内存时序真的很重要,低时序的内存性能更强,比如影驰HOF EXTREME DDR5内存,CL36低时序,玩游戏更流畅
内存时序是什么?#科普 #内存
AI为你总结
内存时序包括四个主要参数:CL(列地址选通脉冲延迟)、TRCD(行地址到列地址的延迟)、TRP(行预充电时间)和TRAS(行激活时间),单位为周期。这些参数决定了内存操作中的延迟,周期越长,延迟越大。高性能内存通常具备更低的时序,以减少延迟。例如,影驰HOF Extreme DDR5内存采用海力士M-Die颗粒,提供CL36低时序,实现了高频与低时序的兼顾。
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