第17讲：SiC MOSFET的静态特性

全文概述

本文详细介绍了SiC MOSFET的静态特性，包括其在正向和反向导通时的表现。相比Si MOSFET和IGBT，SiC MOSFET具有更低的通态压降和更高的耐压能力，适用于多种高可靠性应用。

SiC MOSFET的耐压优势

SiC MOSFET由于其材料特性，击穿场强更高，芯片厚度更薄，从而显著降低了通态电阻，使其耐压可达几千伏甚至更高，远超商用Si MOSFET的900V限制。

正向通态特性

在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT；接近额定电流时，两者压降相近。这使得SiC MOSFET在低于额定电流工作的应用中能有效降低通态损耗。

温度依赖性

SiC MOSFET的通态压降在约25℃时最小，随温度变化而增加。漂移层电阻和沟道电阻对温度分别具有正、负依赖性，综合影响了其温度特性。

反向导通特性（体二极管）

SiC MOSFET内部的体二极管在施加高于PN结势垒电位的电压时可导通，但部分器件因双极电流流过体二极管而性能劣化。三菱电机通过大量数据积累，提供了可靠的解决方案。

反向导通特性（沟道导通）

当栅极施加正压时，MOS沟道反向导通，压降与电流成正比，且小于反并联肖特基势垒二极管或体二极管导通时的压降，有助于减少损耗。