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3D NAND堆叠达到112层:西部数据和恺侠宣布其BiCS5技术开发成功

2020-02-03 10:56:29 10点赞 6收藏 0评论

西部数据和恺侠(原东芝存储)在1月30日宣布他们的NAND 3D堆叠技术——BiCS,成功开发出了第五代,即BiCS5。这代技术将会用于TLC和QLC的生产,相对于上代BiCS4,在存储密度上面有明显增加。

3D NAND堆叠达到112层:西部数据和恺侠宣布其BiCS5技术开发成功

BiCS4是96层堆叠,新的BiCS5将堆叠层数提高到了112层,单纯从层数上来看,密度会有16.67%的增长,不过西部数据宣称他们在新一代3D堆叠式NAND上面采用了包括制程工艺改善在内的各种改进手段,最终使得单元密度有非常大的提升,单芯片的存储容量能够提高40%,而恺侠方面则是称存储单元阵列的密度相对于上一代技术有20%的提升。

新一代BiCS技术带来的不仅仅是存储密度上的提升,还有性能方面的加强,西部数据称BiCS5在I/O性能上会比BiCS4高出50%,另外,其读写延迟也会降低。在恺侠的路线图上面,BiCS5对应着PCIe 4.0。

具体到产品上,恺侠正准备于今年第一季度出样512Gb的TLC颗粒,大规模量产的时间点则是放在今年下半年。另外,他们还准备了容量为1Tb的TLC颗粒和1.33Tb的QLC颗粒。其他几家NAND的主要供应商或是正在开发1xx层数级别的堆叠技术,或是已经准备将这些技术用于量产了。但是远水解不了近渴,目前SSD即将处于供需周期中的供不应求阶段,我们已经看到了价格上涨的苗头,而这些增加供应量的新技术还要等上一段时间才能够起效。

本文经超能网授权转载,原标题《西部数据和恺侠宣布其BiCS5技术开发成功 3D NAND堆叠层数达到112层》,作者:倪嘉声,未经允许请勿转载。

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