[Techinsights]2025年DRAM与NAND技术趋势分析（附下载链接）

深入解析2025年存储技术前沿，揭示DRAM与NAND在技术路线、市场格局上的分岔与机遇，以及国产存储厂商的突破路径。

智能速览

• DRAM扩展正逼近EUV光刻极限，3D DRAM成为潜在新方向。

• 2025年全球DRAM需求预计超2000亿Gb，价格持续上涨。

• 国产DRAM技术在追赶，但单位密度与晶圆价值仍落后国际大厂。

• 长江存储的混合键合技术是3D NAND迈向400层以上的关键。

• 单片250层以上3D NAND晶圆的价值量已超过7000美元。

精华内容

存储技术正站在关键的十字路口，DRAM和NAND选择了截然不同的道路来突破物理极限。

DRAM的EUV极限

DRAM技术的发展正愈发依赖EUV光刻工艺。根据技术路线图，从12nm制程开始将陆续导入EUV，但EUV的极限预计在7nm左右，这迫使业界寻求3D DRAM等新架构。

以美光为代表的国际大厂，在12~13nm制程下，存储密度已超过430Mb/mm²，单片90%良率的晶圆可产出超3000GB，按DDR5每GB 1.5美元计算，单片晶圆价值超过4500美元。

相比之下，国产DRAM单位密度约为239Mb/mm²，单片晶圆容量超1800GB，价值约2800美元。以长鑫存储（CXMT）单季度超50万片的投片量估算，季度收入可突破15亿美元。

NAND的堆叠竞赛

与DRAM的平面微缩不同，3D NAND通过垂直堆叠提升容量。目前，超过250层的3D NAND产品密度已超过20Gb/mm²。

这意味着在90%良率下，单片晶圆可产出超过150TB的存储容量，按照0.05美元/GB的价格计算，单片晶圆的价值量已超过7000美元，成为价值极高的半导体产品。

技术制程上，3D NAND平均在20-25nm，未来有望接近19nm，但竞争的核心已从线宽转向堆叠层数和键合技术。

国产技术突破点

在3D NAND技术路径上，国产厂商长江存储（YMTC）走在了前列。其从一开始就采用混合键合工艺，这是实现400层以上超高层数堆叠的关键技术。

正是由于这一技术优势，三星等国际巨头也寻求与长存进行技术授权合作。预计2025年YMTC的NAND晶圆产量将达到151万片，年收入近40亿美元，并在完成股改后加快了上市节奏。

国产厂商在3D NAND领域的份额已稳定在6%左右，并通过关键技术掌握了未来发展的主动权。

市场的真实写照

技术路线的差异直接反映在市场动态上。当前，DRAM价格持续飞涨，各大厂商均在积极扩充产能。长鑫存储已启动DRAM技术升级（DDR5）暨产能扩充1万片的项目，以满足市场需求。

在DRAM依赖于EUV等昂贵设备追赶时，3D NAND则通过架构创新实现突破，而国产厂商恰好在这条赛道上具备了先发优势。此外，介于DRAM和NAND之间的三维相变存储器（3D XPoint/PRAM）也作为一种补充方案被关注，但目前仍非主流。