张大妈

高盛DRAM情绪指标:2026年1月——DRAM合约价格近期上涨动力强劲

源自公众号:Invest-沉思录

01-26 14:14

高盛最新发布的DRAM情绪指标显示市场温和看涨。现货价格飙升、产业链公司营收暴增等关键信号,预示着DRAM合约价格短期内大幅上涨的可能性极高。这份分析通过多维度的数据和指标,清晰地勾勒出存储市场的当前态势和未来走向,为理解行业动态提供了有价值的参考。

高盛DRAM情绪指标:2026年1月——DRAM合约价格近期上涨动力强劲智能速览

  • DRAM现货价格远超合约价,上涨动力强劲。

  • 南亚科技营收同比暴增445%,市场需求旺盛。

  • AI服务器出货加速,带动产业链公司持续增长。

  • 客户已开始接受2026年第一季度更高的存储报价。

  • 高盛对三星电子与SK海力士维持“买入”评级。

高盛DRAM情绪指标:2026年1月——DRAM合约价格近期上涨动力强劲精华内容

DRAM市场的乐观情绪并非空穴来风,而是建立在一系列坚实的产业链数据之上。从上游供应到下游需求,多个关键指标共同指向一个趋势:价格即将迎来新一轮显著上涨。

现货价飙升

DDR5与DDR4的现货价格均显示出强劲的反弹势头,目前分别比去年12月的合约价格高出76%和172%。

这为近期合约价格的大幅上涨提供了极高的可能性。作为关键印证,中国台湾DRAM供应商南亚科技去年12月营收同比增长了445%,这已是该公司连续5个月实现三位数百分比的同比增长。

此外,供应紧缺也推动了价格上涨,韩国12月DRAM出口额呈现强劲的同比增长趋势(+72%),反映了全球市场的旺盛需求。

AI需求拉动

机架级AI服务器出货量的加速,是推动市场增长的核心动力之一。

去年12月,主要服务器代工厂商的营收合计同比增长了94%,并已连续13个月保持50%以上的同比增长。

作为服务器“心脏”的基板管理控制器(BMC)龙头供应商,祥硕科技也在高基数(2024年12月同比增长131%)的基础上,实现了稳健的同比增长(+18%),进一步印证了AI服务器的强劲需求。

HBM预期分歧

在高带宽内存(HBM)市场,高盛的观点与市场主流共识存在显著差异。

在出货量方面,高盛的预期比市场共识高出9个百分点,更为乐观。但在定价方面,高盛的预期比共识低17个百分点,显得更为保守。

这种分歧源于高盛预计HBM3E 12-Hi产品将面临显著的价格下调,从而影响整体定价水平。

客户接受涨价

市场的涨价预期正在转化为实际行动。根据渠道调研,部分移动端客户已经开始接受2026年第一季度的定价报价。

无论是DRAM还是NAND闪存,其报价的增长幅度都明显高于2025年第四季度的协议价格。

这一信号至关重要,表明产业链的涨价正在被下游消化,预计其他客户也将跟进同意进行显著的价格调整,从而推动厂商盈利预期进一步上修。

综合来看,高盛通过多维度的数据验证了DRAM市场的强劲势头。在AI需求持续发酵和供应链趋紧的背景下,存储价格的上涨似乎已成定局。对于投资者和行业观察者而言,接下来的关键问题是:这轮上涨的持续性和峰值将达到怎样的水平?

内容由AI生成
0
扫一下,分享更方便,购买更轻松
0评论

当前文章无评论,是时候发表评论了
提示信息

取消
确认
评论举报

最新文章 热门文章