科德数控等。#十五五规划 ##新质生产力##核心方向 ##核心标的#

37. #曝中芯国际首款5nm光刻机正在测试#中芯国际最近在测试国产DUV光刻机,这台设备由上海的宇量昇研发,采用浸没式技术,目前正在做28nm工艺的测试,而且据说可以通过多重曝光做到7nm。不过报道也提到,就算勉强用到5nm,良率可能也不会太高,再往下就更难了。所以客观来看,这算是进步,但也没到“颠覆”或者“重大突破”那种程度。如果真能实现量产,这既能减轻对国外技术的依赖,也有机会推动国内AI芯片的发展。但说到底,光刻技术需要长期积累,不是一蹴而就的。

38. 依托庞大的国内市场,国产芯片设备快速崛起,产业链日益完善

39. 7分钟,20%封死涨停!光刻机板块,全线爆发!

40. 摩根大通:AI和半导体上升周期将延长至2027年,看好亚洲科技股在明年的表现

41. 国产光刻机大消息?海外“极限施压”!

42. 虽新凯来未展示光刻机,但大众仍坚信其能造出先进设备,这背后是对国产技术崛起的期盼与热情。有观点称2028年将实现28nm芯片全国产化,这被视为“技术神迹”——毕竟没有国家能独自完成这一目标,而中国若达成,相关技术斗争或将终结。因28nm与7nm芯片同属一技术体系,掌握28nm全体系后,可通过减小误差升级至7nm,配套DUV光刻机等设备也会同步提升。在此基础上,将DUV光源换为EUV,就能突破5nm以下技术。当前国产光刻机研发形势向好,重大突破值得期待。

43. #中国EUV光刻自主研发获重大进展# 深圳团队已于年初搞出原型机。之前的消息是2025Q4试生产、2026量产,但没有想象的简单,测试时才发现很多地方还需努力,最新量产时间预计在2028—2030年!这与我获得的高端光刻胶等一系列原料的量产时间基本一致!

44. 鼎龙股份的两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单,今后可年产KrF/ArF高端光刻胶330吨!公司潜江一期30吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力;二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线建设收尾、设备调试顺利。据报道,该公司ArF高端光刻胶可用于7颗米制程晶圆,EUV光刻胶已获得上面重大专项立项!同样突破ArF光刻胶技术的南大光电,也承接了国家“02-专项”,年产量达50吨左右,也是突破了7颗米节点认证。根据去年SEMI (国际半导体产业协会) 官方报告数据显示,国内ArF光刻胶需求约为80吨左右,全世界需求约300吨左右。鼎龙股份股份二期投产后,可满足全球14颗米以上制程晶圆制造对光刻胶的需求!然而,我们现在缺的是5颗米以下的高端光刻胶,加上近期日本“卡脖子”,这就是为啥近期国产旗舰手机SOC中7颗米的能敞开卖,而5颗米的非常缺的一个原因之一!

45. 花旗:中国芯片行业可能在国庆假期前传出利好消息花旗分析师在研究报告中指出,中国半导体产业在10月1日开始的长假前可能传出更多积极进展。这或为中芯国际和华虹半导体带来利好催化剂。花旗称:"随着本土设备与半导体供应链持续传出积极消息,市场预期中芯国际有望通过多重曝光技术实现7纳米/5纳米芯片生产。"花旗同时表示,中国推动构建自主人工智能芯片生态系统的举措也将为本土晶圆代工企业提供正向助力。

46. #华为mate80# 即将发布的麒麟9030芯片,是国产半导体产业链全链路自主可控的重要里程碑,为行业注入了强劲信心。这款芯片不仅预计实现20%的性能提升,更核心的意义在于其背后国产制造工艺的突破一在缺乏EUV光刻机的背景下,通过工艺优化达成技术进阶,印证了国内从芯片设计、制造到内存、射频前端等“卡脖子”环节的替代成果。 不仅回应了外部技术制裁,更向市场传递出明确信号:国产半导体已具备持续创新与稳定供给的能力,将进一步激发上下游企业的研发投入,加速整个产业链的成熟与完善#麒麟9030#

47. 光刻胶在半导体制造里 那可是相当重要,说是“命门”材料也不为过。芯片制造的光刻环节,光刻胶能把设计好的电路图案精确转移到硅片上,直接影响芯片的性能和质量。 之前我国光刻胶市场大多依赖进口,一旦供应出问题,半导体产业就会面临危机。不过近年来国产光刻胶厂商不断发力,像某些企业已经在部分光刻胶产品上取得技术突破,实现量产。实现光刻胶国产化,能让我们的半导体供应链更稳定,减少外部制约,也能降低成本。未来,国产光刻胶有望撑起半导体产业发展的一片天!

48. 之前美国不让用芯片之母,现在是中国不用了,国产EDA加速替代

49. 美银2026年半导体展望:AI基建升级关键中点,芯片销售有望首破“万亿”美元大关

50. 阿斯麦的"巅峰时刻"!大摩:先进制程扩产潮下,2027年或迎最强盈利增长

51. 台积电2nm制程工艺或将可能会年底量产

52. 英特尔全新18A制程AI PC芯片首秀,在美生产厂全面投产

53. 如何看待工信部赴华为开展“十五五”电子信息制造业发展规划调研这件事?

54. 打不倒的国产芯片产业

55. 十五五时期的半导体自主可控

56. 中芯国际 ——2026 国产AI芯片的基石

57. 突破!国产DUV光刻机:核心相关的6家企业

58. 7nm突围战:中芯国际N+2工艺产能翻倍

59. ASML CEO表示:我5年前就预测中国能造出7nm芯片,但是他们现在把7nm芯片当成熟芯片造

60. 国产光刻机发展现状,距离国际先进水平还有多大差距?

61. 十五五规划即将开启!投入1.2万亿攻芯片,中国待破解全球性难题

62. 国产光刻机 “破冰时刻”!28纳米国产芯链全面破局

63. 2026年光刻机设备国产化进展:突破与攻坚并行!

64. 帅炸!北大突破芯片光刻 “黑匣子”,缺陷降 99%,7 纳米良率救星

65. 扬眉吐气!国产DUV光刻机研制成功,各国反应:美韩荷都不敢笑了

66. 国产DUV光刻机突破,对中美意味着什么?

67. 一周半导体芯闻:英特尔18A最新消息;安世半导体变动;“十五五”规划助推半导体

68. 中芯国际开始测试国产DUV全性能光刻机,对芯片生产和市场影响 中芯国际开始测试国产DUV全性能光刻机,对芯片生产和市场具有多方面的重要影响,具体如下: - 对芯片生产的影响 - 提升国产设备技术可行性:此次测试的DUV光刻机采用浸没式光刻技术,与ASML的TWINSCAN系列设备高度相似,理论上具备支持7纳米及以下制程芯片制造的潜力。中芯国际正利用该设备基于28纳米基础制程,通过多重曝光工艺生产7纳米芯片,并尝试向5纳米制程极限推进,这验证了国产设备在先进制程中的可行性。 - 加速国产化替代进程:尽管设备中仍有部分关键零部件依赖进口,但双工件台、光源系统等核心模块已实现自主生产,高精度光学镜片、真空机械手等“卡脖子”部件的国产化率也在稳步提升。若该设备通过中芯国际的验证,将带动国内半导体材料、精密制造等上下游产业链协同发展,形成“设备-材料-工艺”的闭环生态。 - 降低对国外设备的依赖:长期以来,高端光刻机技术被ASML等海外企业垄断,中芯国际高度依赖从ASML进口的DUV光刻机。此次测试若成功,中芯国际将获得稳定的国产先进制程设备供应,降低对ASML DUV设备的依赖,避免海外交付延迟、价格垄断等风险,保障14nm成熟制程的扩产计划。 - 对芯片市场的影响 - 改变全球芯片制造设备市场格局:DUV光刻机是当前7纳米及以上制程芯片的主力生产工具,覆盖车用芯片、物联网设备及AI处理器等关键领域。中芯国际测试国产DUV光刻机若成功,将通过“技术迭代+成本优势”组合拳,改变全球芯片制造设备的市场分配格局,减少海外企业对市场的垄断。 - 提升国内半导体产业的市场话语权:中国芯片企业长期受制于西方技术封锁,此次国产DUV光刻机的测试进展,意味着中国可以打造7纳米全国产产业链,提升在全球芯片市场的话语权。中国芯片完成突破后,凭借产业整合能力以及全国产芯片生态,将不仅输出先进芯片,还将在芯片市场规则制定等方面发挥更大作用。 - 提振资本市场信心:资本市场对中芯国际测试国产DUV光刻机的消息反应迅速且热烈,9月17日,中芯国际A、H股齐拉升,A股股价一度上涨10%,港股股价也大幅攀升。同时,光刻机概念股高开,盘中持续走强,这显示出投资者对中芯国际在国产光刻设备验证方面的进展给予了积极反馈,以及市场对中国半导体自主化前景的信心。#芯片 #光刻机 #中芯国际 #看见音乐计划 #科普

69. 国产半导体设备突围战:刻蚀如火,光刻如冰

70. 2399亿人民币!12个月内拿下7nm工艺?外媒:中国芯已经挡不住了

71. 如何预测2026年我国在硬科技方面的发展

72. 2025年中国半导体产业战略布局核心方向

73. 外部限制催化+内部产业进展

74. 中芯国际N+2、N+3产能规划及进展:7nm和5nm级工艺布局

75. 国产DUV光刻机试产,深圳和上海立了大功

76. 国产光刻机技术重大突破!

77. DUV多重曝光实现7nm!中国芯片找到了新的路径

78. 国产DUV光刻机:技术突破、产业链重构与全球博弈下的发展路径

79. 国产光刻机产业链详解(含上海企业)

80. 目前中国光刻机自身的技术节点主要集中在成熟制程(28nm及以上)

81. 国产之光!外媒:首台DUV光刻机进入中芯国际测试阶段

82. 光刻机从技术性突破到产业链协同

83. 国产DUV光刻机技术突破与产业发展分析

84. 国产芯片突破先进工艺:从技术攻坚到生态重构的突围之路

85. 国内半导体突破:中微公司刻蚀机实现7nm工艺稳定量产,打破海外垄断,芯片制造降本空间测算

86. 2026年中国半导体展望:本土供应链渐趋成熟,脱钩英伟达进程加快

87. 美国最不愿看到的事发生,英国媒体:中国开始测试DUV光刻机

88. 聚焦“十五五”规划共绘产业发展新蓝图

89. 中国芯片突围关键一年:中芯国际7nm良率突破,华为手机供应链全面国产化?

90. 国产半导体设备投资地图:掘金芯片自主可控的“卖水人”

91. 算力国产化破局:国产半导体的三大投资主线

92. 国产浸没式光刻机重大进展:破局“卡脖子”,产业链迎价值重估

93. 【AI芯片】半导体供应链深度解析:2025年全球格局与中国突围路径

94. 荷兰专家:中国把7nm当成熟芯片造,5-10年内追上国际水平

95. 深紫外光刻极限突围 华为专利揭示绕过EUV制裁的2纳米芯片量产蓝图

96. 国产光刻机突围:从28纳米到7纳米,中国正悄然改写芯片格局

97. 台积电涨价 10% 引爆!先进制程掀抢筹潮,2nm 量产 + 国产替代双轮驱动!

98. 国产自研7nm芯片!华山A2000通过美审查,可以在全球销售了!

99. 我国半导体设备国产化率突破50%

100. 光刻机+光刻胶双线突破!

101. 集体爆发!国产五大晶圆厂上半年盘点!

102. 【热点挖掘】外围涉及光刻机消息刷屏!相关板块盘中走强

103. 中国首台DUV光刻机,落后17年!

104. 告别依赖,国产高端芯片制造实现历史性跨越

105. 中科行业观察 | 破局之道:“十五五”时期中国半导体产业的自主与协同发展路径

106. 7nm高阶辅助驾驶芯片,实现量产

107. 全球仅8家掌握7nm芯片工艺的厂商:中国5家,美国2家,韩国1家

108. 【国产芯片追到哪里了】乌凌翔叶国光全景分析(202602)详版

109. 从DUV到EUV:国产光刻机的“珠峰”攀登之路已然开启

110. 降息!半导体先进制程与国产替代要怎么选

111. 美国战略研究中心:中国的芯片制造技术被卡在了2023年

112. 传中芯测首款陆DUV曝光机 / SK海力士HBM4开发完成 / RTX6000D恐爆库存恶梦 / ASM双技术助攻先进制程

113. 消息称中国计划大幅提升采用7nm、5nm级别工艺的芯片产能

114. 中芯国际测试国产 DUV 曝光机,国产半导体产业迎来新突破

115. “十五五”十大核心方向聚焦三大主线:一是前沿突破,包括芯片半导体、算力、脑机接口与可控核聚变,强化科技自主;二是产业升级,以人形机器人、高端制造为代表,推动智能制造;三是绿色转型,涵盖固态电池、风电光伏,并拓展低空经济、深地经济新空间。整体体现科技自立、低碳转型与培育未来产业的战略布局。#十五五规划 #总结 #股市 #抄作业 #时政

116. 长江存储的国产设备生产线可以造高端CPU吗? 长江存储第2期的国产设备生产线还不能进行7nm、5nm、4nm的工艺制程制造CPU/GPU等高端逻辑芯片,但这些国产芯片制造设备构成的生产线,是我们国家高级集成电路制造技术能力形成的重要技术台阶。有了这个台阶的制造技术,是可能通过持续的技术研发,走向7nm、5nm、4nm高端逻辑芯片的工艺制程。251108

117. 中国芯片厂集体接收ASML,产能暴增50%,国产7纳米真能突破封锁?

118. 存储芯片"超级周期"!国产7nm良率突破,这些龙头公司迎来机遇

119. 突破!"卡脖子"国产光刻机启动产线测试!

120. 十五五规划明朗!2025年全新整理半导体集成电路芯片行业专题报告及创业项目商业计划书全景洞察!封装研发设计制造设备全产业链

121. 重大突破!国产DUV光刻机进入主流厂商测试,4家核心部件公司深度梳理

122. 锚定“十五五”谋发展 凝心聚力谱新篇 ——集成电路学院召开2025年暑期工作会议

123. “十五五”AI芯片展望:算力变革与生态自主

124. 国产替代加速:半导体、关键软件与光刻机核心环节解析

125. 国产芯片被卡脖子环节

126. 【光刻机】国产光刻机重大进展!浸没式设备预计明年第一季度进厂

127. 汇正财经:首台国产DUV光刻机测试,半导体自主可控提速

128. 7nm芯片的工艺的创新

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