AMD X670E如何超DDR5手把手带你探究竟
AMD 7000系处理器一经发布,就以强大的性能赚足了眼球,但全新启用的AM5平台也给玩家们燥热的心浇了一盆冷水,600系主板“高昂”的售价以及仅支持DDR5内存的设定让A粉们的换机成本居高不下。
但目前来看,DDR5内存不断大量铺货的现状下,价格下降到跟去年DDR4接近的程度,这让普通玩家也能享受DDR5高频的快乐,也有越来越多的玩家开始关注DDR5内存的超频
这次,我们便用手上的金士顿野兽5600 RGB套条来演示如何在AMD X670E平台下进行内存超频。
我们手上的这对内存型号为金士顿野兽16Gx2,默认4800MHz的频率,EXPO支持到5600MHz。
搭配AMD R9 7900X处理器以及ROG X670E HERO主板组成我们的测试平台,详细硬件信息如下:
当然,这次我们使用的内存拥有EXPO认证,简单来说,以往的内存控制器放置在在主板“北桥”芯片里,如今内存控制器集成在处理器内部,处理器直接读取内存预设文件进行性能最优化,而这样的技术在Intel平台中叫做XMP,而在AMD平台则叫做EXPO。
值得注意的是,此次选用的主板是4999元的ROG X670E HERO,血统纯正的ROG玩家国度主板。拥有18+2相供电模组,并且自带的混合双模超频(手动全频+AMD PBO)功能可在内存自身不带EXPO或者XMP预设的情况下采用AEMP技术自动检测内存芯片,由主板AI智能控制来实现频率、时序和电流参数的优化,达到处理器最佳的性能释放。
回到正题,在BIOS默认设置下,这对金士顿频率为4800MHz,时序40-39-39-77,AIDA64内存Benchmark测试中得到了读取60.2G/s,写入63.3G/s的成绩,此时延迟在91.7ns。
我们进入BIOS,先看一下在EXPOⅠ预设下的表现如何,在超频标签页中开启EXPOⅠ,选择5600MHz预设,预设的时序是36-38-38-80
保存重启后在内存Benchmark中测得读取73.5G/s,写入74.8G/s,延迟则来到75.8ns,相比较默认设置下分别提升22%以及18%,延迟降低将近16ns。
使用EXPOⅡ预设也是同样的最大5600MHz频率,时序也是36-38-38-80,只是是时序小参等设置的不同,都交给这块ROG HERO自行控制,测试成绩中延迟相较EXPOⅠ略有上升,但读写成绩则相差不大。
当然,EXPO预设是官方根据内存性能表现得出的最为稳妥的超频方案,适合小白玩家们一键白嫖性能,但想要嫖到更多的性能,就得借助手动超频了。众所周知,与处理器超频的温度频率电压三要素不同,内存超频更看重频率时序电压这三个设置。当然并不是说内存不需要散热,只是玩家们购买内存大多选择“马甲条”,散热自然不必担心。裸条玩家在超频时也可选择加装散热以维持合适温度。
在内存超频中,频率决定了内存与处理器交换数据时的吞吐量,时序则是决定了交换数据时的响应时间,电压自然不必多说,越高的频率需要更加充足的电压支持。
基本的超频思路为:放宽第一时序,优先提升频率,过测后再尝试压低各项时序小参,未过测则优先提升电压,或继续放宽时序重新测试,找到电压频率时序三者的平衡。
内存手动超频,需要尽可能提升内存频率的同时,降低时序以压低延迟。我们在BIOS中以EXPOⅠ 5600MHz为基础,尝试将频率定在6000MHz,时序维持EXPO预设的36-38-38-80。看看在EXPO的设置下能否跑到6000MHz。
开机打开AIDA64中的稳定性测试,单独勾选内存烤机,测试十分钟看看是否稳定。烤机不久后飘红,看来测试没有通过。
我们进入BIOS中尝试将内存VDD电压以及内存VDDQ电压提高0.1V,统一设置到1.26V。为了求稳,将第一时序提高至38,留足冗余以冲击更高的频率。
开机后十分钟内存烤机通过测试,成功超频至6000MHz频率,此时时序为38-38-38-80,电压1.26V
(6000MHz 38-38-38-80 1.26V 内存烤机十分钟)
当然,拥有这么好的主板以及处理器,目标肯定不局限于此,经过长时间的测试,最终我们将内存超频至6200MHz,时序36-38-38-80并稳定过测。
此时的Benchmark成绩也来到了读取100.3G/s写入81.7G/s,延迟72ns。相较默认设置分别提升66%和29%。可见DDR5内存超频后的性能提升非常巨大。
超频所带来的小快乐,是把这对价值一千元的金士顿4800套条,当作价值一千四百元的金士顿6000套条来使用。
当然,内存超频是一个漫长枯燥的过程,每个人设备不同,结果自然也不尽相同,老板装机也只是为大家简单的讲述一下超频思路。如何找到属于自己内存体质的“甜点”频率,仍旧需要大家不停的摸索。
好硬件不遥远!自己的电脑自己选!(超大声)
这里是老板装机!
Byebye!