高通在其旗舰芯片组上实现高时钟频率是以增加发热为代价的，如今有传闻称该公司将转而采用三星在其Exynos 2600上使用的关键散热技术——"热路径模块"（HPB）。

在芯片内部加入HPB散热块，直接缩短热传导路径。三星给出的数据显示，HPB技术让芯片散热比前代提升30%，热阻降低16%。

早在去年年底，就有传闻其他智能手机芯片制造商正在考虑采用三星令人瞩目的HPB技术。到今年1月中旬，微博账号"定焦数码"推测HPB将被"许多常用安卓芯片的芯片制造商"采纳。如今，一组泄露的"SM8975"封装原理图似乎显示高通正在将三星设计的HPB整合到下一代骁龙移动芯片组中。

"定焦数码"发布了骁龙8 Elite Gen 6 Pro的原理图，揭示了几个细节，包括HPB的使用。三星的HPB在原理图中显示为"散热片"，被直接放置在芯片封装顶部以帮助保持低温。在传统设计中，DRAM被放置在SoC顶部，但这会让硅芯片的散热空间更小，导致温度快速攀升。

骁龙8 Elite Gen 6 Pro将采用层叠封装内存，支持4×24位LPDDR6 RAM或4×16位LPDDR5X RAM，配备两条UFS 5.0存储通道。鉴于骁龙8 Elite Gen 6 Pro在性能方面绝不会逊色，它应该能提供多显示器支持以提升生产力，类似于三星通过DeX解决方案所实现的功能。

随着这一泄露公之于众，高通将成为三星HPB技术的早期采用者之一，希望这一方案最终能解决骁龙8 Elite Gen 6 Pro的过热问题。至于标准版骁龙8 Elite Gen 6，目前尚无确认是否会配备HPB技术。