英特尔EMIB-T先进封装明年投产：较台积电CoWoS有50%成本优势

快科技8月3日消息，据媒体报道，英特尔代工服务正凭借其EMIB先进封装技术吸引大量外部客户关注。尽管该技术备受瞩目，但最新的EMIB-T变体预计将于2027年才进入大规模量产阶段。

EMIB作为一种嵌入基板的硅桥技术，能够在不使用昂贵全尺寸硅中介层的情况下，实现高密度、低成本的芯片间互连。

其中，集成硅通孔的EMIB-T版本尤为关键，它允许ASIC直接获取电源连接，从而在单一封装内支持数千瓦级的高性能计算方案。目前，英特尔正优先提升常规EMIB及Foveros技术的产能，为EMIB-T的后续放量铺路。

Digitimes表示，包括博通和Meta在内的ASIC设计厂商正考虑从台积电CoWoS转向英特尔EMIB方案。

据PCB及基板供应商欣兴电子透露，EMIB-T与CoWoS-L/R之间的成本差距最高可达50%，这为客户节省了可观的封装开支以投入其他研发生产环节。

与此同时，台积电在CoWoS-L设计上也遭遇挑战。据传，在为NVIDIA Vera Rubin架构提供的2+2die封装中，台积电出现了基板翘曲问题，包含基板的封装在多方向弯曲，导致四芯粒架构的Rubin Ultra计算芯片无法与基板完全贴合，这进一步促使客户探索替代方案。

对于英特尔而言，外部客户对EMIB全系列技术的积极评估是其代工业务的重要突破。从标准EMIB到EMIB-M及EMIB-T，客户旨在实现多光罩芯片与高带宽内存的异构集成。

若英特尔能如期在2027年实现EMIB-T量产并解决良率挑战，其有望凭借显著的成本优势和技术差异化，在先进封装领域有效分流台积电的客户资源，重塑晶圆代工竞争格局。

编辑：鹿角

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